.23 Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов.— 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985.— 504 с., ил.
В пер.: 1 р. 30 к. ЭОрОО экз.
Основное внимание уделяется принципам усиления, генерации, модуляции, детектированию и отрицательной обратной связи. По сравнению с первым изданием (1976 г.) второе методически переработано, в нем полнее отра>Аены вопросы применения интегральных микросхем, полевых транзисторов и операционных усилителей. Введена новая глава по элементам импульсной и цифровой техники.
Для студентов вузов радиотехнических и радиофизических специальностей.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Данная книга является переработанным изданием учебного пособия для вузов, которое вышло в издательстве «Советское радио» в 1976 г. Предыдущее издание в основном предназначалось" для радиотехнических специальностей вузов, учебные планы которых не предусматривают отдельных курсов по усилительным, радиоприемным и радиопередающим устройствам, но отводят достаточное время на изучение основ радиоэлектроники в одном курсе. Однако учебное пособие нашло применение во многих высших учебных заведениях, например в политехнических вузах, на физических факультетах университетов.
При переработке первого издания учтен опыт его использования в учебном процессе ряда вузов. Внимание обращается на' творческое усвоение принципиальных вопросов, чтобы исключить1 возможность ошибок, связанных с формальным усвоением теории.
Как и в предыдущем издании, подчеркнута важность практического овладения предметом, предусматривающего глубокое понимание сути стоящих технических задач и целесообразности применяемых методов их решения. Использование в книге эффективного принципа «от частного к общему» объясняет порядок изложения материала и распределение его по главам. В правильности такого подхода автор убежден благодаря как опыту преподавания, так и опыту работы в промышленности.
Переработка в целом обусловлена широким использованием интегральных микросхем. Это требует изучения не только их параметров, но и строения, и происходящих в них процессов.
Известно, что развитие микроэлектроники влияет на схемотехнику. Поэтому в книге описываются новые схемные решения для усиления и преобразования сигналов. Например, рассматривается применение дифференциального усилителя не только для усиления, но и для модуляции и детектирования.
По сравнению с предыдущим изданием переработаны я дополнены главы, в которых рассматриваются усилители на полевых транзисторах и операционные усилители. Введена новая глава, посвященная цифровым и импульсным устройствам, знакомство с которыми стало совершенно необходимым уже при изучении основ радиоэлектроники.
Отзывы о книге просим направлять по адресу: 101000, Москва, Почтамт, а/я 693, издательство «Радио и связь».
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие................. 3
Глава 1
Основные методы 4i понятия радиоэлектроники........ 4
1.1. Вводные замечания.............. 4
1.2. Структурные схемы радиопередающего и радиоприемного устройств 4
1.3. Виды усилителей............... 7
1.4. Принципы усиления.............. g
1.5. Помехи и борьба с ними............ Ц
Глава 2
Цепи с сосредоточенными параметрами.......... 14
2.1. Элементы электрической цепи.......' . . . . 14
2.2. Источники ЭДС и тока............. 15
2.3. Согласование источника с нагрузкой. Всегда ли оно необходимо? 16
2.4. Частотные характеристики............ 17
2.5. Дифференцирующие и интегрирующие цепи....... 17
2.6. Интеграл Дюамеля.............. 21
2.7. Колебательный контур............. 26
2.8. Связанные контуры.............. 33
2.9. Преобразование Лапласа............ 41
2.10. Полюсы и нули............... 47
2.11. Пропорционально-интегрирующая цепь......... 48
2.12. Логарифмические характеристики.......... 49
Г л а в а 3
Длинные линии................. 51
3.1. Волновое уравнение длинной линии......... 51
3.2. Отражение волн на концах линии.......... 54
