Математика | ||||
Основы электроники-И.П.Жеребцов Москва 1967 стр.415 | ||||
Основы электроники-И.П.Жеребцов Москва 1967 стр.415
В книге рассматриваются физические основы работы электровакуумных и полупроводниковых приборов, их важнейшие свойства, характеристики и параметры, а также некоторые общие вопросы применения этих приборов в радиоэлектронных схемах. Книга предназначена для широкого круга читателей, интересующихся современной электроникой и имеющих элементарные знания по физике и электротехнике. ПРЕДИСЛОВИЕ Изумительные достижения науки и техники тесно связаны с бурным развитием электроники, которая все глубже проникает в различные области нашей жизни. Триумф советской науки в освоении космоса в большой степени является победой электроники, обеспечивающей точную и четкую работу всех автоматических, радиотехнических и телевизионных устройств, без которых невозможны космические полеты. Важнейшая роль электроники в строительстве коммунизма неоднократно подчеркнута в историческом документе нашей эпохи — Программе Коммунистической партии Советского Союза, принятой XXII съездом КПСС. Большие успехи электроники являются результатом создания разнообразных и замечательных по своим свойствам электровакуумных и полупроводниковых приборов. Именно они применяются в качестве основных элементов во всех радиоэлектронных установках. Изучение современной радиоэлектроники требует прежде всего знания принципов устройства и физических основ работы электровакуумных и полупроводниковых приборов, их характеристик, параметров и важнейших свойств, определяющих возможность применения этих приборов в радиоэлектронной аппаратуре. Данная книга представляет собой популярный учебник, в котором изложены указанные вопросы в объеме, необходимом для дальнейшего изучения радиотехнических устройств. В настоящее время количество различных типов электровакуумных и полупроводниковых приборов так велико, что не представляется возможным рассмотреть все приборы (одних названий этих приборов с окончанием «трон» насчитывается много сотен). Попытка такого изложения привела бы или к чрезмерному увеличению объема книги, или к слишком неполному и поверхностному описанию ряда приборов. Поэтому из книги исключены многие приборы, не имеющие широкого применения у радиолюбителей или не выпускаемые пока промышленностью. Так, например, не рассматриваются некоторые специальные электроннолучевые приборы и передающие телевизионные трубки, фотоэлектронные приборы, электрометрические лампы, ртутные вентили и игнитроны, некоторые специальные полупроводниковые приборы и др. В книге также не даются сведения по технологии изготовления электровакуумных и полупроводниковых приборов. Более глубоко и подробно изложены те вопросы, которые с точки зрения автора являются особенно важными. Помимо рассмотрения самих приборов, затрагиваются также некоторые вопросы их применения. К ним относятся: использование триодов, более сложных ламп и транзисторов для усиления колебаний, стабилитронов — Для стабилизации напряжения, электроннолучевых трубок — для получения простейших осциллограмм и т. п. Изучение только одних приборов в отрыве от их основных практических применений 1* > .ч ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие........•................ 3 Глава первая. Введение .............- 5 1-1. Общие сведения об электровакуумных и полупроводниковых приборах ............ 5 1-2. Устройство и принцип работы диода...... 8 1-3. Цепи диода.................... 10 1-4. Назначение триодов ............... 13 1-5. Устройство триода и его цепи......... 13 Глава вторая. Движение электронов в электрическом и магнитном полях............ 16 2-1. Движение электронов в однородном электрическом поле.................... 16 2-2. Движение электронов в неоднородном электрическом поле.................... 21 | 2-3. Движение электронов в однородном магнитном ; поле........................ 23 ; Глава третья. Электронная эмиссия....... 27 \ 3-1. Электроны в металле -....-...•...:...•' 27 1 3-2. Выход электронов из металла ......... 29 : 3-3. Термоэлектронная эмиссия .......... . 32 1 3-4. Электростатическая электронная эмиссия . • • 33 i - 3-5. Вторичная электронная эмиссия........ 34 1 3-6. Электронная эмиссия под ударами тяжелых ча- i СТИЦ.............• • • •....... 3"7 : 3-7. Флуктуации электронной эмиссии ........ 37 Глава-четвертая.. Катоды электронных приборов.......................... . 39 ; 4-1. Параметры катодов. *.............. 39 4-2. Катоды прямого накала............. 40 4-3. Катоды косвенного накала.........' . . 42 4-4. Простые катоды ................. 44 4-5. Сложные (активированные) катоды....... 45 • Глава пятая. Диоды................ 50 5-1. Физические процессы в диоде.......... 50 5-2. Закон степени трех вторых для диода ..... 55 5-3. Схема для исследования диода ......... 58 5-4. Характеристики диода ;............. 59 5-5. Параметры диода . . .•............. 63 5-6. Работа диода в режиме нагрузки ....... 70 5-7. Типы и конструкции диодов.......... 71 413 Глава шестая. Триоды.............. 6-1. Физические процессы в триоде . ........ 6-2. Действующее напряжение и закон степени трех вторых для триода................ 8J 6-3. Характеристики триода............. 81 6-4. Параметры триода................ v9j 6-5. Ток сетки в триоде . . . .'........... Щ Глава седьмая. Рабочий режим триода..... II 7-1. Особенности рабочего режима.......... 