Книга предназначена для широкого круга научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся проблемами физической химии полупроводников и физикой твердого тела.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Некоторые задачи химии полупроводников (вступительная статья редактора
русского перевода)............................ 5
Предисловие к русскому изданию...................... 18
Основные обозначения........................... 19
Значения основных постоянных....................... 21
Соотношения между некоторыми энергетическими величинами......... 21
Г Л А В А I
X е и н е и. Физические основы теории полупроводников (Перевод С. В. Покровской) ................................... 23
Введение................................ 23
Электроны и дырки........................... 24
Энергетические зоны........................... 26
Полупроводники............................ 35
Доноры и акцепторы.......................... 37
Равновесие электронов и дырок..................... 42
Свойства носителей заряда ....................... 50
р—п-Переходы............................. 59
ГЛАВА II
Л е н д е р. Обзор химии полупроводников (перевод С. Б. Покровской)..... 64
Введение................................ 64
Собственные полупроводники (полупроводники i-типа).......... 64
Дефекты (несовершенства)........................ 74
Обзор химической теории дефектов.................... 88
Г Л А В А III
Т а н н е н б а у м. Выращивание кристаллов полупроводника. (Перевод Е. К. Васильева) ................................ У4
Введение................................ 94
Выращивание монокристаллов из расплава............... 95
Выращивание монокристаллов из раствора................ 124
Выращивание монокристаллов из парообразной фазы........... 12!)
Г Л А В А IV
Т ё р м о п д. Управление составом полупроводников методами кристаллизациии.
(Перевод В. С. Куцева).......................... 140
Введение................................ 140
Жидкая и твердая фазы при равновесии................. 141
Жидкая и твердая фазы в отсутствие равновесия. Кристаллизация .... 149
Влияние процессов переноса в жидкой и твердой фазах на состав...... 153
Влияние типа кристаллизационного процесса на состав твердой фазы . . . 156
Применения.............................. 162
ГЛАВА V
Ф у л л е р. Взаимодействия между дефектами в полупроводниках. (Перевод
В. Н. Васильева) ............................. 177
Введение................................ 177
Теоретические основы.......................... 178
Равновесия дефектов в полупроводниках................. 180
Процессы образования ионных пар и их кинетика............. 188
Другие ассоциированные комплексы................... 196
Образование соединений в полупроводниках............... 197
Г Л А В А VI
Рейс, Фуллер. Диффузионные процессы в германии и кремнии. (Перевод
Е. К. Васильева)........................... 202
Введение................................ 202
Основы процессов диффузии...................... 202
Измерение диффузии в полупроводниках................ 207
Изучение диффузии в германии и кремнии................ 212
Реакции, управляемые диффузией.................... 229
Осаждение меди, никеля, лития в германии и кремнии.......... 232
ГЛАВА VII
Томас. Химия некоторых полупроводниковых соединений. (Перевод Л. Н, Куце-
еой) ................................... 242
Введение................................ 242
Общие представления о дефектах в кристаллах............. 243
Экспериментальные приложения.................... 251
ГЛАВА VIII
Г е б э л л. Полупроводники IV группы. (Перевод В. А. Шишкина)...... 280
Введение................................ 280
Электрические свойства чистого германия и кремния........... 281
Действие примесей и дефектов..................... 295
Изотермические явления переноса.................... 305
Особенности термического переноса зарядов............... 325
Другие свойства германия и кремния.................. 333
Другие полупроводники IV группы................... 335
ГЛАВА IX
У и л а н. Свойства ковалентных полупроводников. (Перевод В. С. Куцееа) . . . 341
Введение................................ 341
Соединения элементов III и V групп .................. 341
Соединения элементов V и VI групп (А^ Bj1).............. 363
Соединения элементов II и IV групп (А^1 BIV)............... 369
Теллур, селен и бор.......................... 371
ГЛАВАХ
X р о с т о в с к. и и. Инфракрасное поглощение в полупроводниках. (Перевод
Е. К. Васильева)............................. 380
Введение................................ 380
Методы экспериментального исследования................ 380
Электронные переходы между зонами.................. 381
Поглощение кристаллической решеткой .................. 393>
Поглощение свободными носителями заряда.............. 396
Определение эффективной массы..................... 399
Примесные состояния.......................... 401
Электрически-нейтральные примеси.................... 410
Фотопроводимость ........................... 413
Г Л А В А XI
Ш у л ь м а н. Рекомбинация и захват. (Перевод Е. Н. Васильева)....... 417
Введение................................ 417
Рекомбинация носителей........................ 417
Захват носителей ............................ 432
ГЛАВА XII
Хобстеттер. Влияние дефектов решетки на свойства германия и кремния.
(Перевод Е. Д. Щукина)......................... 438
Введение................................ 438
Классификация дефектов....................... 438
Элементы теории дислокаций ..................... 442
Дислокации в германии и кремнии..........'........ 451
Влияние дефектов на свойства полупроводников............. 458
ГЛАВА XIII
X а т с о н. Полупроводниковые свойства некоторых оксидов и сульфидов.
(Перевод В. Н. Васильева) ........................ 466
Введение................................ 466
Специфические особенности поликристаллических образцов....... 467
Роль поляризации решетки...................... 475
Окиси щелочноземельных металлов................... 484
Соединения типа вюрцита и цинковой обманки.............. 494
Сульфид, селенид и теллурид свинца.................. 506
ГЛАВА XIV
Мори н. Оксиды переходных Зс?-металлов. (Перевод В. Н. Васильева)..... 515
Введение................................ 515
Антиферромагнетизм [9] ........................ 517
Атомные орбиты и внутрикристаллическое поле [22]........... 520
Sd-зона................................. 524
Относительные энергии 4s-, 3d- и 2р-уровней.............. 528-
Закись никеля NiO.......................... 532
Окись железа Fe203.......................... 537
Перенос зарядов по З-d уровням...................... 538
ГЛАВА XV
Г э р р е т т. Органические полупроводники. (Перевод Л. Н. Куцевои)..... 541
Введение................................ 541
Обзор экспериментальной техники ................... 543
Измерения на порошках и конденсированных из пара пленках...... 544
Полупроводники-монокристаллы..................... 549
Фотопроводимость монокристаллов.................... 554
Роль примесей............................. 556
Другие экспериментальные данные................... 557
Выводы на основании экспериментальных данных............ 562'
Теоретические соображения....................... 563.
Некоторые перспективы......................... 569
Приложение.............................. 570
ГЛАВА XVI
Л о у. Поверхностные свойства полупроводников. (Перевод В. И. Васильева) 575
Введение................................ 575
Поверхность полупроводника..................... 576
Адсорбция на полупроводниках ..................... 585
Электрические измерения на чистых поверхностях............ 599
ГЛАВА XVII
Д е в о л д. Электрохимия полупроводников. (Перевод Ю. В. Плескоеа) .... 61!i-
Введение................................ 61!»
Условия равновесия.......................... 62(ь
Электродная кинетика в квазиравновеспых условиях......... . 627
Германиевый электрод......................... 631
Электроды из других полупроводников................. 637"
Кинетика коррозии, травление..................... 037
Авторский указатель...................... 641
Предметный указатель..................... 651>
Цена: 600руб.
