Математика | ||||
Основы электроники-ИП.Жерецов Москва 1967 стр.415 | ||||
В книге рассматриваются физические основы работы электровакуумных и полупроводниковых приборов, их важнейшие свойства, характеристики и параметры, а также некоторые общие вопросы применения этих приборов в радиоэлектронных схемах.
Книга предназначена для широкого круга читателей, интересующихся современной электроникой и имеющих элементарные знания по физике и электротехнике. ПРЕДИСЛОВИЕ Изумительные достижения науки и техники тесно связаны с бурным развитием электроники, которая все глубже проникает в различные области нашей жизни. Триумф советской науки в освоении космоса в большой степени является победой электроники, обеспечивающей точную и четкую работу всех автоматических, радиотехнических и телевизионных устройств, без которых невозможны космические полеты. Важнейшая роль электроники в строительстве коммунизма неоднократно подчеркнута в историческом документе нашей эпохи — Программе Коммунистической партии Советского Союза, принятой XXII съездом КПСС. Большие успехи электроники являются результатом создания разнообразных и замечательных по своим свойствам электровакуумных и полупроводниковых приборов. Именно они применяются в качестве основных элементов во всех радиоэлектронных установках. Изучение современной радиоэлектроники требует прежде всего знания принципов устройства и физических основ работы электровакуумных и полупроводниковых приборов, их характеристик, параметров и важнейших свойств, определяющих возможность применения этих приборов в радиоэлектронной аппаратуре. Данная книга представляет собой популярный учебник, в котором изложены указанные вопросы в объеме, необходимом для дальнейшего изучения радиотехнических устройств. В настоящее время количество различных типов электровакуумных и полупроводниковых приборов так велико, что не представляется возможным рассмотреть все приборы (одних названий этих приборов с окончанием «трон» насчитывается много сотен). Попытка такого изложения привела бы или к чрезмерному увеличению объема книги, или к слишком неполному и поверхностному описанию ряда приборов. Поэтому из книги исключены многие приборы, не имеющие широкого применения у радиолюбителей или не выпускаемые пока промышленностью. Так, например, не рассматриваются некоторые специальные электроннолучевые приборы и передающие телевизионные трубки, фотоэлектронные приборы, электрометрические лампы, ртутные вентили и игнитроны, некоторые специальные полупроводниковые призеры и др. В книге также не даются сведения по технологии изготовления электровакуумных и полупроводниковых приборов. ьолее глубоко и подробно изложены те вопросы, которые с точки рения автора являются особенно важными. Помимо рассмотрения менеХ прпт?0Ров' затрагиваются также некоторые вопросы их при-ламп "' НИМ относятся: использование триодов, более сложных для с" fiTPaH3HCTOP°B Для усиления колебаний, стабилитронов — получо! И3ации напРяжения, электроннолучевых трубок — для одних nnfi простейших осциллограмм и т. п. Изучение только атических пименений получо! , одних nnfi простейших осциллограмм и т. п. Изучение только РИООООВ в отпыве от их основных практических применений ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие........................ 3 Глава первая. Введение............. 5 1-1. Общие сведения об электровакуумных и полупроводниковых приборах ............ 5 1-2. Устройство и принцип работы диода...... 8 1-3. Цепи диода.................... 10 1-4. Назначение триодов............... 13 1-5. Устройство триода и его цепи......... 13 Глава вторая. Движение электронов в электрическом и магнитном полях ............ 16 2-1. Движение электронов в однородном электрическом поле.................... 16 2-2. Движение электронов в неоднородном электрическом поле.................... 21 2-3. Движение электронов в однородном магнитном поле........................ 23 Глава третья. Электронная эмиссия....... 27 3-1. Электроны в металле.............. 27 3-2. Выход электронов из металла........ . 29 3-3. Термоэлектронная эмиссия........... 32 3-4. Электростатическая электронная эмиссия ... 33 3-5. Вторичная электронная эмиссия........ 34 3-6. Электронная эмиссия под ударами тяжелых частиц ........................ 37 3-7. Флуктуации электронной эмиссии шных поибо- 39 стиц................. 37 Глава четвертая. Катоды электронных прибо- ров ........................... 4-1. Параметры катодов................ 39 4-2. Катоды прямого накала . . . ,,......... 40 4-3. Катоды косвенного накала........... 42 ' 4-4. Простые катоды................. 44 4-5. Сложные (активированные) катоды....... 45 Глава пятая. Диоды................ 50 5-1. Физические процессы в диоде.......... 50 5-2. Закон степени трех вторых для диода..... 55 5-3. Схема для исследования диода......•. . . 58 5-4. Характеристики диода............. . 59 5-5. Параметры диода ................ 63 5-6. Работа диода в режиме нагрузки ....... 70 5-7. Типы и конструкции диодов.......... 71 Глава шестая. Триоды.............. 77 6-1. Физические процессы в триоде......... 77 6-2. Действующее напряжение и закон степени трех вторых для триода................ 85 6-3. Характеристики триода............. 88 6-4. Параметры триода................ 97 6-5. Ток сетки в триоде............... 109 Глава седьмая. Рабочий режим триода ..... 