7-2. Рабочие характеристики триода........ 7-3. Расчет рабочего режима по формулам..... 12 7-4. Рабочие параметры триода........... I2j 7-5. Усилительный каскад с триодом........ 12 7-6. Величины, характеризующие усилительный каскад......................... 1 7-7. Графо-аналитический расчет режима усиления 1 7-8. Междуэлектродные емкости триода....... 1 7-9. Недостатки триодов............... 1 7-10. Основные типы триодов............ 1„ Глава восьмая. Тетроды и пентоды....... 156 8-1. Устройство и работа тетрода.......... 15$ 8-2. Схемы включения тетродов........... 16Й 8-3. Характеристики тетрода. Динатронный эффект в тетроде..................... 16$ 8-4. Параметры тетрода ..........,..... Ш 8-5. Междуэлектродные емкости тетрода....... 172 8-6. Устройство и работа пентода......... . 173 8-7. Характеристики пентода............. 17? 8-8. Параметры пентода............... 17i 8-9. Междуэлектродные емкости пентода...... 181 8-10. Устройство и работа лучевого тетрода . . . . ; 181 8-11. Характеристики и параметры лучевого тетрода 184 8-12. Рабочий режим тетродов и пентодов...... Щ 8-13. Лампы переменной крутизны......... 18JS 8-14, Основные типы тетродов и пентодов ...... 19! Глава девятая. Частотопреобразовательные, ком- : бинированные и специальные лампы......... Ш 9-1. Принцип преобразования частоты....... 191 9-2. Лампы для преобразования частоты...... 191 9-3. Характеристики и параметры частотопреобра- •» зовательных ламп................ 201 9-4. Комбинированные и специальные приемно-уси- "i лительные лампы................ . 2ft 9-5. Электронно-световой индикатор......... 2QJ 9-6. Новые типы приемно-усилительных ламп .... 2ff 9-7. Собственные шумы электронных ламп...... 21? Глава десятая.- Электронные лампы для сверх- высоких частот.................... 21- 10-1. Особенности работы обычных ламп на сверх- -' высоких частотах................ 21 414 10-2. Наведенные токи в цепях электронных ламп 217 10-3. Входное сопротивление и потери энергии в лампах...................... 221 10-4. Диоды и триоды для СВЧ........... 225 Глава одиннадцатая. Ионные приборы. . . 231 11-1. Электрический разряд в газах......... 231 11-2. Виды электрических разрядов в газах..... 233 11-3. Тлеющий разряд................ 235 11-4. Стабилитроны.................. 241 11-5. Применение стабилитронов........... 243 11-6. Газосветные лампы............... 247 11-7. Газотроны...... . . ............ 248 11-8. Тиратроны дугового разряда ......... 255 11-9. Тиратроны тлеющего разряда.......... 263 11-10. Декатроны и цифровые индикаторные лампы 265 Глава двенадцатая. Электроннолучевые трубки ............................. 270 12-1. Общие сведения об электроннолучевых приборах ........................ 270 12-2. Устройство электростатической электроннолучевой трубки.................. 270 12-3. Цепи питания электроннолучевой трубки ... 274 12-4. Электронные прожекторы электростатических трубок...................... 276 12-5. Люминесцирующий экран........... 279 12-6. Электростатическое отклонение луча...... 284 . 12-7. Некоторые применения электроннолучевой трубки ...................... 286 12-8. Искажения изображений в электростатических трубках..................... 289 12-9. Магнитные электроннолучевые трубки..... 291 12-10. Основные типы электроннолучевых трубок . . 296 Глава тринадцатая. Полупроводниковые диоды ........................... 298 13-1. Общие сведения о полупроводниковых приборах .... ..........Г.......... 298 13-2. Электропроводность полупроводников..... ,300 13-3. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения . . ........... 305 13-4. Электронно-дырочный переход при действии внешнего напряжения............. 308 13-5. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода................. 312 13-6. Емкость полупроводникового диода...... 314 13-7. Температурные свойства полупроводниковых диодов...................... 316 13-8. Выпрямление переменного тока полупроводниковыми диодами................. 317 13-9. Последовательное и параллельное соединение диодов...................... 319 13-10. Импульсный режим полупроводниковых дио- • дов . ....................... 321 13-11. Основные типы полупроводниковых диодов. . 323 Глава четырнадцатая. Транзисторы .... 335 14-1. Основные понятия и определения......... 335 14-2. Физические процессы в транзисторе..... 336 14-3. Усиление с помощью транзистора....... 342 14-4. Основные схемы включения транзисторов . . . 344 14-5. Схемы питания и стабилизации режима транзисторов..................... 350 14-6. Характеристики транзисторов......... 354 14-7. Статические параметры и эквивалентные схемы транзисторов ................ 365 14-8. Расчет рабочего режима транзисторов..... 376 14-9. Влияние температуры на работу транзисторов 382 14-10. Частотные свойства транзисторов...... 384 14-11. Импульсный режим транзисторов...... 387 14-12. Собственные шумы транзисторов....... 389 14-13. Основные типы транзисторов.......ч. . 391 Глава пятнадцатая. Новые полупроводниковые приборы....................... 400 15-1. Туннельные диоды................ 400 15-2. Четырехслойные диоды и транзисторы .... 404 - 15-3. Канальные транзисторы............ 407 Глава шестнадцатая. Эксплуатационные особенности электровакуумных и полупроводниковых приборов................. .... 410 Заключение................'......... 412 Цена: 150руб. |
||||