Ц 41 Контрольно-измерительная техника: Пер. с нем. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 320 с.: ил. ISBN 5-283-02474-1
Систематизированы сведения о современных методах измерения параметров и испытаний полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и оптоэлектронных элементов. Рассмотрены перспективные способы определения характеристик изделий электронной техники, в том числе силовых полупроводниковых приборов. Приведены схемы автоматических контрольных устройств и измерительных станций.
Для инженерно-технических работников в области электронно-измерительной техники, студентов вузов и широкого круга читателей, интересующихся вопросами качества элект-
ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮ
Измерения в полупроводниковой электронике являются наиболее распространенным способом получения количественной информации о качестве интегральных микросхем, полупроводниковых и оптоэлектронных приборов. Поэтому в электронной промышленности измерения составляют свыше 50 % трудозатрат на изготовление продукции. Объем измерений в ходе производства изделий электроники резко возрастает по мере увеличения степени интеграции микросхем и повышения требований к их качеству. Кроме того, измерения в полупроводниковой электронике связаны с определением количественных значений чрезвычайно малых токов, напряжений, сопротивлений, емкостей, индук-тивностей и других физических величин. Например, при контроле качества интегральных микросхем со сверхбольшой степенью интеграции необходимо измерять очень малые интервалы времени (на фронтах импульсов до 10— 30 не), значения тока (до 10~14 А) и напряжения (до 10"6 В). Из-за массового характера производства изделий полупроводниковой электроники необходимо обеспечить высокую степень автоматизации измерительных процедур. Методы и средства измерений в электронике отличаются большой спецификой; ее надо знать и учитывать при планировании и проведении работ по контролю качества изделий.
В списке дополнительной литературы приведены работы советских авторов по рассматриваемой тематике. Данная книга отличается от имеющихся отечественных изданий систематичностью подхода к проблеме измерений и испытаний полупроводниковых приборов и микросхем, содержит описание новых методов контроля изделий полупроводниковой электроники. В частности, в начале книги анализируются полупроводниковые интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы как объекты измерений: определяются параметры, подлежащие измерению в процессе испытаний или выходного контроля; раскрывается физическая сущность этих параметров, приводятся их определения; описываются методы измерения параметров изделий
полупроводниковой электроники и средства измерений, необходимые для этого. Затем излагаются вопросы измерения аналоговых и цифровых интегральных микросхем, мощных полупроводниковых приборов, изделий оптоэлектроники. Значительное внимание уделяется повышению производительности работ по испытаниям и контролю качества изделий полупроводниковой электроники, описанию автоматических контрольных устройств и автоматических измерительных станций. Особый интерес представляют методы и средства контроля микросхем с большой и сверхбольшой степенью интеграции, основанные на измерении разности потенциалов с использованием электронно-лучевых зондов. Книга удачно написана с методической точки зрения, использовано .большое число схем, рисунков, фотографий и графиков, иллюстрирующих измерительные процессы. Математический аппарат не сложен и применяется в той степени, которая достаточна для понимания материала широким кругом читателей. Книга будет полезна не только специалистам в области электроники, но и тем, кто на практике имеет дело с проверкой годности изделий полупроводниковой электроники. Ее можно рекомендовать студентам техникумов и высших учебных заведений, инженерам и техникам по электронике.
Е. И. Сычев
Оглавление
Предисловие к русскому изданию......... 3
Предисловие............... 5
Список обозначений ............. 6
Глава 1. Введение............ 8
Глава 2. Аналоговые интегральные схемы...... 10
2.1. Данные, содержащиеся в техническом паспорте ... 12
2.2. Общие измерения........... '4
2.3. Измерения параметров типовых схем..... 25
2.4. Методы и средства контроля........ 60
Глава 3. Контроль цифровых интегральных схем ..... 66
3.1. Введение.............. 66
3.2. Причины и модели неисправностей...... 71
3.3. Генерация тестовых воздействий....... 81
3.4. Обеспечение контролепригодности на стадии проектирования ............... 105
3.5. Контроль цифровых запоминающих устройств ... 116
3.6. Контрольные автоматы.......... 122
Глава 4. Надежность интегральных схем...... 128
4.1. Понятие надежности и статистические способы ее описания ............... 129
4.2. Механизмы отказов и их действие при нагрузке . . 134
4.3. Реальная надежность.......... 150
4.4. Меры обеспечения надежности....... 156
4.5. Количественные значения надежности..... 166
Глава 5. Электронно-зондовая техника для измерения потенциала интегральных схем........... 176
5.1. Введение.............. 176
5.2. Качественные методы.......... 178
5.3. Количественные методы......... 186
5.4. Условия измерений............ 191
5.5. Приборы.............. 201
5.6. Применения............. 209
Глава 6. Контроль полупроводниковых элементов с помощью
тока, индуцированного электронным лучом (EBIC) . . . 216
6.1. Введение.............. 216
6.2. Основные положения.......... 216
6.3. Условия испытаний........... 221
6.4. Применение............. 224
319
Глава 7. Полупроводниковые элементы большой мощности . 231
7.1. Обзор ............... 231
7.2. Типовые проблемы измерительной техники для полупроводниковых элементов большой мощности .... 235
7.3. Типовые методы измерений .,.,.... 239
7.4. Описание измерительной установки...... 272
Глава 8. Оптоэлектронные элементы....... 279
8.1. Введение.............. 279
8.2. Светотехнические измерения........ 279
8.3. Измерения в источниках света....... 286
8.4. Измерения параметров приемников света .... 301
8.5. Измерение параметров приемопередающих устройств . 307
Список литературы............. 312
Дополнительный список литературы........ 318
Цена: 150руб.