114 7-1. Особенности рабочего режима.......... 114 1-1. Рабочие характеристики триода........ 116 7-3. Расчет рабочего режима по формулам..... 121 7-4. Рабочие параметры триода........... 125 7-5. Усилительный каскад с триодом........ 128 7-6. Величины, характеризующие усилительный каскад......................... 135 7-7. Графо-аналитический расчет режима усиления 140 7-8. Междуэлектродные емкости триода....... 147 7-9. Недостатки триодов............... 151 7-10. Основные типы триодов............ 152 Глава восьмая. Тетроды и пентоды....... 156 8-1. Устройство и работа тетрода.......... 156 8-2. Схемы включения тетродов........... 160 8-3. Характеристики тетрода. Динатронный эффект в тетроде..................... . 163 8-4. Параметры тетрода ............... 170 8-5. Междуэлектродные емкости тетрода....... 172 8-6. Устройство и работа пентода.......... 173 8-7. Характеристики пентода . . . ,......... 176 8-8. Параметры пентода ............... 179 8-9. Междуэлектродные емкости пентода...... 181 8-10. Устройство и работа лучевого тетрода..... 181 8-11. Характеристики и параметры лучевого тетрода 184 8-12. Рабочий режим тетродов и пентодов...... 186 8-13. Лампы переменной крутизны ......... 189 8-14. Основные типы тетродов и пентодов...... 1=1 Глава девятая. Частотопреобразовательные, комбинированные и специальные лампы......... I94 9-1. Принцип преобразования частоты....... 194 9-2. Лампы для преобразования частоты...... lyt> 9-3. Характеристики и параметры частотопреобра- зовательных ламп...............•- 200 9-4. Комбинированные и специальные приемно-уси- лительные лампы................. ^* 9-5. Электронно-световой индикатор......... ^ 9-6. Новые типы приемно-усилительных ламп .... Л" 9-7. Собственные шумы электронных ламп...... ^ll Глава десятая. Электронные лампы для сверх-высоких частот.................... 10-1. Особенности работы обычных ламп на сверх-высоких частотах................ 10-2. Наведенные токи в цепях электронных ламп 217 10-3. Входное сопротивление и потери энергии в лампах...................... 221 10-4. Диоды и триоды для СВЧ........... 225 Глава одиннадцатая. Ионные приборы. . . 231 11-1. Электрический разряд в газах......... 231 11-2. Виды электрических разрядов в газах..... 233 11-3. Тлеющий разряд................ 235 11-4. Стабилитроны.................. 241 11-5. Применение стабилитронов........... 243 11-6. Газосветные лампы............... 247 11-7. Газотроны.................... 248 11-8. Тиратроны дугового разряда ......... 255 11-9. Тиратроны тлеющего разряда......... 263 11-10. Декатроны и цифровые индикаторные лампы 265 Глава двенадцатая. Электроннолучевые трубки ............................ 270 12-1. Общие сведения об электроннолучевых приборах . ..." .................... 270 12-2. Устройство электростатической электроннолучевой трубки.................. 270 12-3. Цепи питания электроннолучевой трубки . . . 274 12-4. Электронные прожекторы электростатических трубок...................... 276 12-5. Люминесцирующий экран........... 279 12-6. Электростатическое отклонение луча...... 284 12-7. Некоторые применения электроннолучевой трубки...................... 286 12-8. Искажения изображений в электростатических трубках..................... 289 12-9. Магнитные электроннолучевые трубки..... 291 12-10. Основные типы электроннолучевых трубок . . 296 Глава тринадцатая. Полупроводниковые диоды ........................... 298 13-1. Общие сведения о полупроводниковых приборах ........................ 298- 13-2. Электропроводность полупроводников..... 300 13-3. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения............. 305 13-4. Электронно-дырочный переход при действии внешнего напряжения............. 308 13-5. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода................. 312 13-6. Емкость полупроводникового диода...... 314 13-7. Температурные свойства полупроводниковых диодов...................... 316 13-8. Выпрямление переменного тока полупроводниковыми диодами................. 317 13-9. Последовательное и параллельное соединение анодов.................. . . . . 319 415 13-10. Импульсный режим полупроводниковых дао- дов........................ 321 13-11. Основные типы полупроводниковых диодов. . 323 Глава четырнадцатая. Транзисторы .... 335 14-1. Основные понятия и определения........ 335 14-2. Физические процессы в транзисторе..... 336 14-3. Усиление с помощью транзистора....... 342 14-4. Основные схемы включения транзисторов . . , 344 14-5. Схемы питания и стабилизации режима транзисторов..................... 350 14-6. Характеристики транзисторов......... 354 14-7. Статические параметры и эквивалентные схемы транзисторов ................ 365 14-8. Расчет рабочего режима транзисторов..... 376 14-9. Влияние температуры на работу транзисторов 382 14-10. Частотные свойства транзисторов...... 384 14-11. Импульсный режим транзисторов...... 387 14-12. Собственные шумы транзисторов....... 389 14-13. Основные типы транзисторов......... 391 Глава пятнадцатая. Новые полупроводниковые приборы...................... 400 15-1. Туннельные диоды................ 400 15-2. Четырехслойные диоды и транзисторы .... 404 15-3. Канальные транзисторы............ 407 Глава шестнадцатая. Эксплуатационные особенности электровакуумных и полупроводниковых приборов ........................ 410 Заключение.........,............... 412 Цена: 150руб. |
||||