слоев и пленок.
Сборник будет полезен широкому кругу специалистов, занимающихся исследованием состава различных микрообъектов, тонких пленок, пленочных структур, используемых в электронной технике, металлургии, химии, геологии, при исследованиях состава объектов космического происхождения, а также аспирантам и студентам старших курсов, изучающим современные методы аналитической химии, физику и химию твердого тела, технологию производства микроэлектронных приборов и
устройств.
ПРЕДИСЛОВИЕ
В последние десятилетия в связи с разработкой и промышленным производством специальных материалов для новых областей техники (микроэлектроники, оптоэлектроники, лазерной техники, ядерной энергетики и др.) резко повысился интерес к исследованию химического состава и структуры различных микро-и ультрамикрообъектов: микрообъемов кристаллов, тонких слоев, тончайших пленок и пленочных структур из композиций различных неорганических и органических веществ.
В настоящее время опубликованы монографии, сборники статей, обзоры и многочисленные статьи, посвященные отдельным методам или группе физико-химических и физических методов анализа микрообъектов.
В сборнике впервые сделана попытка комплексно осветить проблемы анализа микрообъектов и тонких пленок, обобщить различные физико-химические и физические методы исследования их химического состава.
Сборник содержит 13 обзорных статей, написанных ведущими специалистами, имеющими большой опыт работы по анализу микрообъектов и особо чистых веществ.
Вводная статья И. П. Алимарина, Б. Д. Луфт, Ю. Н. Кузнецова и В. Ф. Дворянкина знакомит читателей с микро- и ультрамикрообъектами, используемыми в электронной технике, с проблемами анализа этих объектов, с возможностями и перспективами применения различных методов современной аналитической химии для решения этих проблем.
Первая часть сборника (семь статей) посвящена физико-химическим (спектрофотометрическим, люминесцентным, электрохимическим и кинетическим), спектральным и химико-спектральным методам анализа микрообъемов кристаллов, тонких пленок, пленочных структур и некоторых исходных материалов для их получения. Вторая часть объединяет пять статей по наиболее широко используемым физическим методам анализа этих объектов (масс-спектральный, электронная Оже-спектроскопия, фотоэлектрическая спектроскопия, электронный и ионно-зондовый микроанализ, ядерно-физические методы микроанализа).
Во всех статьях изложены теоретические основы рассматриваемых методов, их аппаратурное оформление и приведены примеры практического использования этих методов для анализа конкретных объектов. Статьи по физико-химическим методам анализа иллюстрированы таблицами, в которых даны краткие сведения
об объектах анализа, условиях подготовки проб при определении различных элементов, данные о пределах обнаружения этих элементов и относительной ошибке определений. Большое внимание уделено методическим вопросам подготовки и препарирования проб, особенно при использовании разрушающих методов анализа — физико-химических, химико-спектральных и масс-спектральных. В статье В. В. Недлера, Н. Г. Карпель и Б. И. Кузовкина и в статье М. С. Чупахина подробно излагаются методики послойного анализа тонких пленок и многослойных эпитаксиальных структур с высоким разрешением по глубине образца ( ^ 1 мкм). Рассматриваются возможные источники ошибок при послойном анализе пленочных структур и монокристаллов, при определении примесей в тонких поверхностных слоях твердых тел; обсуждаются методы снижения пределов обнаружения элементов и повышения точности анализа различных микрообъектов.
В сборнике впервые представлены некоторые новые актуальные направления по исследованию химического состава кристаллов и пленок из полупроводниковых материалов.
В статье А. В. Новоселовой, Б. Д. Луфт, Ю. С, .Миляв-ского дан обзор методов определения отклонений от стехиометри-ческого состава кристаллов и. пленок полупроводниковых соединений, оказывающих, как известно, большое влияние на их электрофизические свойства.
Статья В. И. Сидорова знакомит читателя с новым высокочувствительным (до КГ12 ат.%) методом анализа остаточных примесей в сверхчистых монокристаллах (кремния, германия, арсени-да галлия и др.), основанном на фототермическом механизме ионизации примесей в полупроводниках.
В целом сборник отражает новейшие результаты исследований в области анализа микрообъектов и тонких пленок.
Считаем своим долгом выразить благодарность Р. Н. Рубинштейну, Б. Я. Каплану, Л. Н. Филимонову, Т. М. Малютиной, Г. Г. Главину и Ю. И. Мерисову за ценные критические замечания, а также 3. М. Лебедевой, В. В. Васильченко и Т. М. За-махиной за помощь в подготовке данной книги.
Сборник является первой попыткой обобщения различных „методов анализа микрообъектов. Однако он не претендует на полноту изложения всех современных методов анализа рассматриваемых объектов; некоторые теоретические положения в отдельных статьях дискуссионны. Все критические замечания и пожелания будут приняты редколлегией с благодарностью.
Редакторы
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие
И. П. Алимарин, Б. Д. Луфт, Ю. Н. Кузнецов, В. Ф. Дворянкин. Проблемы анализа микрообъектов в электронной технике ... 5
ХИМИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА
А. А. Туманов. Особенности физико-химических методов анализа микропленочных объектов................... 19
A. В. Новоселова, Б. Д. Луфт, Ю. С. Милявский. Методы определения отклонений от стехиометрического состава в кристаллах и пленках полупроводниковых соединений............ 26
B. М. Пешкова, Б. Д. Луфт, М. И. Громова, Ю. Ф. Орлов. Применение методов абсорбционной спектроскопии для анализа микрообъектов . . . . •...................... 52
П. К. Агасян-, Т. К. Хамракулов, А. Г. Стромберг,.А. А. Каплин. Электрохимические методы анализа микрообъектов, тонких пленок и покрытий......................... 76
[?. А. Божеволънов\, Е. А. Соловьев. Применение люминесцентного метода для анализа микрообъектов ............... 100
C. У. Крейнголъд. Возможности применения кинетических методов
в анализе пленок и исходных материалов для их получения . . . 123
В. В. Недлер, Н. Г. Карпелъ, Б. И. Кузовкин. Спектральные и химико-спектральные методы анализа тонких пленок и пленочных структур........................... 135
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА
М. С. Чупахин. Определение элементного .состава микроОбразцов и примесей с помощью масс-спектрометра с искровым ионным источником.......................... 183
A. Ю. Митягин, В. Ф. Дворянкин. Химический анализ поверхности твердых тел методами низкоэнергетической электронной спектроскопии ........................... 206
B. И. Сидоров. Фотоэлектрическая спектроскопия примесей в полупроводниках ......................... 233
Ф. А. Гимелъфарб. Электронно- и ионно-зондовый локальный анализ микрообъектов и тонких слоев............... 255
Б. С. Кудинов, Л. Е. Кузьмин. Ядерно-физические методы анализа поверхностных слоев твердых тел и тонких пленок........ 280
Цена: 150руб.
