Радиотехнические схемы на транзисторах и туннельных диодах под редакцией Р. А. Валитова. М., «Связь», 1972
464 с. с илл., табл. Библ. 109.
В книге излагаются основы теории и методы расчета перспективных полупроводниковых схем и устройств, находящих все более широкое применение в современной радиоэлектронной аппаратуре. Приводятся практические схемы, расчетные таблицы, помещены примеры расчета некоторых устройств и рекомендации по их применению
Книга предназначается для специалистов, занимающихся проектированием к расчетом радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах, и студентов радиотехнических вузов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ........................
Глава 1. Усилители постоянного тока и инфранизких частот..... 6
11. Общие замечания и классификация усилителей......... 6
1.2. Усилители постоянного тока с преобразованием......... 11
1.3. Однополупериодные диодные модуляторы............ 13
1.4. Двухполупериодные диодные модуляторы............ 24
15. Триодные ключевые модуляторы............... 3J
1.6. Усилители инфранизких частот с использованием углубителя модуляции 34-
1.7. Диодные демодуляторы.................. 41
1.8. Триодные ключевые демодуляторы.............. 54
1.9. Пример расчета усилителя постоянного тока с преобразованием ... о»* 1.10. Коррекция по производной сигнала в усилителях инфранизких частот 61
Литература ................-. • • • .'68
Глава 2. Основы теории транзисторных избирательных усилителей ... 69
2.1. Общие сведения.....................69
2.2. Качественные показатели основных типов усилителей.......84
2.3. Стабильность избирательных усилителей............103
2.4. Устойчивость избирательных усилителей............104
2.5. Краткая характеристика режимов работы избирательных усилителей . 110
2.6. Основные режимы одноконтурного усилителя..........113
2.7. Основные режимы двухконтурного усилителя..........135
2.8. Режим работы усилителя с одноконтурными и двухконтурными каскадами ..........................145
2.9. Общие сведения о методах повышения устойчивости избирательных усилителей .......................145
2.10. Нейтрализация внутренней обратной связи...........148
2.11. Коррекция внутренней обратной связи.......,.....153
2.12. Построение принципиальной схемы каскада на одном транзисторе . . 155
2.13. Особенности каскодных усилителей..............160
2.14. Усилитель с фильтром сосредоточенной избирательности......16i
2.15. Практические схемы избирательных усилителей.........172
Литература ...............»......177
Глава 3. Электрический расчет избирательных усилителей...... 178
3.1. Предварительные замечания и исходные данные для расчета усилителя 178
3.2. Расчет одноконтурного усилителя............... 179
3.3. Примеры расчета одноконтурных усилителей (УПЧ)........ 205
3.4. Расчет двухконтурного усилителя............... 216
3.0. Примеры расчета двухконтурных усилителей.......... 250
Глава 4. Усилительные полупроводниковые интегральные микросхемы . . 26Э
4.1. Общие сведения......................260
4.2. Особенности проектирования и схемотехники полупроводниковых интегральных схем......................264
4.3. Функциональный анализ полупроводниковых интегральных схем . . . 275
1* 3
4.4. Статистический анализ полупроводниковых интегральных схем .... 288
4.5. Статистические методы расчета интегральных схем........ 301
Литература......................306
Глава 5. Кварцевые генераторы на полупроводниковых приборах .... 308
5.1. Общие сведения.....................308
5.2. Кварцевые автогенераторы. Кварцевый резонатор........309
5.3. Методы уменьшения нестабильности на высоких частотах.....324
5.4. Свч кварцевые автогенераторы................341
5.5. Кварцевые автогенераторы плавного диапазона частот......344
5.6. Расчет транзисторных автогенераторов с кварцевой стабилизацией частоты .........................350
5.7. Расчет кварцевого автогенератора на туннельном диоде......366
5.8. Мощные выходные каскады кварцевых генераторов........378
5.9. Некоторые методы синтеза частоты..............386
5.10. Термостатирование и термокомпенсация кварцевых генераторов . . . 405
Литература .....................416
Глава 6. Внутренние шумы транзисторных каскадов.........418
6.1. Источники внутренних шумов транзисторов...........418
6.2. Эквивалентные шумовые схемы транзисторов с внешними источниками шумов .........................422
6.3. Коэффициент шума каскада с общим эмиттером.........426
6.4. Зависимость коэффициента шума усилителя с общим эмиттером от частоты..........................428
6.5. Влияние режима согласования на входе усилителя на коэффициент шума 430
6.6. Коэффициент шума каскада с общей базой...........434
6.7. Влияние расстройки входного контура на коэффициент шума транзисторных усилителей ....................437
6.8. Коэффициент шума усилителей с каскодным включением транзисторов 439 Литература..................< . . . 443
Глава 7. Умножители частоты на туннельных диодах ........ 444
7.1. Общие замечания......................444
7.2. Энергетические характеристики удвоителя и утроителя частоты на туннельных диодах......................445
7.3. Количественный анализ удвоителя и утроителя частоты на ТД .... 450
7.4. Дробное умножение частоты в режиме переключения.......452
7.5. Умножение частоты в 3/2 раза ............t , , . 454
7.6. Экспериментальные результаты................463
Литература......................464
ПРЕДИСЛОВИЕ
Все более жесткие требования, предъявляемые к характеристикам радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах, предопределяют необходимость развития теории и уточненных методов расчета, а также стремление использовать новые физиче-» ские явления и эффекты. В частности, эти требования касаются повышения устойчивости, чувствительности, плотности монтажа, надежности, стабильности и частотного предела (высокочастотно-сти) разрабатываемых схем и устройств.
В настоящей монографии рассматриваются резонансные усилители на транзисторах и их шумовые свойства, наиболее перспективные усилители постоянного тока, микроэлектронные усилители, кварцевые генераторы, в том числе малошумящие свч генераторы, и умножители частоты на туннельных диодах.
Большинство приведенных результатов получены авторами при выполнении работ под руководством профессора Р. А. Валитова. Глава 1 написана В. Я. Баржиным, Р. А. Валитовым, А. И. Головановым, Э. Б. Крутофаловым, В. 3. Найдеровым, Ю. П. Рондиным; гл. 2 и 3 — Ю. Л. Симоновым; гл. 4 — В. 3. Найдеровым; гл. 5 — Г. П. Баланом, В. Я. Баржиным, Р. А. Валитовым, А. А. Зеленко-вым, К. Г. Кожемякиным, Г. В. Кошарновским, А, А. Куликом, А. Ф. Петровым, И. Э. Рассказовым, Ю. П. Рондиным, А. Н. Шкля-ром, В. В. Шуваловым; гл. 6 — 3. Н. Музыкой; гл. 7 —А. И. Фай-нером.
Авторы с благодарностью примут все замечания и рекомендации, их следует направлять в издательство «Связь» (Москва-центр, Чистопрудный бульвар, 2).
Цена: 150руб.
