СистематНирвванЫ «Еультаты, полЛенные |.н<*йми исследователями какджсперЯ&ентальво, так» теоре-«|чески. Для каждого параметр^указавТлитературный Лсточни! ствии с прилагавши обширной библиографией ni эмиссионных скШтваж материалов. >
Настоящее Ще издание справочника является з! дополненным и Жреработанныж-по сравнению с пре
Рассчитай W» научных работников и инженеров, занимающихся изучением и изысканием новых электродных материалов с улучшенными эмиссионными свойствами.
соответ- i росу об
ВВЕДЕНИЕ
Прогресс различных областей современной науки и техники, особенно за последние десятилетия, потребовал совершенствования уже имеющихся и создания новых электронных устройств и Приборов различного назначения" наряду с применявшимися ранее электрониоввкуумными приборами (генераторные и приемно-усилительные лампы) появилась необходимость в источниках-положительных и отрицательных ионов, приборах СВЧ (магнетроны, клистроны, лампьГЦегущей и обратной волны), электроннолучевых пушках для плавки ч сварки, приборах телевидения и связи, устройствах прямого преобразования тепловой энергии в электрическую (термоэлектронные преобразователи, магнитногидродинамические генераторы).
Эффективность их работы в значительной мере определяется успехами в изыскании электродных материалов, удовлетворяющих специфическим условиям эксплуатации приборов: повышенной плотности тока эмиссии, стабильности электронной эмиссии во времени и устойчивости против ионной бомбардировки. Одним из основных элементов этих приборов является катод, от надежности работы которого зависит эксплуатация всего устройства в целом. Проблема электродных, в частности катодных, материалов является в настоящее время одной из ведущих в физической электронике. Широкое развитие работ как теоретического, так и прикладного характера стимулирует интенсивный поиск электродных материалов, поэтому понятен интерес к эмиссионным свойствам различных веществ.
Одной из основных характеристик эмиттера является работа выхода электрона q>. Работа выхода определяется минимальной энергией, необходимой для перемещения электрона с поверхности Ферми в твердом теле при температуре, равной абсолютному нулю, в ту точку пространства, где поле практически равно нулю. Работа выхода, согласно представлениям, изложенным в [107, 301, 477, 726, 790], зависит как от внутренней структуры тела, так и от условий на его поверхности. Ряд исследователей, в частности [74, 75], при интерпретации эмиссионных характеристик считает определяющим состояние поверхности эмиттера, принимая, что природа атомов и электронное строение твердого тела не связаны с положением уровня химического потенциала относительно уровня энергии ?0 {hkl} электрона, покоящегося вне кристалла перед гранью {hkl}. Такая точка зрения полностью отрицает результаты работ [107, 266, 790], а также более поздних [43, 68, 244], в которых принимается, что работа выхода электрона в общем случае определяется степенью связанности его с электронным коллективом остова кристаллической решетки, т. е. энергетическим состоянием валентных электронов атома эмиттера; при этом считается, что реальные структуры поверхностных слоев различных граней кристаллов и состояния электронов в этих слоях определяются электронным строением тела.
С этих позиций развивается в последние годы оригинальный и, с нашей точки зрения, весьма перспективный подход [18, 59, 733] к пониманию самого-явления эмиссии, в основе которого лежит допущение [818—820], что поверхностные атомы металла сохраняют до некоторой степени «индивидуальный» характер/. Последнее означает, что волновые функции, описывающие состояние электронов на поверхности металла, аппроксимируются в непосредственной близости поверхностного атома волновой функцией изолированного атома. Следовательно, на поверхности имеются некие «атомные» орбитали (или их комбинации, учитывающие асимметрию окружения поверхностных атомов), выходящие'из каждого поверхностного атома металла. По этой идее каждый вылетевший электрон находился на валентной орбитали поверхностного атома решетки, т. е. эмиссия интерпретируется как переход электрона из локализованной электронной конфя*-гурации атома твердого тела в свободное состояние, причем энергией активации в* этом процессе эмиссии является нейтральная орбитальная электроотрицательность.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение........... з
Эмиссионные свойства химических элементов . 11
Поликристаллы ....... Ц
Монокристаллы...... 53
Эмиссионные свойства химических соединений . 63
Простые окислы .,....... 63
Смешанные окислы....... 70
Сложные окислы....... 72
Соли ........... 77
Бориды ......... 77
Карбиды ......... 86
Нитриды.......... 93
Алюминиды......... 94
Силициды......... 95
Халькогениды и прочие полупроводниковы'е
соединения......... 96
Сплавы.......... 101
Некоторые другие химические соединения . 111
Эмиссионные свойства химических элементов на
подложках ......... 113
Поликристаллические подложки . . . 113
Монокристаллические подложки . . . 122
Эмиссионные свойства химических соединений на
подложках......... 125
' Эмиссионные постоянные различных вариантов
оксидных катодов . . •..... 132
Литература . . ........ 134
Цена: 150руб.
