Ядышин В. И., Бурдукова С. С.— X.: Нища шк. Изд-во при Харьк. ун-те, 1985.— 232 с.
В учебном пособии рассмотрены физические процессы, устройство и принцип действия, различных полупроводниковых приборов, их характеристики, параметры, области применения; принципы интеграции, структуры и свойства элементов, разновидности интегральных схем; микропроцессоры и функциональные интегральные микросхемы.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 1 января 1985 г.
Предназначено для учащихся профессионально-технических училищ и техникумов радиотехнических специальностей.
Ил. 169. Табл. 3. Библиогр.: 13 назв.
ПРЕДИСЛОВИЕ
В «Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981 —1985 годы и на период до 1990 года» поставлена задача обеспечения устойчивого поступательного развития народного хозяйства страны на основе интенсификации общественного производства, повышения его эффективности, ускорения научно-технического прогресса. Современный научно-технический прогресс немыслим без электроники, широко проникающей в различные сферы человеческой деятельности. Содержание пособия отражает главную тенденцию развития элементной базы электроники, заключающуюся в ее постепенном и неуклонном усложнении:- в течение последних неполных 40 лет пройден путь от таких «простых» элементов, как диоды и транзисторы, до микропроцессоров и интегральных микросхем функционального типа.
При выборе материала для книги и формы его изложения авторы исходили из того очевидного факта, что сегодняшние учащиеся ПТУ к началу XXI в. станут кадровыми рабочими, руководителями производства или научными работниками, т.е. людьми, непосредственно ответственными за будущее электроники. В производственной деятельности им неизбежно' придется иметь дело с электронными приборами, намного превосходящими современные по сложности принципа действия и разнообразию используемых, физических эффектов и явлений. Восприимчивость специалиста к новым идеям во многом зависит от полноты его знакомства с физическими основами своей специальности. Поэтому авторы посчитали целесообразным отказаться от обычно принятого чисто • информативного изложения материала. Практически все вопросы, относящиеся к принципу действия описанных в пособии приборов, изложены на достаточно строгом, физически и логически доказуемом уровне.
Пособие состоит из двух частей. В первой части (гл. 1—8) изложены физические основы полупроводниковой электроники, описаны принципы работы, общие свойства, а также параметры и характеристики дискретных полупроводниковых приборов. Биполярным транзисторам посвящены гл. 4 —6. В гл. 8 рассмотрены приборы, реагирующие на внешние, неэлектрические воздействия (фото-, опто- и термоприборы), которые объединены в группу приборов функционального типа. Знакомство с ними дает представление о методах, используемых при решении задач функциональной электроники.
Вторая часть книги (гл. 9—15) посвящена элементной базе микроэлектроники. Учащиеся, которые должны получить лишь
1*
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ..................... 3
Введение .......•.............. 5
1. Физические основы полупроводниковой электрокики
1.1. Общие свойства полупроводников ...,.,..,, 7
1.2. Основы зонной теории твердого тела......., 9
1.3. Собственные полупроводники........... 13
1.4. Примесные полупроводники , . . ,...... 15
1.5. Удельная электропроводность полупроводников .... 19
1.6. Электрические токи и поля в полупроводниках..... 20
1.7.- Неравновесные носители заряда.......... 22
1.8. Поверхностные явления............. 22
2. Контактные явления в полупроводниках
2.1. Разновидности электронно-дырочных переходов .... 23
2.2. Технология электронно-дырочных переходов ...... 25
2.3. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии . . 27
2.4. Электронно-дыроиный переход с внешним напряжением. . 31
2.5. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода ................... 35
2.6. Емкостные свойства электронно-дырочного перехода . . . 37
2.7. Контакты металл—полупроводник ..,,,,,,. 38
3. Полупроводниковые диоды
3.1. Общие свойства и классификация диодов......... 40
3.2. Выпрямительные диоды............. 41
3.3. Стабилитроны............ .... 45
3.4. Варикапы .................47
3.5. Высокочастотные диоды.............49
3.6. Импульсные диоды............... 50
3.7. Туннельные диоды...............52
3.8. Лавинно-пролетные диоды *......, , , . , 55
4. Биполярные транзисторы
4.1. Устройство биполярных транзисторов ........ 56
4.2. Принцип действия бездрейфового транзистора БТ . , , 57
4.3. Режим работы транзистора..........» , 60
4.4 Схемы включения транзистора........., . 63
4.5. Статические характеристики транзистора в схеме ОБ. ... 65
4.6. Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ . , . 68
5. Эксплуатационные свойства биполярных транзисторов
5.1. Работа транзистора с нагрузкой.......... 71
5.2. Эквивалентные схемы транзистора......... 76
5.3. Параметры транзистора............. 79
5.4. Частотные свойства транзистора ,,,..,.... 82
5.5. Ключевые свойства транзистора.......... 84
5.6. Шумовые свойства транзистора.......... 87
6. Разновидности биполярных транзисторов. Тиристоры.
