49 Фототиристоры. М., «Энергия», 1971. 104 с. с ил.
В книге рассматриваются характеристики н параметры фототиристоров — четырехслойных полупроводниковых переключателей, управляемых светом. Предлагается система параметров, пригодная для качественной оценки фототиристоров и расчета схем с ними. Методика расчета схем с фототиристорами рассматривается на примерах электронного ключа, ждущего мультивибратора и релаксационного генератора.
Книга рассчитана на широкий круг инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением средств автоматики и измерительной техники, а также может быть полезна студентам соответствующих специальностей.
ВВЕДЕНИЕ
Многие задачи автоматизации решаются с помощью фотоэлектрических устройств, преобразующих световое излучение в электрическую энергию. Это элементы аналого-цифровых 'преобразователей, фотореле, элементы систем сигнализации и контроля, а также элементы логических и имлульсных схем автоматики.
Используемые в настоящее время полупроводниковые фотопр'Иемники—фотодиоды и фототранзисторы — являются .приборами аналогового действия. Поэтому фотоэлектрический преобразователь, кроме приемника излучения, содержит усилитель и релейный элемент, необходимые для формирования выходного сигнала требуемой мощности и формы. Как правило, в качестве последнего применяются контактные электромагнитные реле.
В целях обеспечения взрывобезопасности и повышения надежности аппаратуры целесообразно совместить преобразователь светового сигнала в электрический и устройство, формирующее сигнал необходимой мощности и формы, в едином полупроводниковом лрибрре.
Одним из путей решения указанной задачу является использование четырехслойного полупроводникового переключателя, созданного на базе р-п-/?-л-структуры и управляемого светом, — фототир истора.
В связи с тем, что фототиристор 'при отсутствии светового управляющего сигнала (в темновом режиме) в принципе не отличается от тиристора, рассмотрение свойств фототиристоров и цепей с ними целесообразно проводить, базируясь на работах, посвященных четырех-слойным полупроводниковым приборам.
Ниже дается краткий обзор работ, пользуясь которыми читатель при необходимости сможет провести углубленное рассмотрение тех или иных свойств фототи-
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.............. 3
Глава первая. Принцип действия фототиристора ... 11
1. Общие сведения о четырехслойных р-п-р-я-приборах . 11
2. Способы переключения р-я-р-я-прибора..... 17
3. Требования к конструкции и технологии изготовления фототиристоров........... 22
Глава вторая. Характеристики и параметры фототиристора 24
4. Спектральная характеристика....... 24
5. Вольт-амперные характеристики....... 28
6. Методы аппроксимации вольт-амперных характеристик 37
7. Характеристика управления........ 46
8. Световая характеристика и шумовые свойства фототиристора ............. 62
9. Температурная характеристика....... 56
10. Динамические характеристики....... 59
11. Система параметров.......... 65
12. Методика и схемы измерения параметров и характери-
стик ............ 67
Глава третья. Применение фототиристоров в схемах
автоматики............. 74
13. Общие сведения........... 74
14. Расчет электронного ключа........ 75
15. Расчет статического режима ждущего мультивибратора 80
16. Расчет схем регистрации и преобразования светового излучения............. 85
17. Некоторые примеры использования фототиристоров . . 95 Литература.............. 100
Цена: 100руб.
