93 Э. М. Ромаш, Ю. И. Драбович, Н. Н. Юрченко. П. Н. Шевченко. — М.: Радио и связь, 1988.—288 с.: ил.
ISBN 5-256-00082-9.
Рассмотрены основы теории и проектирования высокочастотных транзисторных преобразователей, используемых в средствах вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Особое внимание уделено быстрым процессам коммутации полупроводниковых приборов, вопросам стабилизации выходных напряжений преобразователей и методам их расчета.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и эксплуатацией средств вторичного электропитания РЭА.
n>lnononnnn .107
ПРЕДИСЛОВИЕ
Основная область практического применения высокочастотных транзисторных преобразователей — это средства вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), которые представляют собой совокупность транзисторных преобразователей и предназначены для преобразования электрической энергии, потребляемой данной аппаратурой, в вид, необходимый для ее нормального функционирования, и для улучшения параметров потребляемой энергии. Преобразовательные устройства этого типа обеспечивают необходимые шкалы вторичных питающих напряжений постоянного и переменного токов, стабилизацию или регулирование их значений в соответствии с маломощным управляющим сигналом, требуемую форму и частоту напряжений на нагрузках переменного тока, эффективное сглаживание пульсаций и подавление электромагнитных помех во вторичных питающих цепях постоянного тока, электрическую изоляцию питающих цепей друг от друга и от первичного источника электрической энергии.
Являясь неотъемлемой частью любой РЭА, средства ее вторичного электропитания и, в частности, высокочастотные преобразователи в значительной степени характеризуют ее массогаба-ритные показатели и энергопотребление, надежность и время готовности к работе. Поэтому на всех этапах развития радиоэлектроники обязательным условием поддержания высоких темпов технического прогресса было непрерывное совершенствование транзисторных преобразовательных устройств, высокие темпы улучшения их эксплуатационных показателей в части массы и габаритов, надежности и долговечности, потерь электрической энергии и экономичности, быстродействия, электромагнитной совместимости с питаемой аппаратурой и первичным источником
электрической энергии.
Тем не менее в последнее время стало очевидным заметное отставание источников вторичного электропитания РЭА от тех требований, которые предъявляет современный уровень развития радиоэлектроники и автоматики. Так, относительная доля средств вторичного электропитания увеличилась до 20—50 % и более, а потери мощности электрической энергии в полупроводниковых преобразователях составляют до 30—50 % от суммарного количества энергии, потребляемой аппаратурой.
Создавшееся положение обусловлено широкой микроминиатюризацией РЭА на базе перехода от дискретных электрорадио-
3
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие................. 3
Глава Повышение частоты преобразования электрической энергии — первая. одно из основных направлений комплексной миниатюризации
транзисторных преобразователей ........ 5
1.1. Проблема миниатюризации транзисторных преобразователей ... 5
1.2. Зависимость массогабаритных показателей транзисторных преобразователей от частоты преобразования • . • . ,...... 8
1.3. Перспективы дальнейшего повышения частоты преобразования в транзисторных преобразовательных устройствах.........15
Глава Особенности работы полупроводниковых преобразователей на вторая. высоких частотах.............21
2.1. Возрастание потерь энергии и выделяемой мощности с ростом частоты преобразования. Характер коммутационных процессов в основных преобразовательных каскадах.............21
2.2. Влияние на характеристики преобразователей технологических разбросов параметров используемых полупроводниковых приборов ... 46
2.3. Сужение глубины регулирования и возрастание фазового сдвига в контуре регулирования стабилизированных преобразователей , 52
2.4. Изменение режимов работы полупроводниковых приборов из-за изменения магнитных свойств ферромагнитных материалов с частотой пере-магничивания .................56
Глава Транзисторные ключи для высокочастотных преобразователь-третья, ных каскадов..............58
3.1. Ключи на мощных биполярных транзисторах.......58
3.2. Способы уменьшения коммутационных перегрузок полупроводниковых приборов. Оптимальные режимы управления мощными транзисторами . . 67
3.3. Недостатки ключей на мощных биполярных транзисторах. Целесообразность использования МДП-транзисторов ......... 87
Глава Высокочастотные транзисторные инверторы.....
четвертая. 89
4.1. Краткая классификация............. 89
4.2. Инверторы с самовозбуждением и способы их начального запуска 94
4.3. Инверторы с внешним возбуждением на. биполярных транзисторах 119
4.4. Вопросы симметрирования режима перемагничивания магнитопрово-
дов силовых трансформаторов............132
Глава Однотактные и непосредственные преобразователи постоянно-•пятая. го напряжения.............134
5.1. Высокочастотные транзисторные однотактные преобразователи . . 134
5.2. Непосредственные преобразователи постоянного напряжения . . . 159 Глава Двухзвенные преобразователи постоянного напряжения . . 183 шестая.
286
6.1. Принцип действия и основные характеристики....... 183
6.2 Стабилизированные двухзвенные преобразователи постоянного напряжения ................... 206
6.3. Начальный запуск стабилизированных двухзвенных преобразователей постоянного напряжения.............. 219
6.4. Транзисторные преобразователи с высокочастотными резонансными инверторами................. 228
Глава Высокочастотные преобразователи модульной структуры . . 244
седьмая.
7.1. Общие принципы построения............ 245
7.2. Многофазные стабилизированные преобразователи постоянного напряжения ................... 247
7.3. Резервирование в преобразователях модульной структуры .... 258
7.4. Многофазные высокочастотные транзисторные инверторы .... 267
Заключение ................. 276
Список литературы................ 280
Цена: 150руб.
