Математика | ||||
Кристаллография-Шаскольская М. П. М., «Высш. школа», 1976. 391 с. с ил. | ||||
Шаскольская М. П.
Кристаллография. Учебник для втузов. М., «Высш. школа», 1976. 391 с. с ил. В книге излагаются основы классической кристаллографии и кристаллохимии, а также вопросы широко развившейся за последние годы кристаллофизики, технической кристаллографии, приводятся инженерные методы расчета свойств кристаллов, описываются новые кристаллические материалы и подробно рассматривается применение кристаллов в новой технике. Предназначается для студентов втузов. Предисловие Эта книга является попыткой создания учебника инженерной, технической кристаллографии и кристаллофизики, связанной с расширяющимся применением кристаллов в технике. За последние два-три десятка лет кристаллография переживает подлинную революцию, ломку старых представлений и бурное рождение и развитие новых областей применения кристаллов и кристаллографических методов. Датой рождения кристаллографии и кристаллофизики считается 1669 год — год установления закона постоянства углов кристаллов и открытия двойного лучепреломления света в кристаллах. В течение XVII—XIX вв. кристаллография развивалась в значительной мере как часть минералогии и основным содержанием ее было наблюдение симметрии внешней формы кристаллов. Открытие дифракции рентгеновских лучей в 1912 г. положило начало экспериментальному исследованию атомной структуры кристаллических веществ, развившемуся необычайно быстро. В наши дни изучены структуры почти всех неорганических природных соединений, и ныне мы присутствуем при рождении новой области кристаллографии — учения о структуре биологических объектов. Вплоть до середины XX в. промышленное использование монокристаллов ограничивалось почти исключительно ювелирными самоцветами. Применение физических свойств кристаллов с их богатой гаммой вариаций, обуслов- ленных симметрией и анизотропией, началось в двадцатых годах нашего века, сначала с использования пьезоэлектрических , сегнетоэ лектрических и оптических свойств. Требования к качеству монокристальных материалов и к их массовому производству вызвали к жизни появление промышленности выращивания кристаллов, которая в наши дни становится промышленностью создания материалов с заданными свойствами. На наших глазах рождаются и развиваются новые области техники, целиком базирующиеся на использовании своеобразных свойств кристаллов. Одновременно ширится потребность в специалистах, которые умели бы целенаправленно выращивать кристаллы с требуемыми свойствами, исследовать, рассчитывать и применять эти свойства, для чего требуется активное владение математическим аппаратом кристаллографии и кристаллофизики. На подготовку этих специалистов и рассчитан настоящий учебник. В книге обобщен опыт преподавания на кафедре кристаллографии Московского института стали и сплавов, готовящей инженеров, специализирующихся в области полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, редких и цветных металлов, физико-химических методов исследования материалов электронной техники. Мы старались в преподавании обращать особое внимание на технические применения кристаллов, на опыт, накопленный в заводских и исследовательских лабораториях при промышленном использовании кристаллов. В книге ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие 1. СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ •§ 1. Анизотропия и симметрия внешней формы, физических свойств и структуры кристаллов 5 '•/•§ 2. Структура кристалла и пространственная решетка 8 , § 3. Закон постоянства углов кристаллов. Формула Вульфа—Брэгга 13 § 4. Метод кристаллографического индицирования. Закон целых чисел 15 | 5. Кристаллографические проекции 21 f§ 6. Элементы симметрии кристаллических многогранников 29 § 7. Теоремы о сочетании элементов симметрии 40 § 8. Кристаллографические категории, сингонии и системы осей координат 42 % 9. Классы симметрии. Общие определения и системы обозначений 47 § 10. Вывод и описание 32 классов симметрии 51 § 11. Формы кристаллов 68 § 12. Индицирование кристаллов. Закон зон 84 1 § 13. Физически различные формы кристаллов 93 II. СИММЕТРИЯ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ § 14. Решетки Бравэ 97 § 15. Элементы симметрии кристаллических структур 105 •§ 16. Теоремы о сочетании элементов симметрии структур 110 <§ 17. Пространственные группы симметрии 115 $ 18. Обратная решетка 123 § 19. Основные сведения об экспериментальном определении структуры кристаллов 131 § 20. Основные формулы структурной кристаллографии 132 III. КРИСТАЛЛОХИМИЯ § 21. Атомные и ионные радиусы 136 § 22. Координационное число и координационный многогранник 137 § 23. Число атомов в ячейке. Определение стехиометрической формулы вещества 140 § 24. Поляризация ионов 142 § 25. Типы связи в структурах 143 § 26. Пределы устойчивости структур 146 § 27. Плотнейщие упаковки частиц в структурах 148 § 28. Построение структур с помощью координационных полиэдров (многогранников) 154 § 29. Основные типы структур 156 Структура меди 156 Структура магния 157 Структура вольфрама 160 Структура каменной соли 160 Структура алмаза 161 Структура графита 163 Структуры сфалерита и вюрцита 164 Структура перовскита 167 Структура шпинели 169 Структура корунда 171 § 30. Политипия 173 § 31. Изоморфизм 175 § 32. Полиморфизм 177 IV. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ § 33. Предельные группы симметрии 180 § 34. Основной принцип симметрии в кристаллофизике. Указательные поверхности 183 § 35. Тензорное описание физических свойств кристаллов. Кристалло-физические системы координат 188 | 36. Матричные представления преобразований симметрии 196 § 37. Антисимметрия 199 § 38. Скалярные физические свойства 202 § 39. Векторные свойства. Пироэлектрический эффект 204 § 40. Диэлектрические свойства 209 § 41. Общие замечания о физических свойствах, описываемых тензором второго ранга 215 § 42. Магнитные свойства 218 § 43. Теплопроводность 221 § 44. Двойное лучепреломление и поляризация света в кристаллах 222 § 45. Применение оптических свойств кристаллов 229 § 46. Исследование оптических свойств кристаллов в поляризованном свете 236 § 47. Напряжения и деформации в кристаллах 245 § 48. Тепловое расширение 248 § 49. Пьезоэлектрический эффект 251 § 50. Сегнетоэлектрические свойства 269 § 51. Электрооптический эффект 275 § 52. Упругие свойства 280 § 53. Пьезоонтический эффект 288 § 54. Взаимная связь физических свойств и явлений в кристаллах 291 V. ФИЗИКА РЕАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ § 55. Механические свойства. Пластическая деформация 296 § 56. Спайность и твердость 3^2 § 57. Атомные нарушения структуры кристалла. Классификация дефектов структуры 306-§ 58. Точечные дефекты 309 § 59. Дислокации 31& § 60. Движение дислокации. Энергия дислокации. Дислокационные реакции 325-§ 61. Дислокации в некоторых реальных кристаллических структурах 331 Дислокации в структурах алмаза и сфалерита 332' Дислокации в структуре каменной соли 340 Дислокации в гексагональных плотно упакованных кристаллах 343^ Дислокации в кристаллах со структурой вюрцита 344 § 62. Поле напряжений дислокации. Взаимодействие дислокаций друг с другом и с точечными дефектами 347 § 63. Методы наблюдения дислокаций 349* VI. РОСТ КРИСТАЛЛОВ § 64. Зарождение кристаллов 358 § 65. Основные представления о росте кристаллов 359-§ 66. Равновесная форма кристаллов 361 § 67. Реальные формы роста кристаллов 363 § 68. Макроскопические дефекты кристаллов 367 § 69. Закономерные сростки и двойники 370 § 70. Эпитаксия 374 § 71. Краткие сведения о методах выращивания кристаллов 376-Рекомендуемая литература 384 Предметный указатель 386> Цена: 150руб. |
||||