Математика | ||||
ионная имплантация в полупроводники и другие материалы-сборник выпуск 10 Москва 1980 стр.330 | ||||
ионная имплантация в полупроводники и другие материалы-сборник выпуск 10 Москва 1980 стр.330
Сборник статей, охватывающий следующие вопросы: теоретические проблемы, связанные с ионной бомбардировкой; ионная имплантация и ионное распыление поверхности твердых тел; ионная имплантация в полупроводники и металлы; лазерный и электронный отжиг; радиационно-стимулированная диффузия. Работы, включенные в сборник, - доклады, прочитанные на Международной конференции по управлению свойствами поверхностей материалов с помощью ионных пучков (Венгрия, 1978) и Международной конференции по радиационным эффектам в полупроводниках (Франция, 1978). Для научных работников, занимающихся теоретическими и прикладными исследованиями в области физики полупроводников, микроэлектроники и материаловедения а также для аспирантов, специализирующихся по этим проблемам. ПРЕДИСЛОВИЕ Ионная имплантация, т.е. внедрение ускоренных ионов в твердые тела, приобрела за последние годы очень важное значение не только как способ создания микроэлектронных устройств и других приборов современной твердотельной электроники, но и как мошный универсальный метод экспериментальной физики твердого тела, в своих приложениях прямо связанный с техникой. Исследования по эффектам ионной имплантации в металлы ведутся во многих направлениях, начиная с моделирования нейтронных дефектов в стенках будущих термоядерных реакторов и кончая проблемами повышения срока службы шарикоподшипников. Дальнейшее развитие ионно-луче-вой технологии опирается на глубокие фундаментальные исследования взаимодействия быстрых заряженных частиц с твердыми телами, включая сюда как вопросы прохождения, торможения и рассеяния ионов, т.е. первичные "быстрые* процессы, так и совокупность изменений структуры и свойств ионно-имплантированных твердых тел. Наиболее подробно указанные явления были обсуждены в ходе Международной конференции по управлению свойствами поверхностей материалов с помощью ионных пучков, состоявшейся 4-8 сентября 1978 г. в Будапеште [ I]. Основу настоящего сборника составляет большая часть докладов по приглашению, прочитанных на этой конференции. К сожалению, ограниченный объем сборника не позволяет затронуть все значительные проблемы ионной имплантации, поэтому мы решили предложить вниманию читателя ограниченный круг вопросов, представляющих сегодня на наш взгляд наибольший интерес и не нашедших по тем или иным причинам достаточного освещения в литературе, изданной в СССР. Например, в книге практически не затрагиваются вопросы имплантационного легирования кремния и создания приборов на этой основе, традиционно занимающие центральное место в литературе по ионной имплантации; в то же время в сборнике много места СОДЕРЖАНИЕ Предисловие..........••.••'......................... б Успехи ионной имплантации (Д. Палмер).................... 7 Пробеги ионов и теории пробегов (С. Калбицер, X. Эцманн)....... 65 Имплантация ионов в соединения 4Ш - Bv (Ф. Эйзен)........... 92 Лазерный отжиг полупроводников (Дж. Фоти)................. 131 Отжиг импульсным электронным пучком структурных нарушений, возникающих при ионной имплантации (А. Гринуолд, А. Керкпатрик, Р. Литтл, Дж. Миннуччи)..................................... . 146 Неоднородное распределение радиационных повреждений в кремнии, имплантированном большими дозами ионов при высоких плотностях тока пучка ^Д. Винлэнд, Д. Чиверс)........................... 159 Исследование диффузии бора в кремнии при высокотемпературном протонном облучении (Ш. Люка, Ж. Гайяр, С. Луалиш, П. Барюш, Ж. Пфис- тер, Р. Трюш)...................................... 174 Диффузия, стимулированная протонным облучением, и диффузионная длина вакансий в кремнии (Б. Мастере)..................... 184 Столкновительные, тепловые и электронные процессы ионного распыления (Р. Келли).......................;............ 194 Предельный уровень легирования, достижимый при ионной имплантации (3. Лю, Дж. Мейер)................................... 236 Получение метастабильных сплавов металлов методом ионной имплантации (Дж. Поут).................................... 254 Имплантация легких элементов в металлы (Д. Калетта).......... 269 Ионная имплантация в сверхпроводники (О. Мейер).........'. ... 305 Цена: 150руб. |
||||