В книге рассматриваются типовые схемы усилителей на плоскостных транзисторах. Их анализу предшествует объяснение физических процессов, происходящих в полупроводниках и Полупроводниковых приборах.
Для качественного и количественного анализа свойств усилителей широко используются статические и динамические характеристики транзисторов, а также их собственные и четырехполюсни-ковые параметры.
Работа основных схем иллюстрируется графиками мгновенных значений токов и напряжений, что позволяет читателю наглядно уяснить физическую сущность процесса усиления полезного сигнала. Книга предназначается в качестве учебного пособия для учащихся средних радиотехнических учебных заведений (военные училища, техникумы). Она также будет полезной для широкого круга лиц, занимающихся изучением полупроводниковой техники.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Принятые сокращения................,,.,-,.. , . 3
Предисловие.............................. 4'
Глава I. Общие сведения о транзисторных усилителях........ 5
§ 1.1. Обобщенная схема усилительного каскада . . . :...... —
§ 1.2. Классификация транзисторных усилителей.......... 7
§ 1.3. Основные показатели транзисторного усилителя ,..... 8
Глава II. Электронно-дырочные переходы.............. 15
§ 2.1: Кристаллическая решетка и собственная проводимость четырехвалентного полупроводника ......... ....... —
§ 2.2. Полупроводники я-типа и р-типа.....,........ 21
§ 2.3. Понятие о'б электронно-дырочном переходе.......... 25
§ 2.4. Потенциальный барьер я-р-перехода............. '26
§ 2.5. Прямой и обратный ток я-р-перехода............ 30
§ 2.6. Вольтамперная характеристика я-р-перехода.........• 33
§ 2.7. Емкость я-р-перехода . .....;,.,,.......... 35
Глава III. Плоскостные транзисторы ...-.-.,,......... 37
§ 3.1. Устройство плоскостного транзистора ...-.•........., —
§ 3.2. Типичные конструкции плоскостных транзисторов...... 38
§ 3.3. Физические процессы в транзисторе при статическом режиме
его работы.......................... 41
§ 3.4. Статические характеристики транзистора с общей базой ... 49
§ 3.5. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером 52
Глава IV. Системы малосигнальных статических параметров транзистора .................. ....... ....... 58
§ 4.1. Четырехполюсник, эквивалентный транзистору ........ —
§ 4.2. Система z-параметров и r-параметров транзистора..... 59
§ 4.3. Определение r-параметров транзистора по его статическим характеристикам ................... ..:.... 62
§4.4. Эквивалентные схемы транзистора в /--параметрах ......... 65
§ 4.5. Система (/-параметров и <7-паРаметР°в транзистора ...... 69
§ 4.6. Система я-параметров транзистора.............. 70
§ 4.7. Определение Л-параметров транзистора по его статическим характеристикам........................ 73
§ 4.8. Эквивалентная схема транзистора в я-параметрах ...... 75
Глава V. Реостатный усилитель с общей базой .•,-.-........ , 77
§ 5.1. Основные параметры усилителя................ —
§ 5.2. Динамические характеристики усилителя........... 79
§ 5.3. Физические процессы в усилителе и графическое определение
его основных параметров.................. 83
207
Стр.
§ 5.4. Аналитический расчет основных параметров усилителя .... 87
§ 5.5. Частотные свойства усилителя................. 89
§ 5.6. Усилители с одним источником питания . . ,........ 97
Глава VI. Реостатный усилитель с общим эмиттером........ 101,
§ 6.1. Динамические характеристики усилителя........... —
§ 6.2. Физические процессы в усилителе и графическое определение
его основных параметров................... 103
§ 6.3. Аналитический расчет основных параметров усилителя . . . 109 § 6.4. Выходное сопротивление транзистора и транзисторного усилителя............................... 113
§ 6.5. Частотные свойства усилителя................. 115
§ 6.6. Практические схемы реостатных усилительных каскадов на
транзисторе с общим эмиттером..............., 116
Глава VII. Усилители с эмиттерной и разделенной нагрузкой .... 135
§ 7.1. Эмиттерные повторители и их основные свойства....... —
§ 7.2. Физические процессы в эмиттерном повторителе и определение его параметров ..................... 139
§ 7.3. Парафазные усилители...............-..... 143
Глава VIII. Многокаскадные реостатные усилители.......... 146
§ 8.1. Принципиальная и эквивалентная схемы многокаскадного реостатного усилителя...................._. . —
§ 8.2. Физические процессы в многокаскадном реостатном усилителе ISO
§ 8.3. Примеры схем многокаскадных реостатных усилителей .... 152
Глава IX. Трансформаторные-усилители . . .л. . .-......... 158
§ 9.1. Общие сведения о трансформаторных усилителях....... —
§ 9.2. Однотактные трансформаторные усилители......... . 162
§ 9.3. Частотные свойства трансформаторного усилителя...... 174
§ 9.4. Двухтактные трансформаторные усилители ........... 177
Глава X. Импульсные усилители . ,., г,, .,.,-...•,........ 186
§ 10.1. Общие сведения об импульсных усилителях......... —
§ 10.2. Частотный спектр видеоимпульсов.............. 189
§ 10.3. Взаимная связь между амплитудно-частотной и переходной
характеристиками усилителя.................. 192
§ 10.4. Некорректированный импульсный усилитель ......... 195
§ 10.5. Импульсные усилители с высокочастотной коррекцией ... 199
§ 10.6. Импульсные усилители с низкочастотной коррекцией...» . ,;. 201
Цена: 150руб.
