117 Электровакуумные и полупроводниковые приборы. М., Воениздат, 1973.
292 стр.
Курс учебного пособия «Основы радиотехники и радиолокации» состоит из четырех самостоятельных книг:
Колебательные системы.
Электровакуумные и полупроводниковые приборы. Радиопередающие и радиоприемные устройства. Радиолокация.
Курс рассчитан на курсантов радиотехнических училищ, в которых радиотехника и радиолокация являются профилирующими дисциплинами. Курс представляет интерес для офицеров, связанных с эксплуатацией радиотехнических средств, а также для учащихся гражданских учебных заведений, занимающихся изучением радиотехники и радиолокации.
В данной книге описаны электровакуумные приборы, электроннолучевые приборы, полупроводниковые приборы. Большое внимание уделяется физической стороне происходящих явлений. Математический аппарат в основном использован в объеме средней школы.
Книга «Колебательные системы» издана. Готовятся к изданию остальные книги курса.
Г- .. ~п - 1 т, опилено Vanaltiutll/nnl-lv» и М гпявя 9^и[ЬпГРПКРПНПМ R И . Г.Л ЯНЭ Л **•
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
о
Глава!. Электровакуумные приборы................. °
§ 1. Общие сведения об электровакуумных приборах........ ~
1. Принцип устройства и работы электронной лампы....... ~~
2. Движение электронов в электрическом поле.......... &
§ 2. Катоды электровакуумных приборов .............. j^
1. Электронная эмиссия ..................... 7Г
2. Способы накала катода.................... |s
3. Параметры катода ...................... !^
4. Типы катодов......................... |)!
5. Конструкция катодов..................... '^
6. Эксплуатация катодов .................... ''
§ 3. Двухэлектродная лампа .................... 'а
1. Принцип работы двухэлектродной лампы ........... ~~
2. Пространственный заряд ................... 20
3. Характеристики двухэлектродной лампы............ ^3
4. Сопротивление лампы постоянному и переменному токам ... ^6
5. Нагрузочный режим диода .................. 33
6. Мощность, выделяемая на аноде ............... 35
7. Конструкция и применение двухэлектродных ламп....... 37
§ 4. Трекэлектродная лампа .................... •—
1. Устройство и принцип работы триода............. —
2. Характеристики триода.................... 39
3. Статические параметры триода ................ 44
4. Определение параметров триода................ 49
5. Понятие о сопротивлении триода постоянному току...... 50
6. Нагрузочный режим триода.................. 51
7. Построение нагрузочной управляющей характеристики...... 56
8. Область допустимых режимов работы............. 57
9. Междуэлектродные емкости триода.............. 58
§ 5. Принцип усиления переменного напряжения лампой....... 59
1. Схема резисторного усилителя и физические процессы в нем . . —
2. Эквивалентная схема усилительного каскада .......... 63
3. Коэффициент усиления каскада................ 66
4. Графический метод расчета усилительного каскада ....... 67
§ 6. Четырехэлектродная лампа................... 60
1. Основные требования, предъявляемые к усилительным лампам, и недостатки триода ...................... —
2. Устройство четырехэлектродной лампы. Роль экранирующей сетки 70
3. Характеристики и параметры тетродэ ............. 73
4. Динатронный эффект .,'..,'.....,........., 74
§ 7. Пятиэлектродная лампа . ................... 77
1. Устройство пятиэлектродной лампы, Роль защитной сеткн , . , ~
2, Характеристики пентода.............,...... 79
3. Параметры пентода...................... 82
4, Пентод с удлиненной характеристикой............. 83
5. Виды пентодов........................ 85
§ 8. Лучевой тетрод ........................ 86
§ 9. Специальные лампы...................... 89
1. Малогабаритные лампы.................... —
2. Лампы для сверхвысоких частот ............... 91
3. Широкополосные лампы ................... 92
4. Лампы для преобразования частоты.............. 94
5. Комбинированные лампы................... 95
§ 10. Электрический разряд в газах.................. 96
1. Физические процессы, возникающие при прохождении электрического тока через газ. Ударная ионизация........... —
2. Напряжение возникновения электрического разряда ...... 99
3. Вольт-амперная характеристика электрического разряда в газе 101
4. Высокочастотный разряд ................... 104
§ 11. Газоразрядные (ионные) приборы............... —
1. Неоновая лампа........................ —
2. Стабилитрон......................... 105
3. Газонаполненные (ионные) разрядники........... . 107
4. Тиратрон........................... 110
5. Цифровой индикатор...................... 116
Глава 2. Электроннолучевые приборы................ 119
§ 1. Электроннолучевые трубки с электростатическим управлением . . —
