ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРНЫХ КАСКАДАХ Б. Н. Файзулаев год издания 1968
В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером я общим коллектором.
Предлагаемое второе издание по отношению к пе,рвому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга рассчитана на широкий круг радиоспециалистов, занимающихся вопросами теории и расчета аппаратуры на транзисторах.
Таблиц 8, иллюстраций ,131, библиографий 48!
ПРЕДИСЛОВИЕ
В связи с массовым внедрением транзисторов в радиоэлектронную аппаратуру необходимо более глубокое изучение свойств типовых транзисторных схем и, в первую очередь, схем с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.
Эти три основные включения транзистора представляют собой наиболее распространенный в полупроводниковой электронике тип схем, причем любая более сложная схема часто может быть представлена как то или иное сочетание этих трех включений.
Существующая в настоящее время тенденция к дальнейшему повышению быстродействия и надежности электронных схем выдвигает на первый план исследование высокочастотных свойств транзисторных каскадов и режимов работы, обеспечивающих высокую повторяемость и стабильность параметров схем в реальных условиях эксплуатации и массового изготовления. Отсутствие достаточно полного и систематического изложения этих вопросов затрудняет разработку быстродействующих схем на транзисторах.
Задача настоящей книги — отчасти восполнить этот пробел и одновременно обобщить уже известные высокочастотные свойства полупроводниковых каскадов. Основной материал книги посвящен анализу высокочастотных эквивалентных схем и переходных характеристик типовых транзисторных каскадов с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором и эмиттерной противосвязью.
Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, занимающихся разработкой и исследованием быстродействующих импульсных и высокочастотных схем на транзисторах.
Автор выражает благодарность Владимиру Константиновичу Левину за поддержку и помощь в работе над книгой, а также всем сотрудникам, принявшим участие в обсуждении и подготовке материалов.
Автор выражает также искреннюю признательность Игорю Григорьевичу Мамонкину и Глебу Константиновичу Гаврилову за критический просмотр рукописи и сделанные замечания.
Настоящее второе издание книги дополнено главой о видеоусилителях (глава 5), двумя разделами по приближенным методам расчета переходных процессов (приложение I) и разделом по расчету предельных частот транзистора (приложение II). Кроме того, во втором издании устранены все неточности и опечатки, замеченные читателями и автором в первом издании книги.
замечания по книге просьба направлять в издательство «Связь» по адресу: Москва-центр, Чистопрудный бульвар, 2.
АВТОР
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр. Глава 1. Введение
1.1. Постановка задачи. Исходные положения ,..... 4
•1.2. Эквивалентная схема транзистора........, 13
1.3. Переходные характеристики транзистора........ 27
Глава 2. Каскад с общей базой
2.1. Общие свойства . . , ........... 46
2.2. Входное сопротивление........, 47
2.3. Выходное сопротивление............. 50
2.4. Переходные характеристики ,.......... 53
Глава 3. Каскад с общим эмиттером
ЗЛ. Общие (свойства.............. 60
3.2. Входное сопротивление.....'....... 60
i 3.3. Выходное оотротивиение..........• . 64
3.4. Переходные характеристики............ 67
3.5. Добротность каскада ............. 84
3.6. 'Переходные процессы в режиме переключения...... 89
Глава 4. Каскад с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
4.1. Общие (свойства.............. 112
4.2. Входное сопротивление............ 113
4.3. Выходное сопротивление............ 121
4.4. Переходные характеристики........... 128
4.й. Демпфирование колебаний в змиттериом повторителе . . . . 140
4.6. Генерация амиттереых повторителей и даоообы ее устранения . 146
4.7. Особенности работы эмиттериаго повторителя в режиме больших сигналов ;............., . 158
Глава 5. Каскад с эмиттерной противосвязью
5.1. Общие свойства :............. 168
5.2. Входное сопротивление ,....... 169
5.3. Выходное сопротивление......s..... 173
5.4. Переходные характеристики . . . . ,...... 178
5.5. Добротность каскада......<...... 192
•5.6. Многокаскадные усилители........... 198
Приложение I. Некоторые приближенные методы расчета сложных переходных процессов......f.......: 206
Приложение II. Связь предельных частот /т, /п и /м с параметрами
Т-образной эквивалентной схемы транзистора . . . . . . , 222
Приложение III. Преобразования некоторых употребительных функций . 237
Приложение IV. Стационарные .низкочастотные /параметры полупроводниковых каскадов............, i 240
Литература . ........... >. 246
Борис Нуруллаевпч Файзулаев
Цена: 150руб.
