Предназначена для радиолюбителей-конструкторов.
КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
По областям применения или назначению транзисторы разделяются на следующие основные группы: мал^ащрые НИ;^У стотные, маломрщные высокочастотные, быстродействующие" пё^еВЗЯИЧйИВДв," моЖные"нйЗКОЧ'8сИтные''"мощные переключающие и мощные высоко-частотныёТ*Такая*Тл'9СРЬфнкация транзисторов- в значительной мере условна}, и зачастую один и тот же транзистор может применяться, например, в предварительных и оконечных каскадах усилителя низкой частоты, в переключающих схемах и высокочастотных усилителях или генераторах. Поэтому в последнее время^намеча^тсд^уе^нден-ция классифицировать тракаи!??!^^^^^^?^^,»^^^^^^^,.^1^ ум млМёВпшм признакам: по мощности и "".......-*-'•"- -*- -•••-• "'" '"
"" Но ИСЛВДНиМу полупроводниковому материалу выпускаемые в настоящее время транзисторы делятся на германиевые и кремниевые. Транзисторы, изготовленные на основе кремния, допускают работу при температурах до 120—150° С, в то время как у германиевых тран^ зисторов наивысшая рабочая температура не превышает 70—85° С. Существуют транзисторы двух структур: р-п-р и п-р-п, отличающихся противоположными полярностями питающих напряжений. Это обстоятельство позволяет упростить построение ряда схем, например построить двухтактный усилитель без фазоинвертора. Транзисторы, обладающие одинаковыми параметрами, не имеющие противоположную структуру, часто называют транзисторами с дополнительной симметрией.
По принципу изготовления различают целый ряд конструктивно-технологических разновидностей транзисторов. Наибольшее распространение получили сплавные и диффузионные транзисторы. 1 Сплавные транзисторы (рис. 1,а) изготавливаются путем * вплавления двух капель примесного вещества с противоположных I сторон пластинки исходного полупроводника. Таким методом удаёт-I ся получать в основном низкочастотные транзисторы малой и боль-/ шой мощности.
Диффузионные транзисторы (рис. 1,6). Высокочастотные транзисторы, в том числе мощные высокочастотные, изготовляются путем использования явления диффузии (проникновения) одних веществ в другие. В настоящее время существует ряд практических вариантов диффузионной технологии, позволяющих хорошо контролировать введение примесей в пластинку исходного полупроводника и тем самым строго выдерживать необходимую для высокочастотных транзисторов геометрию р-п переходов. Наряду с прекрасными высоко-
1* .1
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
Классификация транзисторов............... 3
Электрические параметры транзисторов........... 5
Указания по применению транзисторов......... . 10
Справочные таблицы.................... 14
Цена: 150руб.
