Кублановский Я. С.
3 Схемы на четырехслойных полупроводниковых приборах. М., «Энергия», 1971.
48 с. с ил. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 789). Изд. 2-е.
Рассматриваются принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов с четырехслойной р-п-р-п структурой, показаны способы и возможности их применения в схемах различных устройств (импульсные генераторы, триггеры, переключатели, реле времени, инверторы и др.). Рассчитана на-«подготовленных радиолюбителей.
ПРЕДИСЛОВИЕ
В последние годы все более широкое распространение получают полупроводниковые приборы с четырехслойной р-п-р-п структурой впервые появившиеся в 19Э6-Ц1057 г. Параметры таких приборов имеют ярко выраженный «ключевой» характер. Они обладают очень большим (сотни и более килоомов) сопротивлением в затертом и весьма малым (деаятые доли ома) в отпертом состоянии. В электрических устройствах р-п-р-п приборы действуют как полупроводниковые нормально разомкнутые ключи с односторонней проводимостью, которые могут быть замкнуты при подаче соответствующего сигнала. Управляющий сигнал необходимо подавать только на время переключения, а для сохранения запертого или отпертого состояния прибора внешнего сигнала на требуется. Таким образом, -полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой обладают замечательным свойством «запоминать» заданное им электрическое состояние. Эти свойства, а также высокая эксплуатационная надежность, большой ерш службы, малые размеры, высокий к. п. д., способность с большой скоростью коммутировать значительные импульсные мощности позволяют че трехслойным полупроводниковым приборам с успехом конкурировать с тиратронами, мощными траязисто-рами, электромеханическими реле. Действительно, в течение последних лет четырехслойные' полупроводниковые приборы стали использоваться в таких устройствах, где, казалось, еще долго будут господствовать тиратроны и транзисторы. Это — различные импульсные генераторы, ;реле времени, инверторы, регуляторы напряжений, мощные переключатели и т. д.
Успешное и эффективное использование полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой возможно только в тех случаях когда радиолюбитель знает не только паспортные данные приборов, но и понимает физические принципы действия приборов, влияние на их работу различных факторов, а также отчетливо представляет принципы построения схем с этими приборами.
В этой брошюре рассматриваются принципы работы и характеристики четырехслойных полупроводниковых приборов с четырехслойной р-п-р-п структурой, показаны способы и возможности их применения в схемах различных устройств .(импульсные генераторы, триггеры; переключатели, реле временя, счетчики импульсов, инверторы и др.), приводятся рекомендации по выбору элементов схем. Приведенные схемы не являются обязательными или окончательными для каждого случая. Можно надеяться, что при необходимости они послужат читателю исходным материалом для разработки на их основе собственных схем конкретных устройств.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие.............. 3
Устройство и принцип действия четырехслойных полупроводниковых приборов ........... 4
Вольт-амперные характеристики четырехслойных полупроводниковых приборов ........... 7
Способы отпирания и запирания динисторов и тиристоров . 10
Схемы устройств с динисторами........ 20
Схемы устройств с тиристорами......... 30
Приложения.............. 46
Цена: 150руб.