3.3. Линия с потерями. Телеграфное уравнение........ 58
3.4. Стационарный процесс в линии при гармоническом возбуждении . . 59
3.5. Применение отрезков длинных линий в качестве колебательных контуров.................. 65^
Глава 4
Четырехполюсники, фильтры и линии задержки........ 68
4.1. Четырехполюсники.............. 6б
4.2. Эквивалентные схемы четырехполюсников........ 67
4.3. Двойной Т-образный мост............ 68
4.4. Основы теории четырехполюсников.......... 71
4.5. Каскадное соединение четырехполюсников....... . • /3
4.6. Фильтры................. 74
4.7. Фильтры типа k............... 75
4.8. Фильтры типа т............... 7,6
4.9. Применение согласующих полузвеньев......... 77
4.10. Линии задержки............... 79
Глава 5
Биполярные транзисторы и их применение......... 79
5.1. Электронная и дырочная проводимости........ 79
5.2. Примесные полупроводники............ 82
5.3. Электронно-дырочный переход. Плоскостной полупроводниковый диод 83
5.4. Транзистор................ 9»4-
елл
5.5. Схема с общей базой............. 95
5.6. Схема с общим эмиттером............ 97
5.7. Выбор рабочей точки............. 100
5.8. Стабилизация рабочей точки........... 108
•5.9. Л-параметры................ 118
5.10. Гибридная П-образная эквивалентная схема транзистора . . . 121
5.11. Зависимость Л-параметров от режима......... 127
5.12. Основные параметры усилителя.......... 128
5.13. Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель) . . . . 130
5.14. Влияние незашунтированного емкостью сопротивления в цепи эмиттера .................. 132
5.15. Влияние сопротивления в цепи базы в схеме с общей базой . . 135
5.16. Увеличение входного сопротивления транзисторного усилителя . . 136
5.17. Многокаскадный усилитель............ 137
5.18. Амплитудно-частотная характеристика транзисторного усилителя . . 140
5.19. Интегральные микросхемы............ 143
Глава 6
Полевые транзисторы и их применение.......... 149
6.1. Полевой транзистор с управляющим р—п-переходом..... 149
6.2. Поле'вой транзистор с изолированным затвором...... 154
6.3. Эквивалентная схема............. 157
6.4. Свойства полевых транзисторов.......... 158
6.5. Резисторный усилитель на полевом транзисторе...... 159
6.6. Стабилизация рабочей точки........... 162
€.7. Выбор основных элементов резисторного усилителя..... 163
6.8. Истоковый повторитель............ . 169
Глава 7
Электронные лампы и их применение.......... 174
7.1. Термоэлектронная эмиссия. Диод.......... 174
7.2. Триод.................. 176
7.3. Эквивалентная схема триода........... 178
7.4. Многоэлектродные и комбинированные электронные лампы . . . 179
Глава 8
Обратная связь в усилительных устройствах........ 182
8.1. Структурная схема усилителя с обратной связью...... 182
8.2. Диаграмма Найквиста............. 183
8.3. Повышение стабильности усиления и расширение полосы . . . 185
8.4. Уменьшение искажений............. 189
8.5. Типы обратной связи............. 189
8.6. Частотно-зависимая обратная связь......... 191
8.7. Последовательная обратная связь по напряжению..... 194
8.8. Последовательная обратная связь по току....... 196
8.9. Параллельная обратная связь по напряжению . •..... Г9Э
8.10. Параллельная обратная связь по току........ 201
8.11. Применение обратной связи для стабилизации режима транзисторов
по постоянному току............. 205
Глава 9
Импульсные усилители . ............ "07
9.1. Переходные характеристики импульсных усилителей..... 207
9.2. Время нарастания фронта............ 208
93. Частотная коррекция резисторного усилителя в области верхних частот .................. 209
9.4. Частотная коррекция резисторного усилителя в области нижних частот.................. 215
9.5. Переходная и амплитудно-частотная характеристики n-каскадного резисторного усилителя............. 216
9.6. Усилители с распределенным усилением . ........ 218
501
Глава 10 Ж
Дифференциальные и операционные усилители........ 2fl
10.1. Непосредственная связь между каскадами ... g»i
10.2. Дрейф нуля............. Ц,
