хименко Я. К- «Техшка», 1972, 352 стр.
Описана методика анализа и расчета схем транзисторных радиоприемных устройств с учетом специфических особенностей транзисторов по сравнению с электронными лампами. Рассмотрены основные понятия полупроводниковой электроники, свойства транзисторов и других полупроводниковых приборов, используемых в транзисторных приемниках. Значительное внимание уделено описанию современных методов анализа и расчета усилительных цепей со слабыми сигналами и обратной связью. Описаны особенности схем и методики расчета усилительных и преобразовательных каскадов транзисторных приемников, их цепей питания и регулировок. Рассмотрены принципиальные схемы и основные технические показатели транзисторных вещательных приемников различных типов. Рассчитана на широкий круг инженерно-технических работников. Табл. 7, илл. 244, библ. 27.
Предисловие
Технический прогресс играет решающую роль в строительстве нового, коммунистического общества. Особое место в технике наших дней занимает радиоэлектроника, широко применяемая во всех отраслях народного хозяйства. .Бурное развитие радиоэлектроники в последние годы связано с разработкой и внедрением полупроводниковых приборов различных типов, в первую очередь транзисторов.
Приемно-усилительные устройства — одна из наиболее перспективных областей применения транзисторов, но здесь их внедрение в известной мере тормозилось отличием в подходе к расчету схем с электронно-вакуумными лампами и транзисторами.
Методика расчета ламповых схем со слабыми сигналами базируется в основном на использовании схем замещения лампы с эквивалентными проводимостями. Для описания свойств точечного транзистора, родоначальника большого семейства современных полупроводниковых усилительных приборов, наиболее удобны схемы замещения четырехполюсника с эквивалентными параметрами, имеющими размерность сопротивлений, или смешанны-. ми (гибридными) параметрами. Методика расчета с помощью этих систем эквивалентных параметров, распространенная впоследствии и на схемы с плоскостными транзисторами, существенно отличается от общепринятой методики расчета ламповых схем, что затрудняет освоение транзисторной техники инженерами-радистами, специализировавшимися в области прием-но-усилительных устройств с вакуумными лампами.
Впервые в отечественной литературе целесообразность общего подхода к расчету ламповых и транзисторных схем была показана в работе [4]. Подобный подход наиболее просто реализуется при описании свойств транзисторов эквивалентными проводимостями и соответствующими им схемами замещения. Следует отметить, что эти параметры использовались в ранних работах по расчету транзисторных схем [6, 14], опубликованных в отечественной литературе. Однако в те годы они еще не получили широкого признания, что и вызвало выход в свет книги [17], в которой на примере наиболее знакомых широкому кругу читателей радиоэлектронных устройств была показана целесообразность методики расчета, основанной на использовании эквивалентных про-водимостей. Подобный подход, изложенный в этой книге [17] и ее последующих изданиях на русском и болгарском языках, позволил максимально приблизить методику расчета транзисторных приемников к общепринятой методике расчета ламповых приемников и подчеркнуть специфические особенности применения транзисторов. Использование простейшего матричного аппарата в ряде случаев привело к значительному упрощению анализа схем со слабыми сигналами и облегчению составле- • ния расчетных формул.
Дальнейшее развитие методов анализа и транзисторной техники потребовало значительной переработки книги в ее настоящем издании. Вместе с тем опубликование ряда пособий и справочников позволило изъять материалы, органически не связанные с основным содержанием книги.
Отзывы и пожелания просьба направлять по адресу: 252601, Киев, 4, ГСП, Пушкинская, 28, издательство «Техника».
