Математика | ||||
полевы транзисторы-Левин Л страниц 184, рисунков 137, таблиц 2 | ||||
Небольшая монография посвящена одному из классов полупро водниковых приборов — полевым транзисторам, которые благодаря ряду высоких параметров, в частности достигнутому у некоторых типов весьма высокому входному импедансу, получили широкое распространение в аппаратуре. Впервые в одной книге рассмотре^ яы физический механизм действия полевого транзистора, схемь замещения и характеристики прибора при различных включения? в усилительную цепь, вопросы применения транзисторов этого тиш в схемах усилителей звуковых и видеочастот, в качестве функцио нальных элементов аналоговых и цифровых вычислительных уст ройств. Уделено внимание технологии полевых транзисторов, в том> числе и использованию их и интегральных схемах. Кратко рас-] смотрены вопросы конструирования и применения полевых транзи-, сторов с изолированным затвором. Дано также теоретическое рассмотрение характеристик мощных полевых транзисторов, широкий^ выпуск которых промышленностью еще не начат. ,';
Круг читателей книги могут составить инженеры — разработчи ки схем на полупроводниковых приборах, а также студенты, опе-| циальностью которых будут полупроводники и их применения. ; В книге содержится: страниц 184, рисунков 137, таблиц 2, би блиографий 68 №№. ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ПЕРЕВОДУ С момента создания первого биполярного транзистора прошло сравнительно немного времени. За этот пери-ад создано большое число различных активных полупроводниковых приборов, однако- далеко не все из них нашли широкое применение в электронной аппаратуре. Полевые транзисторы — универсальные активные триборы, которые могут применяться в широком классе радиоэлектронных устройств: В настоящее время известны две разновидности полевых транзисторов: униполярные полевые транзисторы, так называемые полевые транзисторы с р-п переходом, и транзисторы со структурой неталл— диэлектрик (окисел) —полупроводник, так на-(ываемые МДП (МОП) транзисторы. МДП полевые-гранзисторы (в книге они называются «полевыми тран-исторами с 'поверхностным барьером») делятся на при-юры с индуцированным и встроенным каналами. Использование полевых транзисторов вместо ламп, :оторые они напоминают, и биполярных транзисторов юзволяет не только упростить электронные схемы, повысить надежность, уменьшить вес и габариты, но и создавать схемы, реализация которых на других активных приборах затруднена. Внедрение биполярных транзисторов вместо электрон-ых ламп привело к трансформации взглядов на схемо-•ехнику, совершенствованию методов анализа и расчета 'лектронных схем, Биполярные транзисторы отличались >т электронных ламп тем, что управление ими осуществлялось токовыми сигналами. Это не всегда оказываюсь удобным и ощущалась потребность в 'полупроводниковых приборах, которые бы по своим свойствам допол-'яли их. Такими приборами в настоящее время стали олевые транзисторы. В отличие от биполярных транзисторов работа поле-ых приборов основана на движении основных носители в полупроводнике,. управление током в выходной епи осуществляется управляющим напряжением, поэто-У их усилительные свойства характеризуются крутиз-°й. Они обладают высоким входным сопротивлением, Оглавление Предисловие к русскому переводу Предисловие автора 1. Теория униполярного полевого транзистора . . . 1.1. Свойства полупроводникового диода, на который подано обратное смещение........ 1.2. Проводимость полупроводникового стержня 1.3. Полупроводниковый стержень с р-п переходами 1.4. Ток в канале ,............. 1.5. Поведение полевого транзистора при перекрытом канале и в режиме насыщения . . 1.6. Некоторые критерии качества. Характеристика передачи ............. 1.7. Конструкция полевого транзистора, изготовленного при помощи двойной диффузии...... 1.8. Полевые транзисторы с поверхностным барьером Литература . ........... 2. Характеристики полевого транзистора . 2.1. Статические характеристики....... 2.2. Динамические характеристики...... Литература ............. 3. Полевые транзисторы в линейных малосигнальных схемах 3.1. Основные схемы усилителей на полевых транзисторах .............. 3.2. Расчет цепей смещения усилителей на полевых транзисторах ............. 3.3. Искажения в усилителях на полевых транзисторах •• 3.4. Широкополосные усилители звуковой частоты и видеоусилители .......... 3.5. Усилители с непосредственной связью . . . . 3.6. Полевые транзисторы в схемах высококачественного воспроизведения ........ . 3.7. Автоматическая регулировка усиления .... 4. Полевые транзисторы в нелинейных цепях . . 4.1. Схемы возведения в квадрат на полевых транзисторах . ........... - . 4.2. Полевые транзисторы в переключательных схемах . 4.3. Полевые транзисторы в качестве прерывателей и коммутаторов............ 5. Гипотетический прибор: мощный полевой транзистор с 5.1. Сравнение мощных полевых транзисторов и мощных транзисторов обычного типа . . • , , ' i.;. ч 180 52 Температурная стабильность и требования к задающему каскаду, ............ Hi 53 Гипотетический мощный полевой транзистор . . 144 54 Практическая схема усилителя низкой частоты . 147 5.5. Сервоусилитель.......... 15J 6. Другие применения полевых транзисторов .... 151 61 Усилители постоянного тока.......151 6;.2. Усилитель переменного тока....... 157 6.3. Электронные вольтметры....... 59 64. Генераторы колебании........ 61 65 Схема запоминания и хранения аналоговых сигналов 164 66 Стабилизированный источник тока, регулируемого ' ' по величине и направлению....... 166 ibie транзисторы в интегральных схемах . . , 168 ниполяоные полевые транзисторы . . . . . 170 олевые транзисторы с изолированным затвором . 176 . • . • • • • • • * * * 1 / У Цена: 150руб. |
||||