профессор ТКАЧЕВ В.Д. (ответственный редактор) доцент ДОБРЕГО В.П. доцент ДОНАНКВСКИЙ Д.С. доцент ЛОМАКО В.М. доцент СТЕЛЬМАХ 8.Ф.
Нестоящий сборник содержит расширенные тезисы докладов Всесоюзного Симпозиума "Радиационные дефекты в полупроводниках", проходившего 20-22 сентября 1972 года в гор. Минске.
Представленные доклады охватывают наиболее актуальные вопросы радиационной физики полупроводников.
I» Энергетический спектр, природа и структура радиационных дефектов.
2. Кинетика накопления к отжига дефектов (включая термодефекты)
3. 1(аналиров8нне и локализация ионов внедрения. Предназначен для научных работников и инженеров, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Будет также полезен аспирантам и студентам старших курсов соответствующих специальностей.
О РЛУ.ЯНИИ ОБЛАСТЕЙ РШПОРЯДОЧШЯ НА РЕКОМБИНАЦИЮ В ПОУЧЕННОМ ПРОТОНАМИ р-КРЕШШ
К .С .АЗИМОВ, С,М.ГОРОДЕЦКИЙ, Г.М.ГРИГОРЬЕВА, Л.Б.КРЕЙНИН, А.П.ЛАНДШН
В настоящем сообщении предлагается модель протонного повреждения кремния, учитывающая роль областей раэупорядочония, тачечных дефектов л нерезеррордовский характер рассеяния протонов.
Срзди большого количества работ, посвященных исследовании влияния протонного облучения :ш рекомбинацию в 5» , линь в двух /1,2/ рассма-эривзется энергетическая зависимость эффективности введения рекомбинэ-циошшх центров в широком интервале энергий. Полученные в этих работах рзгуныаты не согласуются между собой.
Б настоящей работе представлены результаты экспериментов по облуч8~ нию образцов Si протонами с Е « 0,5 + 95 !.!эв и их откигу. Образцы были вшшлноны из р- Si с р = I ок.см в виде фотоэлементов с тонким поверхностным п-словы. Длина диффузии неосновных носителей ?и в р-области образцов определялась исходя из абсолютной величины фототока к.з. при освещении светом о Л - 1,0 мкм с изцветной интенсивность». При облучении протонами с малой длгпой пробега L» расочитивзллЬъ, как это описано в /3/. В этих измерениях уровень инжекции ДИ/р044< I. Ошибка при определении абсолютной величины L,, не превышала IO/&, относительной ~ 3%. Точность определения потока бомбордируюпих протонов была не хуже, чем 10-20$.
Во вязы исоледоваином диапазоне энергий ?мненялась с потоком облучения « в соответствии с соотношение» Д (1/ Си ) ~ "t*i гИе Kt ~ так. называемой иоэ^иицивнт попреждония.
На рис Л представлена экспериментальная энергетическая зависимость эффективности повреждения в виде Kt(S). Ход Kt(E) * целом согласуоюя о данными, полученными в /I/. До настоящего вронони не получило оСъяс-яенич отклонение экспериментальной зависимости Kt(E) от закона Kt~E~, который ожидается, если продпологсить, что протоны рассеиваются не Резер4.орду и рекомбинация определяется точечными дефектами. Однакс наличие низкотемпературной стадии на кривых отжига облученних протонами образцов (рис.2), согласно существующим предстзвлешям, свидетельствует о значительной ролл областей раэупорядочогаш и рекомбинации. Видно, что вклад таких дефектов растет с энергией протонов.
Наин была рассчитана энергетическая зависимость эффективности протонного повреждения p-5i с учетом рекомбинации неосновных носителей через оба введенных облучением тин» дефектов. В расчете сечения рассеяния протонов с энергией Е„< 10 Мав полагались реэерфордовскяьи, а :Ф« Ер ^ [0 Иэв использовались, подобно /Ч/, экспериментальные дальне, удоалегвопиющие "ояткчеек«к кодепк" рассеяияа протонов. Предпо-
ОБЛУЧЕНИЕ ИОНАМИ
И.А.Аброян, B.C.Беляков, О.А.Подсвиров, А.И.Титов, В.А.Шульбвх. Вторично-эмиссионные исоледавания структурных дефектов в германии, обучаемой ионами инертных газов .............. 200
В.И.Бандиков, Р.И.Гарбер, А.К.Гнал, В.Н,Ткач, А.И.Федорвнко, Исследование оптического излучения кремния при ионной бомбардировке ...............,............. 203
i1.ll.Белый, Г.А.Гуманский, Н.А.Гордевв, В.Г.Кириленко,
В.С.Соловьев, Ю.П.Попов. Топографическое и рентгенодифракцион-
ное изучение структуры ионно-ямплактированного кремния ..... 205
В.А.Ботвин, Ю.В.Горелкипский, В.А.Кудряжов, В.О.Сигле. Радиациок-
. . 208
ные повреждения в монокристаллах кремния при внедрении ионов 1Г He+f больших анергий ...........
