их в схемах.
Книга предназначена в качестве учебного пособия для студентов, специализирующихся в области полупроводниковой электроники.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Лабораторный практикум для студент™ ™Q
в области полупроводниковой техники п специализирующихся
бить и дополнить теоретические свеДе'нГЗВп°ЛЯеТ Не только Улу-ных курсах, но и дает' возможность 5чит "К""6 В ЛеКЦИОН-и измерения физических параметров палуппово™,Т HCCJle^OBa™* и полупроводниковых приборов. Он помогае? Д ,ЫХ матеРиал°в основные технологические процессы пппи.™ стУДентам освоить водниковых материалов. ъ?ыж*$™?™*™»х ПОЛУ"Р°-специалистам правильно выбрать новые ™утУ„ развит" М°Л°ДЫМ методы изготовления полупроводниковых прибопов И Н°ВЫе
В процессе выполнения лабораторных работ CTVOP мятся также с общими принципами создания устано^" ЗНаК°" дения экспериментальных исследований как в обляг™ А ДЛЯ Пр°Ве' проводников, так и в области полупроводников, ^ИЗИКИ полу-
образом, лабораторные работы должны ™ Прио°Ров- Таким творческие 'навыки, особенно „еобхопим^ Развивать у студентов
дание единого пособия по эксперимента ^Lv аправленная на соз-проводниковых материалов и приборов У исслеД°ванию полу-
Настоящее учебное пособие включает лабопятпп»,., п * которые дополняют лекционные курсы читаемы? tP P '' кафедры «Полупроводниковые приборы» MacKOBCKo^^f Ва™ЯМИ ского института. Сюда относятся- *и<шТ тосковского энергетиче-
вь,х оравево m» -Упроводнико-
никовой электроники. Эта частГдолжна пяг?мя °ХШ П°Лупроввд-дел, в котором на типовых примерах „зучшотсясСГ^ КйК^^ и устанавливаются предъявляемые к ним требования ПРа их рабочих характеристик и папямртпп» тРе0ования в отношении работы. При ycoBeLHCTBOBHnaPP3HbIX Р6ЖИМаХ
оти
иной типовой РсХемРе. По^Г^^^^
3
в тесно», органической связи с другими лабораторными задачами, помещенными в настоящем сборнике.
В настоящий сборник не включены описания работ по технологии полупроводниковых приборов, выполнение которых требует наличия большого количества нестандартного оборудования. Кроме того, практика работы лаборатории технологии полупроводниковых приборов показала, что технологический практикум! должен не только прививать навыки практической работы, но и знакомить студента с высокими требованиями к культуре производства, с вакуумной гигиеной и современными методами технологии. Эти требования высшее учебное заведение может удовлетворить только в тесном контакте с соответствующими производственными предприятиями, занимающимися, выпуском полупроводниковых приборов. Таким образом, тематика и характер работ по технологии полупроводниковых приборов должны соответствовать конкретным местным условиям.
В написании практикума принимали участие преподаватели: Андрушко А. Ф., Воронков Э. Н., Кубецкий Г. А., Малышев Ю. А., Сетюков Л. И., Соколов А. А., Хирин В. Н., Шалимова К. В.
Насколько нам известно, пособие по экспериментальному исследованию полупроводниковых материалов и приборов выпускается впервые. Естественно поэтому, что оно не лишено недостатков. Указания на них будут встречены с благодарностью. Их мы просим направлять кафедре «Полупроводниковые приборы» Московского энергетического института.
Мы надеемся, что настоящее пособие окажется полезным не только студентам, специализирующимся по полупроводниковой электронике, но также инженерам и всем тем, кто работает в этой области.
Авторы.
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие ........................ 3
Раздел первый. Физика электронных полупроводников 7
Введение.......................'. 7
1-1. Определение удельного сопротивления полупроводников компенсационным методом.................. 8
1-2. Определение концентрации носителей тока в полупроводниках .......................... 20
1-3. Определение диффузионной
длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках...... 25
1-4. Определение контактной разности потенциалов между полупроводником и металлом ............... 34
1-5. Определение дрейфовой подвижности неосновных носителей тока в полупроводнике импульсным методом ..... 44
1-G. Измерение времени жизни неосновных носителей тока в полупроводнике методом модуляции проводимости ...... 54
1-7. Определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника............... 60
1-8. Измерение температурной зависимости термо-э. д. с. полупроводников ....................... 69
1-9. Измерение скорости рекомбинации на поверхности германия ......
................ 81
1-10. Изучение оптического поглощения полупроводников
1-11. Изучение фотоэлектрических свойств полупроводников . . 101
1-12. Изучение люмшг~
92
.-1^.. изучение люминесценции полупроводников........ 109
Раздел второй. Технология полупроводниковых материалов ......................... 115
Введение ........................ 115
2-1. Выращивание монокристаллов полупроводников методом вытягивания из расплава.................. 116
2 2. Горизонтальная зонная плавка .............. 124
2-3. Влияние термической обработки на электрические свойства
германия . •....................... 130
2-4. Металлографическое исследование полупроводников.... 135
5
2-5. Получение монокристаллов сернистого кадмия....... 143
Раздел третий. Физика полупроводниковых приборов 147
Введение......."................. 147
3-1. Изучение свойств германиевых и кремниевых плоскостных диодов ........................... 147
3-2. Изучение статических характеристик полупроводниковых
триодов......................... 156
3-3. Изучение эквивалентных схем и параметров полупроводниковых триодов...................... 164
3-4. Температурная зависимость параметров германиевых триодов .*.......................... 173
3-5. Частотные свойства полупроводниковых триодов...... 181
3-6. Импульсные свойства полупроводниковых триодов..... 192
3-7. Изучение шумов полупроводниковых триодов......• 205
3-8. Изучение характеристик термосопротивлений (термисторов) . 211
3-9. Изучение характеристик фотосопротивлений........ 218
Разделчетвертый. Применение полупроводниковых
приборов........................ 225
Введение ........................ 225
4-1. Стабилизация рабочей точки усилительного каскада на полупроводниковом триоде................. 225
4-2. Характеристики и параметры составных полупроводниковых триодов...................... 232
4-3. Усилитель низкой частоты на полупроводниковых триодах 239
4-4. Усилитель мощности на полупроводниковом триоде .... 250
4-5. Мультивибратор на плоскостных триодах......... 256
4-6. Полувибратор (триггер)................. 262
4-7. Усилитель мощности класса Д.............. 269
4-8. Частотный дискриминатор................ 278
4-9. Стабилизатор напряжения................ 284
4-10. Двухтактный преобразователь напряжения........ 295
Цена: 150руб.
