Изложены основные понятия полупроводниковой электроники, описаны свойства транзисторов, методы анализа транзисторных схем, методика проектирования и расчета транзисторных приемников. Кратко рассмотрены вопросы ремонта и эксплуатации их. Приведены описания схем транзисторных приемников различных типов.
Книга рассчитана на инженерно-технических работников и подготовленных радиолюбителей, знакомых с теорией ламповых приемников, и может быть использована в качестве учебного пособия для студентов старших курсов радиотехнических специальностей.
ПРЕДИСЛОВИЕ;
Технический прогресс играет решающую роль в строительстве нового, коммунистического общества. Особое место в технике наших дней занимает радиоэлектроника, широко применяемая во всех отраслях народного хозяйства. Бурное развитие радиоэлектроники в последние годы связано' с разработкой и внедрением полупроводниковых приборов различных типов, в первую очередь транзисторов.
Приемно-усилительные устройства — одна из наиболее перспективных областей применения транзисторов, но здесь их широкое и эффективное внедрение в известной мере тормозится отличием в методике расчета схем с электронно-вакуумными лампами и транзисторами.
Современная методика расчета ламповых схем со слабыми сигналами, во внедрении которой в инженерную практику решающую роль сыграли работы В. И. Сифорова, базируется в основном на использовании схем замещения лампы с эквивалентными проводимостями. На низких частотах вакуумная лампа с левыми характеристиками описывается активным двухполюсником, управляемым напряжением, что значительно упрощает анализ и расчет ламповых схем. Попытки создать дуальный метод расчета транзисторных схем, основанный на замещении транзистора активным двухполюсником, управляемым входным током, не увенчались успехом и практически все современные методы анализа и расчета основаны на представлении транзистора активным четырехполюсником.
Для описания свойств точечного транзистора, родоначальника большого семейства современных полупроводниковых усилительных приборов, наиболее удобными оказались схемы замещения четырехполюсников с эквивалентными параметрами, имеющими оаз-
мерность сопротивлений. Эти параметры применяются и для анализа схем с плоскостными транзисторами. Определенное распространение получили и методы расчета, основанные на описании свойств транзисторов смешанными, или гибридными, эквивалентными параметрами линейного четырехполюсника. Методика расчета с помощью этих систем эквивалентных параметров существенно отличается от общепринятой методики расчета ламповых схем, что затрудняет освоение транзисторной техники инженерами-радистами, специализировавшимися в области приемно-усилительных устройств с вакуумными лампами.
Впервые в отечественной литературе целесообразность общего подхода к расчету ламповых и транзисторных схем была показана в работе [10]. Подобный подход наиболее просто осуществляется при описании свойств транзисторов эквивалентными проводимостями и соответствующими им схемами замещения. Следует отметить, что эквивалентные проводимости использовались еще в ранних работах по расчету транзисторных схем со слабыми сигналами [12, 26, 27], опубликованных в отечественной печати. В настоящее время расчет слабосигнальных транзисторных схем с помощью эквивалентных проводимостей становится основным [2, 4, 13, 21].
Описание схемных свойств транзисторов с помощью эквивалентных проводимостей в этой книге позволило максимально приблизить методику расчета транзисторных приемников к общепринятой методике расчета ламповых приемных устройств и подчеркнуть специфические особенности применения транзисторов. Использование простейшего матричного аппарата в ряде случаев значительно упростило анализ схем со слабыми сигналами и облегчило вывод расчетных формул.
В основу настоящей книги положена работа автора [30], дополненная и переработанная в соответствии с развитием транзисторной техники в последние годы.
Отзывы и пожелания просьба направлять по адресу: Киев, 4, Пушкинская, 28, издательство чТехшкаъ.
Содержание
Предисловие.........................,i
4 Глава 1. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОР01
1. Основные понятия полупроводниковой электроники......*
2. Электронно-дырочные переходы............... ,
3. Однопереходные полупроводниковые приборы ..........
4. Усилительные полупроводниковые приборы...........
Глава 2. СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ
1. Вольт-амперные характеристики................
2. Линейная аппроксимация статических характеристик ......
3. Схемы замещения транзисторов................
4. Частотные свойства транзисторов...............
5. Собственные шумы транзисторов................
6. Температурные свойства транзисторов.............
7. Сравнение с электронно-вакуумными лампами........ . . :
Глава 3. МЕТОДИКА АНАЛИЗА ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМ
1. Основные определения....................
2. Метод эквивалентных схем..................J
3. Метод эквивалентного четырехполюсника •...........'
4. Обобщенный метод узловых напряжений...........
5. Приведение к эквивалентному четырехполюснику.......;
6. Анализ схем с обратной связью...............
Глава 4. ЦЕПИ ПИТАНИЯ
1. Источники питания .......".
2. Выбор рабочей точки.......
3. Стабилизация рабочей точки ....
4. Расчет цепей питания...... .
5. Цепи с температурной компенсацией
Глава 5. ВЫХОДНЫЕ КАСКАДЫ ПРИЕМНИКА
1. Введение...............
2. Выходные усилители класса А.....
414
3. Выходные усилители класса В................ 140
4. Схемы выходных каскадов.................. 146
5. Расчет выходных каскадов.................. 157
Глава 6. ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
1. Введение.......................... 168
2. Обратная связь в предварительных усилителях........ 173
3. Усилители с реостатно-емкостной связью........... '183
4. Усилители с индуктивной связью............... 192
5. Усилители с непосредственной связью............ 200
6. Фазоинверсные каскады................... 209
7. Избирательные усилители низкой частоты........... 216
Глава 7. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
1. Особенности высокочастотных усилителей........... 226
2. Устойчивость избирательных усилителей........... 230
3. Нейтрализация избирательных усилителей.......... 234
4. Резонансные усилители................... 239
5. Полосовые усилители .................... 249
6. Широкополосные усилители................. 254
7. Усилители с туннельными диодами.............. 266
Глава 8. ДЕТЕКТОРНЫЕ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ
1. Амплитудные диодные детекторы............... 270
2. Амплитудные триодные детекторы.............. 280
3. Регенеративные и сверхрегенеративные детекторы....... 289
4. Частотные детекторы.................... 295
5. Смесители......................... 298
6. Гетеродины......................... 304
7. Преобразователи с совмещенным гетеродином......... 307
Глава 9. ВХОДНЫЕ ЦЕПИ И РЕГУЛИРОВКИ ПРИЕМНИКА
1. Входные цепи с электрической антенной........... 311
2. Входные цепи с ферритовой антенной............. 315
3. Ручные регулировки в высокочастотных цепях......... 321
4. Ручные регулировки в низкочастотных цепях......... 326
5. Автоматическая регулировка усиления............ 330
6. Автоматическая подстройка частоты.............. 337
Глава 10. СХЕМЫ ПРИЕМНИКОВ
1. Блок-схемы транзисторных приемников........... 341
2. Приемники прямого усиления................ 349
3. Регенеративные и сверхрегенеративные приемники....... 355
4. Супергетеродинные приемники................ 361
5. ЧМ-приемники........................ 369
6. Телевизионные приемники.................. 373
415
Глава П. РЕМОНТ И НАЛАДКА ПРИЕМНИКОВ
1. Общие замечания..................... 380
2. Измерения параметров транзисторов.........."... 384
3. Налаживание низкочастотных цепей приемника........ 391
4. Налаживание высокочастотных каскадов приемника...... 395
5. Основные неисправности транзисторных приемников...... 399
Приложение: ТИПОВЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ПАРАМЕТРОВ
МАЛОМОЩНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 403
Литература 411
Цена: 150руб.