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
Предисловие............................. 3
Глава 1. Принцип действия полупроводниковых приборов........ 5
1. Основные понятия полупроводниковой электроники ..... 5
2. Электронно-дырочные переходы.............. 9
3. Однопереходные полупроводниковые приборы........ 11
4. Усилительные полупроводниковые приборы......... 16
Глава 2. Свойства транзисторов.................... 25
1. Вольт-амперные характеристики.............. 25
2. Линейная аппроксимация статических характеристик..... 32
3. Схемы замещения транзисторов....... ...... 35
4. Частотные свойства транзисторов . . ........... 39
5. Собственные шумы транзисторов.............. 43
6. Температурные свойства транзисторов........... 46
7. Сравнение с электронно-вакуумными лампами........ 50
Глава 3. Методика анализа транзисторных схем.............. 54
1. Основные определения................... 54
2. Метод эквивалентных схем................ 59
3. Метод эквивалентного четырехполюсника.......... 63
4. Прямые матричные методы................. 69
5. Обобщенный метод узловых напряжений .......... 73
6. Приведение к эквивалентному четырехполюснику ...... 78
7. Метод обобщенных чисел................. 83
Глава 4. Обратная связь и чувствительность .............. ^8
1. Основные определения.................
2. Классификация схем с обратной связью........
3. Расчет усилителей с обратной связью .........
4. Расчет многокаскадных усилителей ...........
5. Анализ устойчивости.................
6. Стабильность и чувствительность ......... • .
Цепи питания.....................•
1. Источники питания .... ..............
2. Выбор рабочей точки.......''..........
3. Стабилизация рабочей точки ..............
4. Расчет цепей питания .................
5. Цепи питания с термокомпенсацией.............|;?j?
Выходные каскады приемника................}^
1. Введение.......................
2. Выходные усилители класса А.............
3. Выходные усилители класса В............
4. Схемы выходных каскадов..............
5. Расчет выходных каскадов ............• •
Глава В.
Глава 6.
93 97 101 104 109 112 112 116 122 126 136
142 146 151 160
• 34Ь
Глава 7. Предварительные усилители низкой частоты.......... 167
1. Введение . . . '...................... 167
2. Обратная связь в предварительных усилителях...... . 172
3. Резистивно-емкостные усилители .............. 178
4. Усилители с индуктивной связью............. 184
5. Усилители с непосредственной связью........... !91
6. Фазоинверсные каскады.................. 198
7. Избирательные усилители низкой частоты.......... 203
Глава 8. Высокочастотные усилители................. 210
1. Особенности высокочастотных усилителей......... 210
2. Устойчивость избирательных усилителей.......... 214
3. Нейтрализация избирательных усилителей ......... 219
4. Резонансные усилители.................. 223
5. Полосовые усилители................... 231
6. Широкополосные усилители................. 236
7. Усилители с туннельными диодами.............. 244
Глава 9. Детекторные и преобразовательные каскады.......... 247
1. Амплитудные,диодные детекторы............. 247
2. Амплитудные триодные детекторы ....,..-..-.... 256
3. Регенеративные и сверхрегенеративные детекторы...... 263
4. Частотные детекторы................... 267
5. Смесители........................ 270
6. Гетеродины....................... 275
7. Преобразователи с совмещенным гетеродином........ 277
Глава 10. Входные цепи и регулировки приемника...........л. . 279
1. Входные цепи с электрической антенной........ '. . 279
2. Входные цепи с магнитной антенной............ 284
3. Ручные регулировки в высокочастотных цепях....... 289
4. Ручные регулировки в низкочастотных цепях........ 294
5. Автоматическая регулировка усиления ........... 297
6. Автоматическая настройка и подстройка частоты . . ... . 303
Глава, 11. Схемы приемников...................... 307
Г. Структурные схемы транзисторных приемников....... 307
2. Приемники прямого усиления ............... 315
3. Регенеративные и сверхрегенеративные приемники...... 320
. 4. Супергетеродинные приемники............... 325
5. ЧМ-приемники....................... 333
6. Телевизионные приемники...........'...... 338
Приложение
Типовые значения параметров маломощных транзисторов .... 342
Литература.............................. 346
Цена: 150руб.
