Математика | ||||
Пленки из элементоорганических соединений в радиоэлектроник-Корзо В. Ф М., «Энергия», 1973. 192 с. с ил. | ||||
Корзо В. Ф. и др.
66 Пленки из элементоорганических соединений в радиоэлектронике. М., «Энергия», 1973. 192 с. с ил. Перед загл. авт.: В Ф. Корзо, В. А. Курочкин, В. П. Демин. В книге рассматриваются возможности практического использования в радиоэлектронике неорганических пленок, получаемых разложением элементоорганических соединений (ЭОС). Основное внимание уделяется анализу возможностей создания активных и пассивных элементов микросхем на основе пленок из ЭОС, а также решению некоторых специальных задач методами пиролитической технологии. Книга предназначена для широкого круга специалистов, занимающихся изучением физических и технологических вопросов пленочной электроники, и может оказаться полезной для работников смежных отраслей науки и техники, связанных с проблемами нанесения неорганических пленочных покрытий. „331*173 „, ПРЕДИСЛОВИЕ Успехи современной электроники тесно связаны с развитием технологии тонких пленок. Пленки металлов, полупроводников и диэлектриков широко применяются в настоящее время для создания пассивных и активных элементов микросхем, проводящих и защитных покрытий, изоляции, пассивации и герметизации микроприборов. Наряду с усовершенствованием известных методов нанесения пленок, таких как термическое окисление, испарение в вакууме, катодное .распыление, анодирование и др., проводится интенсивный поиск новых способов, обеспечивающих улучшение качества и воспроизводимость параметров пленок, а также упрощение и удешевление технологии их получения. Одним из таких методов является метод разложения элементоорганических соединений (ЭОС). Метод разложения ЭОС обязан своим появлением бурному развитию прикладной химии элементоорганических соединений. В течение последнего десятилетия наряду с решением теоретических вопросов .наблюдалось внедрение в промышленность большого числа ЭОС и продуктов их разложения. Особенно благоприятные условия сложились для применения металлоорганических соединений (МОС). Последние успешно применяются для стабилизации полимеров и смазок, создания антидетонаторов и присадок к топливам, получения антисептиков v фунгицидов, пленочных покрытий. Систематизированный в книге материал посвящен одной из новых и весьма перспективных областей применения ЭОС — пленочной электронике. Метод разложения ЭОС в ряде случаев позволяет значительно упростить процесс получения пленок за счет снижения степени вакуума ,и температуры нанесения, не ухудшая при этом их качества, а также дает возможность преодолеть некоторые трудности при нанесения ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие . ............. 3 Глава первая. Получение пленок разложением элементо- i органических соединений ......... 3 ; 1-1. Общие замечания о методах разложения ЭОС в га- ' зовой фазе............ 5 i 1-2. Пиролиз ЭОС в вакууме........ 8 1 1-3. Пиролиз в инертной среде и среде активных газов . 9 1-4. Активационные методы разложения..... 12 j Глава вторая. Свойства металлических пленок ... 16 2-1. Пленки тугоплавких металлов....... 16 2-2. Металлические пленки Сг и Ni...... 21 2-3. Пиролитические пленки Си ....... 31 2-4. Легированные металлические пленки..... 34 2-5. Пленки хромовых керметов....... 37 Глава третья. Свойства диэлектрических и полупровод- , . никовых пленок............ 41 • . 3-1. Диэлектрические пленки S1O2 и АЬОз..... 41 '>; 3-2. Полупроводниковые пленки ZnO и 1п2Оз .... 63 ' 3-3. Полупроводниковые пленки соединений AnlBv и n A"BVI............. 85 "Глава четвертая. Пассивные элементы и пленочные покрытия из разлагаемых ЭОС........ 91 ii- 4-1. Линейные резисторы......... 91 К 4-2. Нелинейные резисторы......... 98 4-3. Пленочные конденсаторы......... 105 4-4. Грунтующие и просветляющие покрытия . . . . 111 4-5. Герметизирующие и пассивирующие покрытия. . . 114 Глава пятая. Активные электронные компоненты на основе пиролитических структур ......... 123 ; 5-1. Структуры с диодными характеристиками . . . 123 i 5-2. Диоды с отрицательным сопротивлением, элементы ' памяти............. 126 5-3. Варикапы и полевые транзисторы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник...... 147 5-4. Пленочные туннельные катоды ...... 150 5-5. СВЧ-устройства........... 156 включение.............. 171 1итература.............. 174 Цена: 150руб. |
||||