В сборнике помещены статьи отечественных авторов по следующим вопросам: новые типы полупроводниковых приборов, их параметры и характеристики; методы исследования свойств полупроводниковых приборйв и соответствующая аппаратура; физические процессы в полупроводниковых приборах, определяющие возможности их использования; надежность их работы и стабильность характеристик; методы и принципы применения полупроводниковых приборов в различных типах схем, основанные на использовании специфических особенностей полупроводниковых приборов и отличающиеся от других известных методов и принципов более высокими результатами, высокой надежностью работы, взаимозаменяемостью приборов и т. д.
Сборник предназначен для широкого круга радиоинженеров, студентов вузов и квалифицированных радиолюбителей.
СОДЕРЖАНИЕ
A. Л. Гофштейн-Гардт, Н. И. Ковырева, Л. М. Коган, Л. Н. Кулагин, Б. И. Курлянд, А. П. Тиньков, В. Е. Трушина. Полупроводниковый источник света (светодиод) из фосфида галлия ....... ..... 3
М. М. Колтун. Просветляющие и отражающие покрытия для
полупроводниковых излучателей и приемников излучения 15
Г. П. Витохина, В. П. Каверзнев, Д. П. Макова, Ю. Н. Мохов. Методика создания сканисторов с непрерывной базой на кремнии..............23
B. И. Иванов, А. И. Аксенов. Бескорпусные полупроводнико-
вые приборы и особености их применения.....31
Н. А. Индришенок, Т. Н. Никитина, В. Л. Аронов. Экспериментальное исследование внутренней неустойчивости токо-распределения в мрщи)у^4йВД1Щчастотиых транзисторах 41 И. А. Попов. Исел1ед6вание "лавинного пробоя транзистора
в генераторных режимах....... . . 51
И. Т. Архангельская. Модели биполярных транзисторов . . 60
B. А. Горохов, В. М. Петухов, А. К. Хрулев. Расчет основных
электрических характеристик н параметров полевых транзисторов с затвором на основе р-п перехода .... '"
A. Г. Здрок. Оценка допустимых токов нагрузки полупровод-
никовых диодов............90
Е. М. Атакова. Локальный поверхностный пробой в германиевых лавинно-пролетных диодах........ *"3
C. Д. Додик, Э. И. Кафтаненко. Исследование кратковремен-
ной нестабильности напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов типа Д818Г и Д818Е...... 118
Л. И. Реймеров. Электрические характеристики полупроводникового диода с неоднородной базой......'22
И. В. Рыжиков. К вопросу о модуляции проводимости г'-обла-
сти p-i-n структуры . ......... . . ".» '34
Р. Г. Мгебрян, Ю. Р. Носов. Расчет переходного теплового, сопротивления полупроводниковых приборов с кристаллами прямоугольной и цилиндрической формы . . . . 144
Е. И, Аесвадурова, А. Л. Захаров. Расчет тепловых сопротивлений многослойных структур при наличии контактного сопротивления между слоями : >_--.. . ^ . *~: ••-•= %, }^
B. И. Пильдон. Динамическая добротность варакторов_с эф; *
фектом смыкания перехода .........163
A. А. Визель, В. П. Вороненке, В. И. Навроцкий, Л. А. Воро-
нина. Исследование варакторных умножителей частоты
с диэлектрическими холостыми контурами.....171
Е. В. Воронецкий, О. А. Челноков. Об оптимальном включении варикапа — управителя частоты — в контур транзисторного автогенератора..........181
C. И. Воробьева, А. Я. Федоров. Взаимозаменяемость туннель-
ных диодов в генераторах СВЧ........ 193
B. С. Андреев, В. И. Попов, А. Я. Федоров. Определение ста-
ционарного режима колебаний и его устойчивости д#я й>- .-нератора СВЧ на туннельном диоде . . :. ..." . . 200 К- А. Петросян. Входная вольтамперная характеристика мно-
гоэмиттерного транзистора......... 211
269
Л. К- Самойлов. Определение величины тока помехи транзисторных схем при ^импульсном запирании цепи базы . . 216
В. Н. Данилин, А. Л. Филатов, А. А. Чернявский. О механизмах спада усиления транзисторов для схем с прямой АРУ при увеличении ллотности тока......222
B. В. Кобзев, Ю. А. Мома. О коэффициентах усиления GaAs
оптического квантового усилителя бегущей волны . ... . 233
Б. Л. Перельман. Механические колебательные свойства элементов конструкции маломощных СВЧ транзисторов и методика определения коротких замыканий и обрывов в них 239
Н. 3. Шварц. К определению инвариантного коэффициента
устойчивости СВЧ транзисторов........245
М. С. Гусятинер, П. А. Кобылянский, Ф. Е. Привен. О сопротивлении p-i-n диода при положительном смещении . . 249
Н. А. Бахтин, Н. 3. Шварц. Нормализованные таблицы коэффициента усиления СВЧ транзисторов......254
C. А. Савельев, О. А. Челноков. Автомодуляция в высокоча-
стотном транзисторном автогенераторе......262
К. А. Петросян. Остаточное напряжение коллектора много-
эмиттерного транзистора в режиме насыщения . . . 266
Цена: 150руб.
