Лямичев И. Я. и др.
97 Приборы на аморфных полупроводниках и их применение. М., «Сов. радио», 1976.
128 с. с ил. (Массовая библиотека инженера «Электроника»).
Перед загл. авт.: И. Я. Лемячев, И. И. Литвак, Н. А. Ощеп-ков.
Изложены физические процессы в аморфных полупроводниках и приведены параметры приборов на их основе. Рассмотрены схемы, построенные на новых приборах, которые могут найти применение в устройствах автоматики, связи, вычислительной техники, в линейных и нелинейных радиотехнических цепях.
Книга предназначена для широкого круга инженеров, работающих в электронной и радиопромышленности и в смежных областях науки и техники, а также для студентов старших курсов вузов.
30407-008
Предисловие
В начале 60-х годов в СССР проф. Коломийцем Б. Т. и его сотрудниками были опубликованы результаты первых исследований физических процессов в аморфных полупроводниках, позволившие наметить пути создания полупроводниковых приборов с существенно новыми характеристиками и возможностями.
В течение последующих лет в отечественной и зарубежной литературе появилось значительное число публикаций по данной тематике. Авторы этих работ единодушно утверждают, что с освоением выпуска приборов на основе аморфных полупроводников они найдут широкое применение в электронной и вычислительной технике, с одной стороны, как аналоги кристаллических приборов, с другой, а это особенно важно,— в качестве приборов с принципиально новыми возможностями синтеза схем управления, усиления, запоминания и др.
Необходимость создания экономичных, малогабаритных и надежных элементов памяти и схем управления для твердотельных устройств отображения информации, естественно, привела авторов данной книги к рассмотрению новых приборов.
В предлагаемой читателю книге излагаются физические процессы в аморфных полупроводниках и дается описание основных схемотехнических возможностей приборов на их основе.
Мы глубоко благодарны проф. Коломийцу Б. Т. за ценные советы при написании книги, весьма признательны проф. Деркачу В. П. и проф. Орешкину П. Т., канд. физ.-мат. наук Лебедеву Э. А., канд. физ.-мат. наук Га-лынпой Г. И., канд. техн. наук Васюхину М. И. за высказанные замечания, способствовавшие устранению ряда неточностей в рукописи.
Введение
Обычно после появления в технике нового направления проходит довольно длительное время прежде чем появятся первые фундаментальные работы, анализирующие проблему в целом. Такой процесс естествен и вы-
Оглавление
О
.....• • ' ' з
Предисловие
6 25
34 49
54
Введение .........
1. Основные физические процессы в аморфных полупроводниковых материалах........... 6
1.1. Физические особенности стекла...... 6
1.2. Общие представления о зонной модели аморфных материалов............ 25
1.3. Анализ гипотез механизма переключения халько-генидных полупроводников ....... 34
1.4. Механизм формирования запоминающего состояния 49 2. Применение приборов на аморфных полупроводниках . . 54
2.1. Основные расчетные соотношения..... 55
2.2. Применение S-приборов в качестве нелинейных элементов ............. 59
2.3. S-прибор в качестве запоминающего элемента . . 64
2.4. Анализ запоминающей ячейки...... 69
2.5. Матричные управляющие устройства..... 75
2.6. Коммутирующая линия на S-приборах .... 83
2.7. Усилительные устройства на S-приборах ... 85
2.8. Запоминающие устройства на S-приборах ... 93
2.9. Бистабильные схемы на S-приборах..... 103
2.10. Возможность построения «безсхемных» устройств различного назначения ........ 115
2.11. Токовые матрицы на аморфных полупроводниках 119
Заключение............... 123
Список литературы............ 124
Цена: 150руб.
