Е60 Примеси и точечные дефекты в полупроводниках/ Под ред. профессора/ С. М. Рывкина]. — М.: Радио и связь, 1981, 248 с., ил.
В пер.: 2 р. 50 к.
Излагаются результаты исследования примесей и точечных дефектов в алмазоподобных полупроводниках. Некоторые разделы книги написаны сжато, более подробно рассмотрены новые аспекты проблемы образования и миграции дефектов. '
Для научных работников и инженеров соответствующих специаль-
НОСТ6Й.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Хорошо известно, что наиболее важные с практиче ской точки зрения свойства полупроводников определяются природой и концентрациями дефектов кристалли ческой решетки, к которым могут быть отнесены и примесные атомы. ~
Большие успехи достигнуты в последние годы в изучении мелких примесных центров в полупроводниках ее структурой типа алмаза. Развитие теории привело к возможности расчета энергетических спектров примесны> атомов III и V групп периодической системы в кремнии и германии. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии *с экспериментом. С другой стороны, сведенш о поведении примесных атомов, обладающих глубокими энергетическими состояниями, существенно менее полны, во многом противоречивы. Наконец, представления о свойствах простейших собственных дефектов (вакансий и межузельных атомов) являются еще менее устоявшимися. Сказанное в такой же мере относится и к разнообразным комплексам этих дефектов с примесными атомами. Последние зачастую обладают большой устойчивостью и оказывают определяющее влияние на электрические, оптические и другие важные параметры полупроводников. Отметим, . что исследования свойств примесей являются традиционными для физики полупроводников.
В настоящее время широкое применение полупроводниковых приборов в ядерной и космической технике стимулирует интенсивное изучение дефектов, возникающие в полупроводниках под действием радиации. Однако в научной литературе вопросы, посвященные свойствам
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Предисловие.............. 3
ЧАСТЬ I. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ИХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР И МИКРОСТРУКТУРА
Глава 1. Собственные дефекты кристаллической решетки
в полупроводниках ..... ..... 7
1.1. Пары Френкеля ...........8
1.2. Теоретическое исследование электронной структуры вакансий и собственных межузельных атомов . . 15
1.3. Экспериментальное исследование собственнных точечных дефектов в полупроводниках ..... 29
Глава 2. Примеси, примесные центры и комплексы примесных атомов с собственными дефектами в алмазоподобных полупроводниках ...........55
2.1. Примеси I группы......... 56
2.2. Примеси II группы....... . • . 64
2.3. Примеси III группы........ 68
2.4. Примеси IV группы......... 74
2.5. Примеси V группы......... 78
2.6. Примеси VI группы......... 89
2.7. Примеси VII группы........ 100
2.8. Примеси переходных металлов...... 101
ЧАСТЬ II. ОБРАЗОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ
Глава 3. Образование дефектов в полупроводниках при возбуждении электронной подсистемы кристалла . . '. 107
3.1. Типы возможных подпороговых механизмов . . 108
3.2. Экспериментальные исследования образования дефектов в полупроводниках при подпороговом облучении . . ............116
3.3. Проявления примесного ионизационного, механизма дефектообразования при надпороговом облучении . 122
Глава 4. Образование дефектов в полупроводниках при упру-
гОм рассеянии электронов ......... 126
4.1. Взаимодействие у-квантов с веществом . . . 127
4.2. Образование дефектов под действием быстрых электронов .............130
4.3. Зависимости пороговой энергии и сечения образования первичных дефектов от параметров материала и условий облучения .......... 139
Глава 5. Движение собственных дефектов в кристалле . . 144
5.1. Самодиффузия в германии и кремнии .... 146
5.2. Миграция вакансий и межузельных атомов в кремнии и германии . . , ., . , . . . . . 151
247
Стр.
5.3. О радиационно-ускоренной миграции в полупроводниках ..............154
Глава 6. Кинетика образования дефектов при облучении 162
6.1. Основные закономерности процесса образования вторичных дефектов ........ . . 162
6.2. Кинетика образования первичных собственных дефектов структуры .......... 163
6.3. Кинетика дефектообразования в условиях, когда дефекты создаются только вблизи примесных атомов 165
6.4. Кинетика дефектообразования при взаимодействии одного компонента пары Френкеля с атомами примеси одного типа.........- . . . 166
6.5. Кинетика дефектообразования в случае, когда примесные атомы являются центрами аннигиляции вакансий и межузельных атомов....... . . 171
6.6. Кинетика дефектообразования при последовательном захвате, атомом примеси нескольких первичных дефектов одного типа . . ... . . - .' . . . . 174
6.7. О зависимости скорости образования дефектов от интенсивности облучения . . .".....178
Глава 7. Взаимодействие собственных дефектов с примесями
при облучении и отжиге.........'180
7.1. Алмаз и карбид кремния....... 181
7.2. Кремний......... . . . . . 184
7.3. Германий........... 192
7.4. Соединения А™В^......... 203
7.5. Соединения А "Вvl......-. . . 211
7.6. Теллур ............ 213
Список литературы . •........... 215
Цена: 150руб.
