Математика | ||||
Возможности транзисторной элетроники-н.нгорюнов Москва 1970 стр.42 | ||||
Возможности транзисторной элетроники-н.нгорюнов Москва 1970 стр.42
Электронно-дырочный переход Ко времени изобретения транзистора существовал лишь один полупроводниковый прибор — кристаллический детектор, который использовался в СВЧ аппаратуре. Кстати, этот прибор не назывался аи~иолуяроводниковым, ни диодом {каковым он является на самом деле). Появление транзистора — достаточно сложного усилительного прибора — дало толчок детальным исследованиям электронных процессов в полупроводниках. Главной темой этих исследований несомненно являлись и являются процессы, происходящие на границе (ила контакте) между полупроводниками, имеющими различные электрофизические свойства. Наибольший «урожай» в смысле практически полезных результатов нринесяи работы па изучению электронно-дыроч-лых переходов (электронно-дырочный переход, или р-п пере-'ж>д,— переходный слой между двумя областями нолупровод-иика, одна из которых имеет электропроводность и-типа, а другая р-типа). Можно без преувеличения сказать, что р-п .переход — сердце полупроводникового прибора. На рис. 1 доказана классификация полупроводниковых . приборов по признаку их'функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Из схемы видно, что подавляющее число приборов содержит один, два или более переходов. Это, конечно, не случайно. Оказывается, что принципы действия приборов с р-п переходами во многом родственны тем, которые характерны электронным яамиам. А электронные' лампы, как известие, до последнего времени были основой радиоэлектроники.. Вообще свойства активного усилительного элемента (лампы, транзистора) решающий образом определяют и характер аяпаратуры на этих элементах, ее лреимуще--ства и недостатки. Поэтому рассказ о возможностях транзи« «торной электроники начнем с изложения важнейших свойств р-п переходе» и транзисторов на их основе. Электрический ток — это упорядоченное движение заря« дов, Наиболее легкими и подвнжнымя зарядами являются Содержание Электронно-дырочный переход •!».*,, з Современные полупроводниковые приборы и направят яяя их развития ... •, ', , , f s s 9 ЯОООО лег безомсазаой работы ? , , « , , . 24 Лдаяараая цехншкмчш опдэывает новые возможности , 2Э Некоторые лроблемы аолулроводннйовой ааектроники t Зэ .Заключение ш , , ,. ., *»»*•«. 43 Цена: 150руб. |
||||