Брошюра содержит справочные данные по транзисторам отечественного производства. Даны краткие пояснения к приводимым в таблицах параметрам и важнейшие сведения по правилам эксплуатации транзисторов. В заключение приводятся краткие справочные данные для некоторых типов зарубежных транзисторов.
Предназначена для радиолюбителей-конструкторов.
Классификация транзисторов
По областям применения или назначению транзисторы разделяются на следующие основные группы: маломощные низкочастотные, маломощные высокочастотные, быстродействующие переключающие, мощные низкочастотные, мощные переключающие и мощные высокочастотные. Такая классификация транзисторов в значительной мере условна и зачастую один и тот же транзистор может применяться, например, в предварительных и оконечных каскадах усилителя низкюй частоты, в переключающих схемах и высокочастотных усилителях или генераторах.
По исходному полупроводниковому материалу выпуеюаемые в настоящее время транзисторы делятся на германиевые и кремниевые. Транзисторы, изготовленные на основе кремния, допускают работу при температурах до 120—'150° С, в то время как у германиевых транзисторов наивысшая рабочая температура не превышает 70—85° С.
Существуют транаисторы двух структур р-п-р и п-р-п, отличающихся противоположными полярностями питающих напряжений. Это обстоятельство позволяет упростить построение ряда схем, например, построить двухтактный усилитель без фазоинвертора. Транзисторы, обладающие одинаковыми параметрами, но имеющие противоположную структуру, часто называют транзисторами с дополнительной симметрией.
По принципу изготовления различают целый ряд конструктивно-технологических разновидностей транзисторов. Упомянем наиболее известные из них.
Точечные транзисторы (рис. 1,а) состояли из пластинки моно-кристаллического германия с прижатыми к ней двумя металлическими иглами. Ввиду низкой стабильности и плохой воспроизводимости электрических характеристик выпуск точечных транзисторов прекращен. В отличие от выпускаемых теперь плоскостных точечные транзисторы обладают коэффициентом усиления по току в схеме с общей базой (см. ниже) более единицы (до 3). Это позволяло реализовывать с помощью точечных транзисторов ряд оригинальных схем (мультивибратор на одном транзисторе, двусторонний усилитель и др.), которые требуют применения двух плоскостных транзисторов. Таким образом, механическая замена точечного транзистора одним плоскостным не всегда возможна.
Все нижеследующие конструктивно-технологические разновидности являются плоскостными транзисторами, у которых р-п-перё-
СОДЕРЖАНИЕ
Классификация транзисторов................. 3
Электрические характеристики транзисторов.......-. . 5
Указания по применению транзисторов............ 13
Справочные таблицы электрических параметров транзисторов. 18
Цена: 150руб.
