85 Интегральные и многотранзисторные каскады избирательных усилителей. — М.: Энергия, 1978.— 80 с., ил.— (Б-ка по радиоэлектронике; Вып. 60).
20 к.
В книге рассматриваются вопросы построения избирательных усилителей, приводятся методы расчета резонансных усилителей на транзисторах- и интегральных микросхемах. На основе анализа устойчивости и широкополосное™ определяются характеристики интегральных микросхем, работающих в режиме усиления.
Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также для студентов вузов.
QO ИДЯ
ПРЕДИСЛОВИЕ
Избирательные усилители находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре. Они изготовляются в основном на транзисторах или интегральных микросхемах. При этом переход на новые элементы характеризуется не только заменой одного типа усилительного прибора другим, но и существенным развитием схемотехники. Так, в избирательных усилителях на транзисторах, кроме схемы общий эмиттер — общая база, повторившей ламповый прототип каскодной схемы, применяются и другие схемы, например общий эмиттер— общий эмиттер, общий коллектор — общая база и т. д. В интегральных микросхемах нашли применение многотранзисторные усилительные элементы', позволяющие полнее реализовать потенциальные возможности микроэлектроники при создании избирательных усилителей.
В настоящее время опубликовано большое количество работ по расчету и анализу избирательных усилителей на транзисторах. Однако некоторые вопросы, такие, как выбор оптимальной структуры и схемы усилителя, разработаны недостаточно. Особенно это относится к многотранзисторным усилительным элементам, применяемым в интегральных микросхемах.
В книге делается попытка облегчить выбор оптимального варианта построения избирательного усилителя в дискретном или гибридном интегральном исполнении.
Микросхемы для избирательных усилителей содержат обычно от одного до четырех транзисторов. Поэтому в книге подробно анализируются основные свойства таких усилительных элементов. Приводятся выражения для У-параметров многотранзисторных усилительных
элементов, использованных или рекомендуемых для применения в микросхемах.
Большое внимание уделяется вопросам устойчивости избирательных усилителей, приводятся рекомендации по выбору коэффициента устойчивости. Предлагаются выражения для определения максимального устойчивого коэффициента усиления любого типа транзисторного усилительного элемента, а также сравнивается устойчивость различных схем усилителей в диапазоне частот.
На основании анализа широкополосности различных схем усилительных элементов производится сравнение их эффективности при различных полосах пропускания.
В заключение приводятся рекомендации по расчету параметров микросхем и примеры использования некоторых серийно выпускаемых гибридных микросхем в качестве избирательных усилителей.
Автор благодарен профессору В. А. Волгову за критические замечания и советы, позволившие улучшить книгу.
Автор будет признателен читателям за замечания, которые следует направлять по адресу: 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, издательство «Энергия».
Автор
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.............. *
1. Транзисторные усилительные элементы дискретных и интегральных избирательных усилителей ...*.... 5
2. Эквивалентные У-параметры некоторых транзисторных усилительных элементов ........... ^
3. Определение У-щараметров транзисторов через элементы физической эквивалентной схемы.......23
4. Проблема устойчивости при проектировании избирательных усилителей..............26
5. Устойчивый коэффициент усиления каскада с многотранзисторным усилительным элементом......"8
6. Сравнение усилительных элементов по устойчивому коэффициенту усиления.........."• 32:
7. Выбор коэффициента устойчивости.......42
8. Сравнение коэффициентов усиления различных схем при согласовании.............47
9. Сравнение устойчивого и согласованного коэффициентов усиления..............°&
10. Усилительные возможности различных схем при широкой
и узкой полосах пропускания ........ 60
11. Транзисторы гибридных 'микросхем.......63
12. Выбор типа микросхемы и определение ее параметров . . 66
13. Схемы и параметры серийных гибридных .микросхем . . 67 Список литературы...........78
Цена: 150руб.
