Транзисторы в микрорежиме. М., «Сов. радио»,".5 1978. 'i
136 с. с ил.
Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных устройств непрерывного и импульсного действия на транзисторах, а также устройств с использованием оптронов и пьезоэлектрических трансформаторов.
Книга предназначена для инженеров — разработчиков аппаратуры на полупроводниковых приборах и интегральных схемах и может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов.
Предисловие
В настоящее время вопрос о снижении мощностей, потребляемых и рассеиваемых радиоэлектронными устройствами, становится все более актуальным. Низкий уровень потребляемой мощности позволяет свести к минимуму рассеивание тепла в схемах и, следовательно, обеспечить большую плотность размещения элементов.
Снижение мощностей, потребляемых радиоэлектронными схемами, может решить проблему их микроминиатюризации. Так, снижение мощности до нескольких микроватт позволяет довести плотность монтажа до 105 элементов на 1 см3. При снижении ее до уровня нановатт, как показывает расчет, можно достичь плотности монтажа, близкой к плотности упаковки элементов в биологических схемах (например, мозг человека), т. е. до 107 элементов на 1 см3.
При сохранении размеров схемы снижение потреби ляемой мощности позволяет облегчить тепловой режим ее элементов, а использование полупроводниковых приборов в облегченных тепловых и электрических режимах, как известно, позволяет увеличить надежность радиоэлектронных устройств.
Работа радиоэлектронной аппаратуры в микрорежиме позволяет уменьшить энергию, потребляемую от источников питания, т. е. использовать микромощные источники. Уменьшение мощности источника питания, в свою очередь, значительно снижает габариты и массу источников питания и преобразователей, что упрощает систему в целом. Это наиболее важно при разработке автономных радиоэлектронных систем (особенно для летательных аппаратов). Стоимость таких систем окажется ниже стоимости более мощных аналогов.
Таким образом, снижение потребляемой и рассеиваемой мощности в радиоэлектронных схемах позволяет повысить надежность, уменьшить габариты и массу схем и источников питания, снизить стоимость. Кроме того, устройства с малой потребляемой мощностью отличаются повышенной безопасностью при их эксплуатации.
Дак известно, снизить потребляемую мощность мож-о. уменьшая напряжение питания и ра'бочие токи.
Оглавление
Предисловие.......... 3
Глава I. Биполярные транзисторы ........ 6
1.1. Вольт-амперные характеристики...... 6
1.2. Коэффициент передачи тока....... 16
1.3. Малосигнальные параметры....... 29
'1.4. Статическое входное сопротивление..... 31
1.5. Емкость эмиттерного перехода....... 35
1.6. Граничная частота усиления....... 40
1.7. Коэффициент шума.......... 45
1.8. Особенности микромощных транзисторов .... 50
Глава 2. Полевые транзисторы........ 54
2.1. Полевые транзисторы с р—«-переходом .... 54
2.2. МОП-транзисторы .......... 67
Глава 3. Особенности применения транзисторов .... 85
3.1. Особенности транзисторного ключа..... 86
3.2. Разновидности транзисторных ключей..... 97
3.3. Транзисторные усилители ........ 107
3.4. Транзисторные повторители........ 120
3.5. Особенности использования оптронов в транзисторных устройствах............ 125
3.6. Особенности использования пьезоэлектрических трансформаторов в транзисторных устройствах . . . . 128
Заключение.............. 132
Список литературы............ 133
Цена: 150руб.
