В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразовапия. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть -согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.
Рис. 157. Табл. 21. Библ. 700 назв.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие......... . . . '. 5
Принятые сокращения........ . 8
Глава 1. Представления о простейших дефектах ... 9
§ 1. Точечные дефекты .... ...... 9
ij 2. Методы расчета электронной структуры дефектов в кристаллах ........... . 13
Глава 2. Элементарный акт образования и миграции дефектов ..... ...... 24
§ 1. Дефектообразование (общие вопросы)..... 24
§ 2. Допороговое образование дефектов...... 40
§ 3. Термофлуктуационное смещение атомов..... 45
§ 4. Теоретические модели высокотемпературной диффузии 53
§ 5. Квантовые эффекты в диффузии атомов..... 59
§ (>. Понятно о низкотемпературной стимулированной диффузии (ПОД)............ 63
Глава 3. Современные представления об образовании и миграции дефектов в кристаллах ..... 69
§ 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке . 69 § 2. Эксперименты по низкотемпературной миграции и фо-
тостимулированным процессам....... 78
§ 3. Радпационно-стимулированная диффузия .... 89
Г л а в а 4. Допороговое Дефектообразование в атомарных полупроводниках .......... gs
§ 1. Допороговые эффекты в Ge и Si . . . . . . 99
§ 2. Общие закономерности допорогового эффекта '. . . 112
S 3. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями 131
Глава 5. Допороговое Дефектообразование в бинарных полупроводниках .......... 143
§ 1. Образование и миграция радиационных дефектов в CdS 143 3 i. i адиационные изменения в CdS в процессе возбуждения
когерентного излучения ... 160 S 3. Допороговые эффекты в InSb и других'бинарных'ма-
ТврИЙЛйХ . A nrj
§ 4. Фотостимулированныё процессы образования и' преобразования дефектов в CdS........ J78
§ 5. Допороговые эффекты в облучаемых ионами полупроводниках ..............182
Глава 6. Влияние излучения на диффузию в полупроводниках .............189
§ 1. Влияние радиационных дефектов на термическую диффузию ..............189
§ 2. Экспериментальные проявления стимулированной излучением диффузия атомов.........202
§ 3. Низкотемпературная миграция атомов в Si . . . . 215
§ 4. Влияние электронных возбуждений на низкотемпературную миграцию атомов..........236
§ 5. Низкотемпературная миграция при воздействии ионов
малой и средней энергии.........259
§ 6. Особенности низкотемпературной миграции атомов . 268
Глава 7. Активационные процессы при ионной имплантации .............279
§ 1. Физические основы ионно-лучевого легирования полупроводников ............279
§ 2. Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых
ионной бомбардировке, и явление аморфизации . . . 285
§ 3. Синтез полупроводниковых соединений и структур с использованием ускоренных ионов.......289
§ 4. Электрические свойства ионно-легированных полупроводников ..............292
§ 5. Лазерный и электронно-лучевой отжиг имплантированных слоев в полупроводниках.......302
Глава 8. Образование и миграция атомных дефектов в некоторых прикладных задачах......309
§ 1- Деградация полупроводниковых излучателей оптического диапазона............310
§ 2. Влияние ударной волны на полупроводниковые материалы ..............316
§ 3. Микромеханизмы естественного старения полупроводниковых материалов и приборов . ..... 319
§ 4. Низкотемпературная стимулированная адгезия . '. '. 323
§ 5. Вопросы радиационной стойкости при воздействии низкоэнергетических излучений........325
Заключение............ 330
Литература........... 332
Дополнение при корректуре.........361
ПРЕДИСЛОВИЕ
С возникновением и развитием физики радиационных воздействий на полупроводники*) открылись новые возможности изучения свойств дефектов и механизмов их образования. До шестидесятых годов в основном происходило накопление результатов, связанных с радиационными изменениями макроскопических характеристик твердых тел. В последующем были разработаны методики и подходы, позволившие получать разностороннюю, а в ряде случаев однозначную информацию о характере элементарного акта дефектообразования. Важную роль здесь сыграли исследования спектров ЭПР и ЯМР, прямые электронно-микроскопические наблюдения, кинетические исследования, использование эффекта Мёссбауэра.
К настоящему времени сложились общепринятые представления о первичных процессах радиационного дефектообразования и вторичных квазихимических реакциях, приводящих к появлению относительно устойчивых комплексов. Эти представления носят достаточно общий характер и могут быть приведены в систему.
Изданные в нашей стране и за рубежом монографии отражают упомянутый выше этап развития радиационной физики твердого тела. Можно в качестве примера привести монографии [1—4]. -
В последние годы вышли новые книги, в которых большое внимание обращено на микроскопические механизмы атомных смещений [9, 10].
Особый интерес сейчас проявляется к процессам смещения атомов при сравнительно небольших энергиях воздействующего излучения. Имеются в виду энергии, близкие к порогу упругого выбивания атомов или ниже
Цена: 150руб.