Ю.В.Булгаков, С.М.Разумовский. Об особенностях электропроводности кремния, облученного быстрыми ионами гелия ........ 211
В.К.Васильев, А.И.Герасимов, Е.И.Зорин, П.В.Павлов* Д.И.Тетель-баум. О влиянии условий облучения на критическую дову аморфи-зации и положение аморфного слоя при ионной бомбардировке кремния и германия ....................
Р.И.Гарбер, А.К.Гнап, А.И.Федоренко. Рздиационно-стиыулирован-
ине эффекты в кремнии при ионной бомбардировке ......... 216
Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, Н.Б.Придачин, С.И.Романов, Л.С.Смирнов. Дефекты в полупроводниках при бомбардировке
гяжелими частицами ....... .
*........* . 218
Б.Й.Зорин, П.В.Павлов, Д.И.Тетельбаум, А.Ф.Хохлов. Исследование высокотемпературного отжига радиационных дефоктрв в кремнии облученном ионами элементов У группы ( А/ , Р , /S, 5$).....221
Е.И.Зорин, П.В.Павлов, Р.Б.Кудрявцева, М.А.Мочалова, Л.П.Белова. Влияние ионной бомбардировки на структуру пленок сернистого
свинце.............,...............2Н>
282
Ф.Ф. Комаров, М.А.Куиахов. Упругий и неупругие помри анергия тяжелых каналировчнных ионов ...... , . . , .
В.Г.Мацевич, Г.К.Зырянов. Исследование каруигений при облучении нонами гелия с энергией до Т кэв поверхности [JOOJ/J^5 '*LiF
• методом ДМЭ ...,......,,... ...... . . - - 226
Ю.Л.Лисовский. О влиянии каналипованип на распредеяение атомов примеси ........
д-р Г.Гетц, диплом, физики Р.Ендтер (г.Иекн, ГДР] пероключоиия в аморфиаирозанных слоях кремния ...... 232
А.Ф.Аккерман, В.А.Ботвин, Применение машинных методов
расчета в радиационной физике полупроводников ........ • • 25?
А.И.Баранов, Л. С, Смирнов. Резонансное рассеяние носителей
на разупорядоченных областях в полупроводниках ,,.,,.•<• — '
В.В.Болотов, А.В.Васильев, Л.С.Снирнов. Влияние условий облу~ чения на процессы накопления радиационных дефектов в полупроводниках ................... . ....... 239
Н.Ш.Дкандиери, А.А.Церцвадве. Теория рассеяния носителей заряда
на скоплениях дефектов в полупроводниках ...... ....•• 2W
С.П.Кальвенас, Л.С.ШеЙкис. Об одной воаможности определения скорости тепловой генерации в полупроводника
В.И.Ппнов, Л.С.Смирнов. Пороговая энергия, оё температурная вависимость и анизотропия ..... . ...........
Л.С.Смирнов. Генерация и трансформация радиационных дефектов в полупроводниках . , ......... . ...... ,...
З.Вернвр, Х.Жевуски, А.Н.Кряйчинский, Я.Суски. О природе дефектов в германии, облученном электронами при течпзрахуре жидкого азога ................... . , . -
283
Ю.В.Акипов, В.М.Ленченко. Структура областей разупорядочения
в мовокристаллах Ge и Si ....-................253
Л.Г.Зотова, П.Ф.Кроывр, Л.П.Хизниченко. Взаимодействие
скоплений дефектов с дислокациями в кремнии ......... - . 255
it.H.Citpoia. Ф.П.Коршунов. Г.Ц.Иванов, Г.И.Барваьна. Исследование процесса отхига облученных кристаллов кремния и зпитаксиальннх кремниевых пленок ................ 257
Н.Н.Сирота, Ф.П.Коргаунов, Л.Ю.Райнес. Влияние электронног<;
и нейтронного облучения на высокоомный кремний ........ . 259
Н.Н.Сярота. Г.Ц.Иванов, Ф.П.Коршунов. Влияние рззупорядочен-ных областей на скорость изменения удельного сопротивления кремния при облучении протонами .............. 262
Н.Ф.Курилович. Влияние температуры облучения на электрические свойства арсенида галлия.................261»
В.ДДкачев, Н.У.Исаев, М.Ш.Карсыбаев. Об энергетическом спектре радиационных дефектов в кремнии п-типа, облученном нейтронами с. энергией 14 Мэв.................266
И.А.Кринов, С.В.Мялпнов, В.Г.Мелев. Аномальное поведение
холловской подвижности носителей в арсениде галлия,
облученном электронами . . ,................... 268
В.Н.Брудный, М.А.Кривов, В.П.Редько. Спектры оптического
поглощения CkiAs , облученного большими интегральными
потоками электронов, протонов и оС - частиц ........... 279
К.А.Крймер-Агеев, С.С.Огородник, В.Д.Понов, Ю.Л.Цоглин.
О нейтронной экспозиции при изучении радиационных
мсврцждзний материалов в ядерных реакторах ........... 272
Б.А.Крамер-Агеев, П.А.Миронов, В.С.Троиин. К сравнению
результатов исолодования радиационного воздействия
кейироипшс потоков на полупроводники...............27?
Цена: 150руб.
