Готра 3. Ю.
'4 Технология микроэлектронных устройств: Справочник.— М.: Радио и связь, 1991.—528 с.: ил. ISBN 5-256-00699-1.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок,' литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектронных устройств.
Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся ПРОИЗВОДСТВОМ МЭУ
Предисловие
Технология микроэлектронных устройств (МЭУ) является основой производства современных радиоэлектронных средств. Уровень развития радиоэлектроники определяется достижениями в области технологии МЭУ.
Методы микроэлектронной технологии широко используются в процессах изготовления изделий приборостроения, вычислительных машин, элементов и устройств автоматики и др. Многие производства нерадиоэлектронного профиля также применяют методы микроэлектронной технологии.
Современная технология МЭУ базируется на новейших достижениях в областях физики, химии, математики, материаловедения, автоматизации и управления.
Производство МЭУ включает механическую, тепловую, электронную, ионную, плазменную, лазерную и другие виды обработки, позволяющие в вакууме, контролируемой газовой среде, атмосфере целенаправленно изменять и задавать электрофизические параметры полупроводниковых, диэлектрических, резистивных, проводящих материалов и структур на их основе.
В настоящее время отсутствует издание, включающее комплекс основных базовых технологических процессов, используемых при производстве МЭУ, начиная с методов создания монокристаллических материалов с заданными свойствами структур на их основе до сборки и герметизации конструктивно законченных устройств.
В предлагаемом справочнике собраны основные сведения по базовым тех* нологическим процессам МЭУ. Рассматриваются методы получения, очистки и легирования монокристаллических материалов, процессы диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, литографии, методы получения тонких пленок, паяных я сварных соединений, герметизации устройств. Приводятся основные свойства и параметры материалов, оборудование, обеспечивающее проведение технологических процессов.
В связи с быстрым моральным старением устройств и оборудования базовые технологические процессы рассматриваются без привязки к конкретным МЭУ, а изложение носит описательный характер. ''
При написании справочника использовано более 1000 отечественных и зарубежных литературных источников. С целью сокращения объема ссылки на них в тексте опущены, а приведенный список использованной литературы включает лишь основные монографии в области технологии МЭУ.
Справочник предназначен для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
Оглавление
Предисловие.................3
Глава 1. Методы получения, очистки и легирования монокристаллических
материалов ................ 4
1.1. Основные материалы для полупроводниковых и микроэлектронных устройств ................. 4
1.2. Методы направленной кристаллизации из расплавов ....!'
1.3. Методы получения равномерно легированных монокристаллов полупроводников ................42
1.4. Программирование кристаллизационного процесса (изменение условий роста монокристаллов)...........52
1.5. Маркировка и основные свойства поликристаллических и монокристаллических полупроводников........... 54
Глава 2. Механическая обработка кристаллов полупроводниковых материалов ................. 6|
2.1. Подготовка монокристаллов к резке на пластины..... 61
2.2. Материалы для наклейки слитков, пластин и кристаллов , . .67
2.3. Резка монокристаллов............. 69
2.4. Материалы для шлифования и полирования монокристаллических материалов ................ 78
2.5. Шлифование и полирование пластин......... 87
2.6. Контроль качества пластин полупроводниковых материалов . . 94
2.7. Разделение пластин..............'00
Глава 3. Полупроводниковые подложки и физико-химические методы
обработки их поверхности............ '05
3.1. Требования к полупроводниковым подложкам......'05
3.2. Методы контроля качества полупроводниковых подложек . . .108
3.3. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников 113
3.4. Ионно-плазменное травление...........'29
3.5. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниковых подложках ................ . '39
3.6. Методы получения окисных пленок германия......'45
Глава 4. Диффузия в полупроводниках ..........'49
4.1. Физические процессы, происходящие при диффузии примеси в полупроводниках ................149
4.2. Расчет распределения примеси при диффузии......'54
4.3. Диффузия примесей III и V групп в кремнии с коэффициентом диффузии, зависящим от концентрации примеси......163
4.4. Аномальные результаты процесса диффузии примесей III и V групп
в пленарной технологии кремниевых приборов ...... 165
4.5. Методы проведения диффузии...........172
4.6. Внешние источники примеси для кремния.......177
4.7. Примесные покрытия.............189
Глава 5. Технология эпитаксиальных слоев........204
5.1. Физические основы процесса эпитаксии........204
5.2. Методы проведения эпитаксии...........204
5.3. Методы, стимулирующие эпитаксию.........214
5.4. Легирование в процессе эпитаксии.........227
5.5. Контроль параметров эпитаксиальных слоев.......228
627
Глава 6. Ионная имплантация............231
6.1. Физические основы ионной имплантации........231
6.2. Образование радиационных дефектов.........239
6.3. Отжиг легированных структур...........241
6.4. Технологическое оборудование для ионной имплантации . . . 245
6.5. Ионная имплантация как технологический прием при создании МЭУ 257
6.6. Методы исследования ионно-легированных слоев.....258
Глава 7. Технология тонких пленок .......... 262
7.1. Термовакуумный метод получения тонких пленок.....262
7.2. Импульсное нанесение пленок...........274
7.3. Получение пленок из ионизированных потоков многоатомных частиц методами ионного осаждения...........278
7.4. Методы определения толщины пленок........295
Глава 8. Фотошаблоны и технология их изготовления.....298
8.1. Общие сведения, термины и определения . ,.....298
8.2. Основное технологическое оборудование для изготовления ФШ . 302
8.3. Конструкция фотошаблонов...........307
8.4. Технология металлизированных фотошаблонов.......312
8.5. Технология цветных фотошаблонов.........322
8.6. Контроль параметров фотошаблонов. Основные виды дефектов ФШ
и их определение .............. 328
8.7. Ретушь и корректировка топологии фотошаблонов.....334
Глава 9. Литографические процессы в технологии микроэлектронных
устройств ................ 336
9.1. Сущность фотолитографии и основные процессы.....336
9.2. Реперные знаки в фотошаблонах..........345
9.3. Удаление резистивной маски маскирующей пленки ФР .... 350
9.4. Методы переноса изображений...........355
9.5. Электронно-лучевая литография ..........369
9.6. Рентгеновская литография............383
9.7. Ионно-лучевая и голографическая литографии....., 391
9.8. Процессы травления в литографии.........397
Глава 10. Сборка микроэлектронных устройств........419
10.1. Монтаж кристаллов у плат микросхем в МЭУ......419
10.2. Микросварка при монтаже выводов МЭУ...... .431
10.3. Рабочий инструмент для микросварки........441
10.4. Технология микросварки ............448
10.5. Контроль качества микросварных соединений проводник—пленка 453
10.6. Припои и технология микропайки при сборке МЭУ.....461
10.7. Электропроводящие клеи............465
10.8. Беспроволочный монтаж ............470
Глава 11. Герметизация микроэлектронных устройств......475
11.1. Конструктивно-технологические разновидности .герметизации . . 475
11.2. Корпусная герметизация на основе неорганических материалов . 476
11.3. Герметизация корпусов контактной сваркой.......479
11.4. Герметизация сваркой давлением..........487
11.5. Герметизация сваркой плавлением..........490
11.6. Герметизация корпусов пайкой...........499
11.7. Герметизация на основе органических материалов.....504
11.8. Соединения выводов МЭУ на печатном монтаже.....518
Цена: 300руб.