6.1. Технологические типы биполярных транзисторов .... 89
6.2. Мощные и высоковольтные транзисторы....... 94
6.3. Тиристоры.........,....... 97
7. Полевые транзисторы
7.1 Устройство и разновидности полевых транзисторов .... 101
219
7.2. Полевые транзисторы с р-п-затвором...... . . . 103
7.3. Эксплуатационные свойства полевого транзистора .... 106
7.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором . . . . .110
8. Дискретные функциональные приборы
8.1. Фотоэлектронные приборы ............ 113
8.2. Оптоэлектронные приборы .,..»,..,.,. 118
8.3. Термоэлектрические приборы .,..,,.,.., 120
9. Элементная база интегральной микроэлектроники
9.1.Предмет и этапы развития микроэлектроники ...... 123
9.2. Разновидности и классификация ИМС ........ 127
9.3. Конструктивно-технологические разновидности микросхем 129
9.4. Аналоговые интегральные микросхемы........133
9.5. Цифровые интегральные микросхемы......... 136
9.6. Пределы микроминиатюризации электронных схем. . » . 139
10. Основы технологии полупроводниковых ИМС
10.1 Принципы полупроводниковой технологии....... 142
10.2. Технология подготовки полупроводниковых пластин . . .143
10.3. Способы формирования структур полупроводниковых ИМС . 145
10.4. Формирование систем межсоединений ИМС....... 151
10.5 Типовые технологические процессы производства биполярных ИМС................. 152
10.6. Технология полупроводниковых МДП — ИМС ..... 158
10.7. Герметизация полупроводниковых ИМС ....... 160
11. Основы пленочной и гибридной технологии
11.1. Диэлектрические подложки............ 163
11.2. Технология толстых пленок ........... 164
11.3. Технология тонких пленок............165
11.4. Технология активных пленочных структур ,.....169
11.5. Технология гибридных ИМС...........170
12. Элементы и компоненты интегральных микросхем
12.1. Биполярные интегральные транзисторы ...,.,. 172
12.2. Специальные типы БИТ............. 178
12.3. Интегральные диоды......,....... 180
12.4. Интегральные полевые транзисторы......... 181
12.5. Пленочные активные элементы.......... 184
12.6. Полупроводниковые пассивные элементы....... 185
12.7. Пленочные пассивные элементы .......... 190
12.8. Навесные компоненты ГИС .......,'.,... 194
13. Большие интегральные схемы
13.1. Полупроводниковые БИС и СБИС .......... 195
13.2. Пленочные и гибридные БИС ........... 203
13.3. Бескорпусные БИС .- ............. 205
14. Микропроцессоры
14.1. МикроЭВМ и процессоры............ 207
14.2. Области применения микропроцессоров . ...... 208
14.3. Устройство и параметры микропроцессоров ...... 211
14.4. Микропроцессорные комплекты .......... 215
15. Функциональная микроэлектроника
15.1. Функциональные интегральные схемы ....... 216
15.2. Акустоэлектроника.............. 217
15.3. Оптоэл.ектроника..........., « . . 219
15.4. Магнитоэлектроника.............. 220
Условные обозначения полупроводниковых приборов и интегральны»
микросхем.................... . 222
Список литературы..................224
Предметный указатель..................226
Цена: 150руб.
