Книга посвящена одному из наиболее перспективных полупроводниковых приборов — полевому транзистору со структурой металл — окисел — полупроводник. Описаны физические принципы действия МОП-прибора, его статические, переходные и частотные характеристики. Освещены вопросы использования МОП-приборов в интегральных схемах и приведен ряд примеров расчета логических элементов на МОП-транзисторах. Кратко рассмотрено применение МОП-приборов в линейных схемах.
Эта лаконично написанная монография весьма емка по содержанию и рассчитана на разработчиков полупроводниковых приборов и радиоэлектронной аппаратуры, а также инженеров-специалистов по применению интегральных схем.
ОТ РЕДАКТОРА РУССКОГО ИЗДАНИЯ
Большое внимание, уделяемое в настоящее время приборам со структурой металл — окисел — полупроводник, объясняется не только тем, что эти приборы обладают рядом уникальных электрических свойств, но также и тем, что их применение в интегральных схемах открывает новые перспективы для микроэлектроники. С помощью МОП-приборов осуществляется переход от обычных интегральных схем к так называемым большим интегральным схемам (БИС), представляющим собой законченные функциональные блоки, выполненные на одном кристалле полупроводника.
Хотя в периодических изданиях опубликовано большое число работ, посвященных теории, расчету и свойствам МОП-приборов, использование этих материалов затрудняется из-за их распыленности и различий в терминологии. В связи с этим книга Р. Кроуфорда, являющаяся одним из первых систематизированных руководств для работающих в этой чрезвычайно быстро развивающейся области полупроводниковой электроники, представляет несомненный интерес для широкого круга советских специалистов. Следует отметить инженерный подход автора к решению затронутых проблем, а также наличие большого количества графиков и примеров практического расчета, помогающих более полному использованию материала книги. Книга, кроме того, не требует от читателя глубоких знаний в области полупроводниковой электроники.
ОГЛАВЛЕНИЕ
От редактора русского издания............. 5
Предисловие автора ................. 6
1. Основы теории полевых МОП-транзисторов....... 9
1.1. Работа МОП-транзистора............ 12
1.2. Характеристики................ 13
1.3. Цифровые схемы............... 18
1.4. Скорость переключения............. 21
' 1.5. Структуры на транзисторах с каналами противоположных типов проводимости............ 24
1.6. Будущее техники МОП-приборов......... 26
2. Теория работы полевого транзистора......... 35
2.1. Качественный анализ............. 37
2.2. Количественный анализ [3]........... 44
2.3. Дополнительные соображения о пороговом напряжении 59
2.4. Заключительные замечания об уравнениях характеристик при различных режимах работы транзисторов и обозначениях МОП-транзисторов......... 71
3. Характеристики МОП-транзисторов и основные уравнения . 77
3.1. Пологая область характеристик......... 77
3.2. Крутая область характеристик.......... 93
3.3. Подвижность................ 98
4. Переходный процесс................ 103
4.1. Предельная частота.............. 103
4.2. Время переключения МОП-транзистора...... 106
5. Основные приципы построения интегральных схем на МОП-транзисторах ................... 126
5.1. МОП-транзистор в качестве нагрузочного резистора . 127
5.2. Инвертор.................. 135
5.3. Основные логические схемы........... 147
5.4. Избыточность в схемах на МОП-транзисторах , . . 152
5.5. Динамическая логика на МОП-транзисторах .... 153
5.6. Статический универсальный триггер........ 158
5.7. Описание реальной интегральной схемы...... 158
6. Аналоговые схемы................. 167
6.1. Усилитель с общим истоком........... 167
6.2. Истоковый повторитель............ 170
6.3. Усилитель с общим затвором.......... 172
6.4. Различные схемы усилителей.......... 173
Приложение ................... 183
Обозначения.................... 184
Цена: 150руб.
