Интегральные микросхемы в радиоэлектронных устройствах.—* 2-е изд., иерераб. и доп. —К.: Техн'ша, 1985.— 208 с., ил. — Библиогр.: с. 207,
В вер.: 90 х. 60 000 экз.
В книге изложена вопросы, связанные * щиыеиеаием аналоговых интегральных макросам. Дриво*ятся методы анализа и cmrpeaa .«ивейныя радиоэлектронных устройств по показателям, заданным в частотой и временной областях. Рассмотрены 1>*з« дивные схемы радиоэлектронных устройств, из которых воюете внимание уделено избирательным усилителям низкой и высокой частоты к усилителям импульсов. Второе издание дополнено глаяаяи по анализу устройств, параметры которых аадаяы во временной области, и расчету усилителей импульсов, а также материалами по анализу и синтезу высакодобротньпс мвогафункцноналъяых избирательных цепей, преобразователям сопротивлений, црвмсраи проектирования схем.
Рассчитай «ж ииж«нерао-т*хяических работников, «анимающихся разработкой и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезной студентам вузов.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Широкое производство интегральных микросхем, их высокая надежность, непрерывно снижающаяся стоимость, малые габаритные размеры и масса создают благоприятные условия для разработки и внедрения новой сложной аппаратуры, имеющей высокие качественные и эксплуатационные показатели.
В настоящее время отечественная промышленность выпускает большое количество серий интегральных микросхем, в состав которых входит значительное число аналоговых микросхем, предназначенных для использования в приемно-усилительной аппаратуре.
Каждая серия содержит определенный набор интегральных микросхем, позволяющих 'Создавать на их основе те или иные устройства. Между собой микросхемы различаются технологией изготовления, типом используемого корпуса, количеством вариантов и видом схемных решений, а также электрическими параметрами и своей функциональной завершенностью. Одни микросхемы—его просто транзисторные матрицы, т. е. наборы транзисторов, помещенных в общий корпус; другие — представляют собой более или менее завершенные заготовки отдельных каскадов; третьи — являются сложными многокаскадными устройствами, предназначенными для определенных целей. Применяя интегральные микросхемы, разработчик имеет возможность получать различные варианты принципиальных схем и менять в нужном направлении характеристики разрабатываемого устройства. Большой ассортимент и разнообразие интегральных микросхем создают для разработчиков аппаратуры, с одной стороны, определенные удобства, с другой, значительные трудности, так как сложна выработать универсальный подход к описанию свойств различных еже» и построить единую методику расчета.
В настоящей работе авторы стремились преодолеть эти трудности на основе единого подхода к проектированию линейных радиоэлектронных устройств на интегральных микросхемах. В частностей, для этого исаольввваяы кяассифи* кация по функциональному построению и представление микросхем в вид» многополюсника, позволяющие получить аналитические выражения параметров при различных схемах включения, а в основу проектирования сложных радиоэлектронных схем, в том числе избирательных усилителей низкой и высокой частот и усилителей импульсов, положены, общие теоретические вопросы анализа и синтеза линейных электрических цепей.
Главы 1—4, 8 и 9 написаны И. Н, Мигулиным', главы 5, 6 и 7 — М. 3. Ча-повским. , ^
Отзывы и пожелания просим направлять по адресу: 25260t, Киев, 1, Кре* щатик, 5, издательство «Техшка».
ОГЛАВЛЕНИЕ _
Ст p.
Предисловие.....................• . . з
Глава!. Транзистор как элемент интегральных микросхем...... 4
1. Основные свойства транзисторов ........-. . . . . ... 4
2. Транзистор как четырехполюсник............. 7
3. Паразитные .параметры транзисторов........... . 10
Глава 2. Аналоговые интегральные микросхемы усилителей . . . . . 11
1. Показатели усилителей .... . ............ И
2. Однокаскадные усилители......,......... 15
3. Двухкаскадные усилители ............... 19
4. Каскодные усилители.............."... 20
5. Дифференциальные усилители.............. 23
6. Днфференциально-каскодные усилители........... 27
Глава 3. Анализ переходных процессов в усилительных устройствах . . 32
1. Идея и обоснование метода анализа.............. 32
2. Определение времени установления и запаздывания....... 36
3. Определение .величины выбросов.............. 41
4. Вычисление параметров переходного процесса по графически заданной частотной "характеристике........ ......... 47
5. Приближенное вычисление переходных характеристик . .. .... 52
Глава 4. Обратная связь в усилительных устройствах........ 59
1. Общие вопросы применения обратной связи .. .'........ 59
2. Способы подачи обратной связи ..-'.-•.•'. . . ........62
3. Обобщенный метод анализа усилителей с обратной связью.....64
4. Основные соотношения для усилителей с обратной связью.....68
Глава 5. Анализ и синтез усилительных устройств на интегральных-микросхемах........................ 72
1. Анализ устройств на основе разложения определителя матрицы проводимости.................,.......72
2. Синтез устройств на основе пары преобразований........83
3. Преобразования функций и схем устройств......... . 88
Глава 6. Устройства с простейшей формой передаточной и входной функций..........................102
1. Масштабные усилители................102
2. Дифференцирующие и интегрирующие звенья...... . . ПО
3. Звенья специального назначения . ........ ... 119
Глава 7. Избирательные усилители низкой частоты........•, 128
1. Классификация усилителей по свойствам ... . .......128
2. Звенья нижних, верхних частот и полосовые...... . . . .139
3. Режекторные звенья и фазовый контур ........... 155
4. Универсальные избирательные звенья.......'..... 162
Глава 8. Избирательные усилители высокой частоты........ . .178
1. Особенности избирательных усилителей на интегральных микросхемах 178
2. Определение избирательности , . . ;.......,. . . 179
3. Усилители с одиночными колебательными контурами с фиксировайной настройкой ...... ^..........;..... 183
4. Усилители со связанными колебательными контурами.......190
5. Диапазонные избирательные усилители............ 193
Глава 9. Широкополосные усилители.............197
1. Схемы усилителей с обратной связью ............ 197
2. Переходные процессы в широкополосных усилителях ....... .201
3. Усиление сигналов с неотвесным фронтом ..........203
4. Усилители, не изменяющие длительность фронта....... . 205
.Список литературы.................. 207
Цена: 150руб.
