Математика | ||||
Рост кристаллов и дислокации-А.Варма Москва 1958 стр.217 | ||||
Рост кристаллов и дислокации-А.Варма
ОТ РЕДАКТОРА РУССКОГО ПЕРЕВОДА Книга молодого индийского ученого А. Р. Варма представляет собой своеобразное и, по нашему мнению, весьма полезное пополнение появившейся в последние годы на русском языке переводной литературы по дислокациям. В отличие от монографий В. Т. Рида и А. X. Кот-трелла1), в которых дислокации рассмотрены главным образом в связи с механическими свойствами кристаллов, у Варма рассмотрение проведено в связи с процессами роста кристаллов. Теория дислокаций в том виде, в каком она дана в работах Рида и Коттрелла, в книге Варма не излагается, но в ней имеется удачный очерк теории роста кристаллов, охватывающий и вопросы связи с теорией дислокаций. Главное же содержание книги составляет анализ реальных дислокаций, выявленных путем детального оптического изучения поверхности кристаллов, и рассмотрение их связи с процессами ррста, особенностями структуры кристаллов и появлением политипных форм. Около четверти книги занято описанием методики оптических исследований, особенно фазовоконтрастного метода и многолучевой интерферометрии. В книгу в качестве приложения включен перевод двух более поздних статей А. Р. Варма (1956 и 1957 гг.) о дислокациях в кристаллах, любезно присланных для этой цели автором 2):. Это отчасти компенсирует несколько задержавшийся перевод книги. Мы поместили их без сокращений, несмотря на то, что их содержание частично перекрывается с материалом книги. Морфологический и структурный подход к дислокациям и одновременно рассмотрение процессов образования кристаллов с точки зрения теории- дислокаций ') В. Т. Рид, Дислокации в кристаллах, Металлургиздат, 1957; являются характерной чертой исследований Варма. Это направление весьма близко к работам, которые в течение ряда лет проводит в Институте кристаллографии Г. Г. Лем-млейн со своими учениками1). Сводка наиболее важных советских и зарубежных работ по дислокациям, появившихся после выхода книги Варма, содержится в обзоре В. Л. Инденбома «Дислокации в кристаллах», Кристаллография, 3, № 1, 113 (1958). Книга представляет интерес для физиков, химиков, металловедов, кристаллографов и минералогов, занимающихся вопросами роста, структуры и морфологии кристаллов и приложениями теории дислокаций. ПРЕДИСЛОВИЕ С. ТОЛАНСКОГО Я рад представленной мне возможности написать предисловие к книге д-ра Варма. Процессы роста кристаллов весьма сложны и недостаточно изучены. По мере того как развивается и применяются более мощные методы исследования, становится все очевиднее, что всестороннее и детальное' объяснение роста кристаллов является грандиозной задачей все еще ожидающей решения. Первоначально кристаллографы были очаров.аны ка_ жущимся совершенством кристаллов. Они называли их формы совершенными по симметрии, предполагая что углы между гранями точно повторяются на различных образцах и что многие кристаллы имеют чрезвычайно плоские поверхности. Но теперь наши современные методы разрушили эту иллюзию, и мы обнаружили что кристаллы крайне неправильны, содержат Массу несовершенств, микрофотографии кристаллов обнаруживаюти3у. мительное многообразие поверхностей и все эти явления трудно объяснимы вследствие противоречивости наблюдаемых фактов. Среди многих новых методов исследования которые привели к этому состоянию, может быть, Наиболее важными являются рентгеноструктурный анализ, электронная микроскопия, многолучевая интерферометрия и фазово-контрастная микроскопия. Д-р Варма как специалист в использовании последних двух методов получил с их помощью удивительные и важные для теории роста кристаллов экспериментальные данные. Теория дислокаций развитая Франком и его сотрудниками, получила наиболее эффективное и решающее подтверждение в блестящих оптических и интерферометрических исследованиях проведенных д-ром Варма главным образом на капбиде кремния. F Описание и обсуждение этих экспериментов составляет существенную часть настоящей книги. Приятно ОГЛАВЛЕНИЕ От редактора русскогопер е"в ода........ 5 Предисловие С. Толанского . . . ч......... 7 Предисловие автора ................. 9 Глава 1. ВВОДНЫЙ ОБЗОР ............... 13 Введение....................... 13 Виды роста...................... 15 Теория роста кристаллов ............... 16 Концепция минимума общей поверхностной свободной энергии....................... 18 Глава 2. АТОМНАЯ ТЕОРИЯ РОСТА СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ................. 22 Плотно упакованные плоскости............ 22 Равновесная структура поверхности кристалла ..... 23 Концентрация изломов в ступеньке .......... 25 Миграция адсорбированных молекул по поверхности . . 26 Скорость движения прямой ступеньки......... '28 Поверхностное зарождение ..'............ 31 Резюме ........................ 35 Глава 3. ДИСЛОКАЦИИ И РОСТ НЕСОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ . . /.............. 37 Дислокация...................... 37 Краевые дислокации.................. 39 Винтовые дислокации..........,....... 40 jj Роль винтовых дислокаций при росте кристалла. Спиральный рост...................... 44 Глава 4. СОВРЕМЕННАЯ ТЕХНИКА ОПТИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ............... 47 Трудности наблюдения................. 47 Экспериментальная техника .............. 48 Техника серебрения .................. 49 Диэлектрические многослойные пленки......... 51 Техника наблюдения.................. 54 Внефокальное наблюдение в светлом поле при освещении узким пучком............... 54 Декорирующие примеси на поверхности кристалла 55 Метод росы.................... 56 Фазовоконтрастная микроскопия и наблюдение в темном поле.................... 56 Описание фазовоконтрастной аппаратуры....... 