t Математические модели элементов интегральной электроники. М., «Сов. радио», 1976. 304 с. с ил.
Перед загл. авт.: Ю. Р. Носов, ;К. О. Петросянц, В. А. Шилин.
Рассмотрены математические модели полупроводниковых элементов, используемых при машинном проектировании полупроводниковых приборов и ИС. Описаны основные принципы построения моделей. Приведены физико-топологические и электрические модели биполярннх и МДП-элементов (включая новые перспективные элементы).
Книга рассчитана на инженеров и научных работников, занимающихся проектированием и применением полупроводниковых приборов и ИС, а также на студентов вузов соответствующих специальностей.
Предисловие
В настоящее время машинные методы все шире используются при проектировании радиоэлектронной аппаратуры. Особенно большое значение эти методы имеют при проектировании ИС, что обусловлено их высокой сложностью, наличием паразитных связей между компонентами, большой стоимостью экспериментальных доводок.
Точность машинного расчета характеристик любой ИС практически полностью определяется точностью используемых математических моделей элементов схемы: транзисторов, МДП-транзисторов, резисторов
и т. д.
В. современных отечественных и зарубежных монографиях, посвященных машинному проектированию электронных и интегральных схем, основное внимание уделено алгоритмам автоматического формирования урав-н°чий состояния схемы и численным методам решения этих уравнений. Подробно описаны программы машинного расчета ИС. Однако вопросы построения и использования математических моделей элементов, являющиеся узловыми при машинном проектировании ИС, освещены недостаточно. В то же время сейчас кроме традиционных элементов ИС (биполярного и МДП-тран-зистора, резистора и т. д.) появляется много новых типов биполярных и МДП-элементов (элементы схем с инжекционным питанием, МДП-транзисторы с ионно-легированным каналом, приборы с зарядовой связью и т. д.). Материал по моделям этих элементов разбросан в многочисленных журнальных публикациях и часто является противоречивым. Настоящая книга призвана восполнить пробелы в вопросах моделирования компонентов ИС.
В гл. 1 рассмотрены общие принципы и различные методы построения моделей полупроводниковых приборов и элементов ИС, применимые к самым разнообразным полупроводниковым элементам. Предложена классификация моделей и указаны области применения каждого класса. Рассмотрены эквивалентные схемы физических процессов в полупроводниковых структурах. Изложен подход к созданию макромоделей цифровых ИС.
Оглавление
Предисловие . . ..... ..... 3
Введение........... ... 5
Глава 1
ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПОСТРОЕНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ . ........... Ю
1.1. Требования к математическим моделям. Классификация моделей...... ..... 10
1.2. Исходные уравнения.......... 17
1.3 Методы построения моделей....... 21
1.4. Эквивалентные схемы физических процессов в полупроводниковых структурах........ 37
1.5. Макромодели цифровых ИС....... 45
.Глава 2
БИПОЛЯРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ 48
2.1. Одномерная модель......... 51
2.2. Моделирование двумерных эффектов..... 76
2.3 Моделирование трехмерной структуры ..... 83
Глава 3
БИПОЛЯРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ... 93
3.1. Малосигнальные модели транзистора..... 95
3.2. Модели транзистора для режима большого сигнала . 109
3.3. Разновидности биполярных элементов интегральных схем . ...... ...... 151
3.4. Определение параметров моделей транзисторов . . 165
Глава 4
УНИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
(МДП-ТРАНЗИСТОРЫ)............. 182
4Л. Основные уравнения МДП-компонентов .... 184
4.2. Физико-топологические модели . ...... 189
4.3. Электрические модели......... 231
4.4. Малосигнальные модели .... .... 237
4.5. Двумерный анализ.......... 242
Глава 5
РАЗНОВИДНОСТИ УНИПОЛЯРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ..... 250
5.1. МДП-транзистор с ионно-легированным каналом : 250
5.2. Другие разновидности МДП-транзисторов .... 265
5.3. Приборы с зарядовой связью..... .271
5.4. Униполярные транзисторы с управляющим р—«-переходом ............. 283
Список литературы ,,,,,,,,,,,. 292
Цена: 150руб.