Нестоящий сборник является 9-м выпиской трудов Всес юано-го семинара "Получение и свойства тонких пленок", проводимого в Институте проблем материаловедения АН УССР в 1982 г.
В сборнике представлены результаты исследовательских работ по изучению методов получения и свойств тонких пленок окислов, нитридов и некоторых других соединений, перспективных в электронной и оптической промышленности.
Сборник рассчитан на инженерно-технических и научных работников исследовательских институтов и промышленных предприятий, может быть полезен аспирантам и студентам старших курсов по специальности микроэлектроника и вычислительная техника.
К ВОПРОСУ РЕАКЦИОННОГО СИНТЕЗА ТОНКИХ ПЛЕ'^К ОКИСЛОВ А.Ф.Андреева
Пленки тугоплавких окислов находят широкое применение в электронной и оптической промышленности в качестве диэлектрических слоев в конденсаторах ( **g05 * si°Z • ^г0? )' ПР°8Р8ЧНЫХ кон-тзктов ( snOg , tagO. ), просветляющих слоев ( вто2 , тк>2 ), иао-г-рувщих я защитных покрытий.
Несмотря яе широкое использование пленок окислов, проблема^ получения их в настоящееОремя решена далеко не полностью. Известно, что термическое исправив окислов приводит к их частичной диссоциации, а следовательно, и к нарушению стехнометриче-ского состава пленок и ухудшению их параметров. Ионно-плааменные методы получения оксидных пленок не обеспечивают высокой скорости осаждения, кроме того, рост пленок под действием бомбардировки заряженными частицами в ряде случаев является нежелательным из--а повреждения поверхности пленки, локального пробоя, повышенной дефек*нооти структуры конденсаОв.
В литературе неоднократно отмечалась перспективность метода реакционного синтеза для получения диэлектрических окисных слоев /1-7/. Этим методом были получены пленки окислов кремния /2,5-7/, титане /V, тантала У8/, цинка /9/, редкоземельных металлов /Ю,П/. Отмечалась перспективность реакционного испарения окио-лов как метода, позволяющего получать диэлектрические слов о большой скорость» (~200 ни/мин), при невысокой температуре яон-денсации (Тп «- IOO-200°C).
Однако до настоящего времени широкого распространения метод реакционного синтеза яе получил. По-видимому, это связано о еопа-рчтурными трудностями. Традиционный метод получения пленок с во-г'ользованием электронно-лучевой пупки с иакальнык катодом в
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
К вопросу реакционного синтеза тонких пленок
окислов. АЛ. Андреева ...... ..... .. ..... В
Применение методов моделирования на ЭЗ/J к изучепоессов оста пленок. А.Н.Коган, Р.В.Бочковэ..
нию процессов роста
7
Моделирование на Э31.1 процесса взаимодействия кремния с кислородом. А.Н.Коган, 6.И«Дьпконозз, Н.П.Тростина 12 Кристаллической струкг;ра и (Тизические свойства тонких пленок tg03 и сад- ,'легированных инд/леи и оловом. И.Я.Гвльчан ...1............................. 17
Свойства пленок StOj -РЗЭ в сильных электрических полях. Н.А.Власенко, В.С.Хоиченко, В.А.Ролик ....... 2"
Некоторые физические своистаа тонких пленок DygO ~" О.А.Сиворонов, А.О.Матковекий, Н.С.Зобовв, Ю.СЛ бий, Б.Н.Копко .... ---.,--....».».
Исследование
НОК ОКИСИ аЛЯШШИЯ. V/.O.MCjtMUt/aiivnu/,, ».„,_„,,------,
Л.Ц.Ревелева, В.Ф.Сыноров --.................... 80
Исследование стабильности диэлектрических и
иых пленок на основе двойных окислов Р8М.
М.Н/'иганов........................................ 88
Некоторые свойства терморезисторов на основе пленок окислов PSij. А.Ф.Андреева,-И.Я.гиль:лан, В,И.Дёхтя*.
- , . , _ - i л. i
окислов PSij. А.Ф.йндреева, n.n.in.'iD.^a», u....nv«...
рук............................................4... 86
Характеристика методов получения и основные свойства
полупроводниковых нитридов. И.Г.Пичугин............ 89
Коисталлизация нитрида алюминия в системе А1-нс1-41Нз-А1 . И.Г.Пичугин, А.й.Царегородцев.. 48 Влияние некоторых факторов на процесс кристаллизации нитрида гпллня. В.В.Цалиновскип, Л.А.Марасина, .
И .Г.Пичуги.1......................................•: W.