60 Видимость деталей.................. 62 Фотографический метод................ 65 Глава 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ НАБЛЮДЕНИЯ . ... 66 Пирамиды роста и вицинальные грани......... 66 Рост слоями...................... 67 Эксперименты по диффузии.............. 68 Современные наблюдения спиралей роста....... 70 Глава 6. МИКРОСКОПИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ КАРТИН РОСТА..................... 76 Вводный обзор и классификация спиралей....... 76 Элементарные спирали................. 77 Форма спиралей.................. 77 Круговые спирали (77). Многоугольные спирали (79). Свойства фронтов роста и взаимодействие спиралей роста...................... 81 Формы роста при двух винтовых дислокациях ... 83 Две винтовые дислокации одного и того же знака; явление кооперации (83). Две винтовые дислокации противоположного знака (86). Формы роста для трех и большего числа дислокаций 88 Результирующие формы роста для очень большого числа дислокаций и кривые пересечения..... 89 Общий случай (89). Частный случай: круговые Статистические свойства; плотность дислокаций . . 92 Группы дислокаций; геометрические формы .... 93 Некоторые данные об условиях роста....... 94 Спирали, происходящие от укрупненных дислокаций . . 95 Ступеньки большой высоты и укрупненные дислокации ...................... 95 Расщепление ступенек............... 96 Дефектные поверхности.............. 98 Переплетенные спирали................ 102 Простые и групповые переплетенные спирали . . . 102 Глава 7. СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ И ЕЕ ОТНОШЕНИЕ К ФОРМАМ РОСТА ПОВЕРХНОСТИ ... 104 Образование кристаллов карбида кремния.......104 Различные типы кристаллов карбида кремния и «политипизм» ........................105 Описание политипных форм............106 Обозначения Рэмсделла (106). Последовательность промежутков (107). Классическое АВС-обозначение (108). Укладка слоев. Символы Жданова и Набарро — Франка (НО). Обозначения Ягодзинского (113). Объяснение картин роста...............ИЗ Форма и высота ступенек; повторяющаяся еди- 110 ница......................110 Объяснение переплетения спиралей на кристаллах SiC (114). Картины роста на йодиде кадмия............117 Кристаллическая "структура и картины роста кристаллов органических веществ с длинноцепочечными молекулами ........................I*' Глава 8. ИЗМЕРЕНИЕ ВЫСОТЫ СТУПЕНЕК ИНТЕРФЕ- РОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ.........122 Введение ....................... 1^ Оптимальные условия для многолучевой интерферометрии .......................I". 1 ПО Использование полос Физо..............*•"*, Два частных случая................13" Круговые спирали (130). Многоугольные спирали с прямыми краями (133). • Использование полос равного хроматического порядка . , 134 Внутренние интерференционные полосы........ 136 Видимость линий ступенек и использование многослойных пленок..................... 138 Метод тонких пленок................. 140 Световой профильный микроскоп........... 141 Результаты измерения высоты ступенек........ 142 Элементарные спирали роста с единичным вектором Бюр- герса........................ 143 Кристаллы органических веществ с длинноцепочечными молекулами............ 143 Карбид кремния.................. 144 Политипная форма 6Н (144). Политипная форма 15R (145). Политипная форма 33R (145). Берилл..................., . . 146 Гематит...................... 146 Другие кристаллы................. 147 Спирали роста, начинающиеся от больших дислокаций 147 Карбид кремния.................. 147 Йодид кадмия................... 148 Стеариновая кислота ............... 148 Другие кристаллы................. 149 Переплетенные спирали]................ 149 Г л а в а 9. ПОЛИТИПИЗМ, ПРОИСХОЖДЕНИЕ И ДВИЖЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И НЕКОТОРЫЕ ДРУГИЕ ВОПРОСЫ................... 150 Объяснение политипизма с помощью дислокаций .... 150 Источники дислокаций................. 151 Движение дислокаций................. 153 Ориентированные нарастания............. 160 Изоморфизм.................... 160 Ориентированное нарастание............ 160 Травление....................... 165 Дырки в кристаллах и полые дислокации....... 167 Заключение. Современное состояние экспериментальных наблюдений..................... 171 Литература.................... 173 ПРИЛОЖЕНИЯ I. Изучение структуры поверхности кристаллов цинковой обманки методом фазовоконтрастной микроскопии......183 Методика эксперимента................184 Результаты наблюдений................186 Полные винтовые дислокации и спирали роста.....188 Частичные дислокации и треугольники роста......190 Литература.......... ...........192 П. Дислокации в кристаллах карбида кремния. Изучение политипизма интерферометрическим и рентгеновским методами 194 Введение.......................194 Политипизм в кристаллах карбида кремния и ступеньки спирального роста.................. 196 Дислокации с единичным вектором Бюргерса и фигуры спирального роста..................196 Спирали роста с высотами ступенек, равными целому или нецелому кратному вектора Бюргерса......198 Смешанные упорядоченные и неупорядоченные кристаллы и согласное срастание различных политипных форм 200 Сложные фигуры роста и политипная форма с большим периодом......................201 Обсуждение результатов................202 Происхождение политипизма. Теория Франка и замечания Ягодзинского (202). Положительные и отрицательные ромбоэдры (прямое и обратное положения) как результат присутствия дислокаций противоположного знака (206). Литература....................210 Цена: 150руб. |
||||