В книге излагаются краткие сведения о физических основах работы полупроводниковых приборов, рассматриваются электрические характеристики и параметры транзисторов, включая высокочастотные и импульсные параметры, а также методы их измерения. Специальная глава посвящена анализу погрешностей методов измерения и их расчету Даются понятия предельных режимов работы транзисторов и рекомендации по выбору режимов работы приборов в схемах. Приводятся методы расчета теплоотводов. Об ращается внимание на необходимость сохранения «запаса прочности», имеющегося в транзисторах. Ряд разделов посвящен изложению вопросов, охватывающих не только транзисторы, но и другие классы полупроводниковых приборов: технические условия на полупроводниковые приборы, методы механических и климатических испытаний, надежности полупроводниковых приборов, методы ее количественной оценки. Приводятся сведения о видах отказов полупроводниковых приборов и зависимости их надежности от режимов и условий работы.
Книга предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией аппаратуры на полупроводниковых приборах. Она будет полезна учащимся вузов, специализирующимся в области радиотехники и полупроводниковой электроники
Табл. 45, рис. 192, библ. 119 назв.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Предисловие от редакции .............. 4
Предисловие.................... 6
Принятые обозначения ............... 8
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ............................. 13
1.1. Основные соотношения......'..-... 13
1.2. Р-п переход (диод).............. 19
1.3. Р-п-р переход (транзистор) . ,........ 26
Литература ..................... 30
2. ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОСНОВНЫХ ПАРА МЕТРОВ............................... 31
2.1. Вольтамперные характеристики транзисторов и методы их измерения.............31
2.2. Эквивалентные схемы ............49
2.3. Измерение малосигнальных параметров транзисторов на низких частотах.........105
2.4. Методы измерения высокочастотных параметров транзисторов ................ 120
Литература .....................159
3. ШУМЫ В ТРАНЗИСТОРАХ. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА.....................161
3.1. Источники шумов в транзисторе.......161
3.2. Коэффициент шума..............1§6
3.3. Эквивалентная шумовая схема транзистора . . 168
3.4. Расчет коэффициента шума при помощи эквивалентных схем ...............176
3.5. Выбор оптимальных параметров схемы ни ко-шумящего каскада..............181
3.6. Примеры расчета коэффициента шума транзисторов через параметры эквивалентной схемы . 190
3.7. Методы измерения коэффициента шума . . .192 Литература....... ..........204
4. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРАХ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫХ ПАРАМЕТРОВ ... 205
4.1. Переходные процессы ..«,.,..,,... 205 602
4.2. Методы измерения импульсных параметров 235 Литература .....................253
5. ПОГРЕШНОСТИ ПРИ ИЗМЕРЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКО ВЫХ ПРИБОРОВ..........................255
5.1. Виды погрешностей .............255
5.2. Погрешности при измерении высокочастотных параметров .................260
5.3. Погрешности при измерении параметров большого сигнала...............275
Литература.....................285
6. ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ И РЕЖИМЫ ТРАНЗИСТОРА...........................286
6.1. Тепловые параметры транзисторов......287
6.2. Максимальные (пробивные) напряжения транзистора ...................294
6.3. Максимальные токи транзистора .......316
6.4. Максимально допустимые данные транзистора . 327
6.5. Минимальные режимы транзистора......332
6.6. Теплоотводы для охлаждения транзисторов . . 333 Литература .....................350
7. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ. МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЯ ПРИБОРОВ.......352
7.1. Технические условия .............352
7.2. Испытания на устойчивость против механических воздействий...............365
7.3. Испытания на устойчивость против климатических воздействий .....'.........377
8. НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ... 406
8.1. Общие вопросы надежности полупроводниковых приборов ..................406
8.2. Испытания ППП на надежность .......424
8.3. Ускоренные испытания на надежность .... 451 Литература . .ч....... ............467
9. ОСНОВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ.........468
9.1. Основные эксплуатационные параметры транзистора ...................469
9.2. Параметры инверсно включенного транзистора 485
9.3. Выбор электрического режима транзистора . . 491
9.4. Выбор типа транзистора ...........495
9.5. Основные принципы конструирования схем на транзисторах ................. 497
Литература.....................500
Цена: 150руб.