1. Назначение и типы электроннолучевых трубок......... —
2. Устройство электроннолучевой трубки с электростатическим уп-
равлением ....................... . . 121
3. Фокусировка электронов электрическим полем......... 126
4. Отклоняющая система трубки с электростатическим управлением 130
5. Параметры электроннолучевых трубок............. 134
6. Схема питания электроннолучевой трубки........... 136
§ 2. Электроннолучевые трубки с магнитным управлением...... 138
1. Устройство, принцип действия и схема питания........ —
2. Движение электронов в однородном магнитном поле...... 140
3. Фокусировка электронов неоднородным магнитным полем .... 143
4. Отклоняющая система трубки с магнитным управлением .... 147 § 3. Специальные типы электроннолучевых трубок.......... 151
1. Электроннолучевые трубки с центральным электродом..... —
2. Двухлучевые трубки ..................... 152
3. Электроннолучевые трубки с ионными ловушками....... 153
4. Электроннолучевые трубки с послеускорением электронов . . . ~ 154
5. Характрон.......................... 156
§ 4. Электроннолучевые приборы с накоплением заряда....... 158
1. Классификация электроннолучевых приборов с накоплением заряда ............................. —
2. Иконоскоп .....-..................... 159
3. Видикон ........................... 160
4. Потенциалоскоп........................ 164
5. Тайпотрон и графекон..................... 168
Глава 3. Полупроводниковые приборы................ 171
§ 1. Электропроводность полупроводников .............. ~~
1. Кристаллические структуры полупроводников ......... ~~,
2. Основные понятия зонной теории............... JJJ?
3. Носители зарядов в полупроводниках............. J1?
4. Уровень Ферми в полупроводниках.............. |°'
5. Концентрация свободных носителей зарядов в полупроводниках j°g
6. Электропроводность полупроводников ............. jgg
7. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей . . • • |д|
8. Наклон энергетических зон в электрическом поле........
290
Стр.
§ 2. Контактные явления в полупроводниках............. 192
1. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии .... —
2. р—я-переход при обратном смещении............. 'So
3. р—я-переход при прямом смещении.............. 199
4. Пробой перехода....................... 202
5. Контакт металл — полупроводник. Омический контакт..... 205
§ 3. Полупроводниковые диоды................... 208
1. Вольт-амперная характеристика и основные параметры диодов —
2. Выпрямительные диоды.................... 210
3. Стабилитроны......................... 212
4. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды........ 214
5. Импульсные диоды...................... 215
6. Туннельные диоды...................... 221
7. Лавинно-пролетные диоды................... 227
8. Диоды на гетеропереходах .................. 228
§ 4. Принцип действия транзистора. Токи транзистора ,....... . 229
1. Типы транзисторов. Схема включения и режимы ....... —
2. Токи транзистора....................... 231
§ 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов ......... 235
1. Назначение и типы характеристик............... —
2. Характеристики транзисторов с общей базой.......... 236
3. Характеристики транзисторов с общим эмиттером....... 240
§ 6. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов........ 245
1. Параметры транзисторов ................... —
2. Эквивалентные схемы..................... 248
3. Транзистор как линейный активный четырехполюсник..... 250
4. Зависимость параметров транзистора от частоты, температуры
и режима........... . ,.............. 254
5. Шумы транзистора...................... 261
§ 7. Другие типы транзисторов................... 263
1. Транзистор типа р—п—i—р.................. —
2. Дрейфовый транзистор .................... 264
3. Канальный транзистор .................... —
4. Четырехслойные р—п—р—п-структуры............. 266
§ 8. Работа транзистора. с нагрузкой................ 268
1. Принцип действия усилителя с общей базой.......... —
2. Принцип действия усилителя с общим эмиттером....... 270
3. Принцип действия усилителя с общим коллектором....... 272
4. Температурная стабилизация исходного режима транзистора . . 274 § 9. Работа транзистора в импульсном режиме........... 276
1. Переходные процессы в транзисторе с общим эмиттером .... —
2. Переходные процессы в транзисторе с общей базой...... 281
§ 10. Методы изготовления р—п-переходов ...........". 282
1. Электрическая формовка точечного контакта.......... —
2. Метод сплавления.....................' 283
3. Метод вытягивания электронно-дырочных переходов из расплава 284
4. Электрохимический метод............... 285
5. Диффузионный метод............'..''...... 286
Цена: 300руб.