О некоторых особенностях кристаллизации нитрида
галлия из жидкой фазы. И.Г.Пичугин, У.Панен ......... 19
Влияние условий эпитаксии и легирующих примесей на
внутренние напрянения в гомоэпитаксиальных слоях
GaiAe . Н.Д.Василенко .......................*»••••• &1
Влияние эаитаксиальиого слоя на механические свойства монокрисмллического арсенида галлия. О.К.Городничен-
КО..........,................г...............«...»••»
УниЕерсальш.!; tioiiiiuii нсгочаик для корректировки резистивнц:-: струкгуп интегралъних схем. Ю.О.Глухой. А.С.Оиипко, А.Г.Ере^опко.......................... 59
Установка для получения эпитаксйальныз* пленок тугоплавких соединение методой ионной бомбардировки. Г.Г.Гиелесиани, Т.У.Капанадзе, Ц.А.Кацитадзе, Д.И.Багдавадзе, Р.А.Цхадая .*......................
62
Исследование электрических характеристик переключающих кремниевых ВДП (р-ъ )-отруктур с окислои диспрозия. О.Ф.Фсп-:ичева, l.u••.,Свердлова, З.И.Кирьяшкина 65
Получение и исслед-овбние адсорбционных свойств тонких пленок на основе двуокиси циркония и пятиокиси киобин. С.П.Голубков.............................. ?о
Свойства ЬЩП-структур с окислами РЗЭ на основе вы-сокооыного креиния. В.И.:,1итин, А.М.Сиердлова, С.И.Сергеева...................................... 72
влектроиограДйческОе изучение структуры электрохром-ных пленок *0, . В.В.Клечковская, В.В.Удалова, С.и.Щкорняков, С.А.Семилетов...................... ?5
К вопросу о получении и кристаллической структуре пленок ошсла золота. Р.В.Баранова, Ю.П.Ходырев, В.В.Удалова, С.А.Сеиилетов........................ 78
Состав слоев скандивта иттрия, полученных электрон-
ио-лучевик методой, г.ц.Климова, З.А.Ускова,
А.Н .вилянина, Ю.В.Гаърнлов........................ 84
Свойства тонких пленок ниобата бария-стронция, полученных методой ВЧ-раопиления. Р.Н.Коыун ........ 88
Иесл дерзание фаг вого состава и электросопротивления пленок иттрия. И.Е.Проценко, В.Г.Шаионя, А,В.Яременко...................................... 92
Полупроводниковой датчик давления и исгследование влияния режимов получения не его чувствительность, а.Т.Вандурина..................................... 95
О корреляции между условиями получения и онтически-ии хервктбристинаий конденсатов А1. О.Й.Анпияогов, В.М.Недоступ, Н.Н.Сиирнова ........................ 98
О разрушении тонких металлических пленок излучением
f вверь» О.Й.Днпилогов, И.М.иихайленко, Н.Л.Счирнова, .ВДвненко........................................ Ю2
Конввктианвя лийуаия в рэзбаалвннои растворе.
Ю.Л.Ильин, Й.В"боловьвв............................ 108
Анивиропяя удельного сопротивления ферромагнитных пленок, связанная оо вавиикой ориентацией ааправл*-"ий сои легкого найВгничивания ч плотности тока.
ецкий, Г.Оевиа............................ 106
- 152 -
Исследование Лорнирования окисшх слоев на поверхности И., И.Но.7- M-Mt ПВэ| Mfci2t TiC, в атмосфере разреженного молеюлпрного и атомарного кислороде. И.Н.Францевич, В.Л.Тикуш, В.М.Юр, В.М.Верещак....................................... III
Исследование контактов золото-алюминий не кремниевой подложке. Г.К.Абрамян, СД.Есаян.............. 115
Кристаллическая структура, оптические и механические свойстве тонких пленок те и вi• И.Я.Гильм8н, В.М.Сологуб .................,......... 119
Получение и некоторые свойства тонких пленок окиси цинка. В.А.Андрийчук, Р.Н.Ковтун, М.В.Нилиянчук..... 122
Оптические свойства черных хромовых и черных никелевых покрытий. Н.В.Андрееве......................... 126
Светопоглощающие металяодиэлектрические слои, В.И.Левитина....................................... 181
Исследование фазового состава и электрических свойств пленок ванадия, полученных в высоком вакууме, С.В.Петренко, Й.Е.Проценко, М.Д.Сиодин, В.Г.Шаионя... 133
Влияние состава газа на скорость реактивного ионного травления пленок двуокиси кремния. В.Я.Айваэов, А.М.Йемой.......................................1... 187
Особенности реактивного ионного травления пленок алюминия. В.Я.Айвааов, В.Ю.Скяабинский, В.Г.Шапка ... 189
Химическое взаимодействие титана и циркония о рй'з-'
реженным молекулярным азотом. Л.А.Гришнова,
B.I.T. куш.......................................... 148
Некоторые свойства монокристалличеоких пленок окиси иттрия. В.А.Огородник, Н.А.Квцитадае................ 145
Содержание......................................... ISO
Цена: 150руб.