10.3. Дифференциальный усилитель.........' ' «Щ
10.4. Непосредственная связь дифференциальных усилителей . ' '. Зж»
10.5. Элементы схемных решений . . . . . ...... jiG
10.6. Операционные усилители........'.'.'.'. $J8
10.7. Принципиальные схемы операционных усилителей..... Igg
10.8. Основные схемы включения операционных усилителей .... -243
10.9. Параметры операционных усилителей......... 248
10.10. Частотная коррекция операционных усилителей...... 250
10.11. Активные ЯС-фильтры............ 255
Г л а в а 11
Усилители мощности............... 260
11.1. Усиление мощности в режиме А при идеализированных характери- . стиках транзистора ............... 260
11.2. Усиление мощности в режиме А при реальных характеристиках транзистора . ..............- 263
11.3. Эквивалентная схема трансформатора . ....... 1266
11.4. Усиление мощности в режимах В и АВ........ ;268
11.5. Бестрансформаторные усилители.......... 273
Глава 12
Резонансные усилители.............. 278
12.1. Схема резонансного усилителя.......... 278
12.2. Колебательный контур в резонансном усилителе...... 23$
12.3. Самовозбуждение и устойчивость резонансного усилителя . . . 281
12.4. Коэффициент усиления транзисторного резонансного усилителя 285
12.5. Резонансные усилители на полевых транзисторах..... >,287 •
12.6. Амплитудно-частотная характеристика многокаскадного резонансно- >, го усилителя............... :?88
12.7. Фазочастотная характеристика многокаскадного резонансного усили- % теля.................. ЗЙ89
12.8. Полосовые усилители............. j290
12.9. Автоматическая регулировка усиления........ ,'!293
12.10. Интегральные микросхемы............ J294
12.11. Туннельный диод.............. ;295
12.12. Принцип работы усилителя с отрицательным сопротивлением . . 296
12.13. Частотные характеристики туннельного диода...... 297
12.14. Устойчивость рабочей точки........... *"297
Глава 13
Генераторы гармонических колебаний.......... 299
13.1. Классификация генераторов........... 299
13.2. Автогенератор с индуктивной связью......... 300
13.3. Стационарная амплитуда колебаний в автогенераторе .... 302
13.4. Баланс амплитуд и фаз в автогенераторе ....... 306
13.5. Колебательные характеристики.......... 309
13.6. Автогенераторы на биполярных транзисторах...... 312
13.7. Автогенераторы с отрицательным сопротивлением . . . . . 3|4
13.8. Генератор на туннельном диоде .......... 3|S
13.9. Стабилизация частоты генераторов......... 316
13.10. Влияние гармоник на частоту генерируемых колебаний .... 318
13.11. Стабилизация частоты с помощью кварца....... 4320
13.12. ДС-генераторы............... 321
13.13. Генераторы с внешним возбуждением........ 326
13.14. Умножение частоты.............. 327
Глава 14
Элементы импульсной и цифровой техники......... 328
14.1. Транзистор в ключевом режиме.......... 328
14.2. Переключатель тока............. 332
14.3. Помехоустойчивость ключей........... 333
14.4. Триггер — бистабильная ячейка.......... 334
14.5. Триггер Шмитта.............. 335
14.6. Мультивибраторы.............. 340
14.7. Блокинг-генератор.............. 343
14.8. Генераторы линейно-изменяющихся напряжения и тока .... 345
14.9. Логические функции и логические элементы . . . . . . . 347
14.10. Основные правила алгебры логики......... 349
14.11. Параметры логических элементов.......... 350
14.12. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)....... 351
14.13. Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ)......... 354
14.14. Интегральная инжекционная логика (И2Л)....... 356
14.15. МОП-логика............... 358
14.16. Комплементарная МОП-логика (КМОП-логика)...... 359
14.17. Сумматоры................ 360
14.18. Шифратор и дешифратор............ 362
14.19. Мультиплексор и демультиплексор......... 363
14.20. Триггеры на логических элементах......... 365
14.21. Регистры.............• • • 371
14.22. Счетчики................ 372
14.23. Запоминающие устройства............ 37.)
14.24. Микро-ЭВМ и микропроцессор.......... 377
14.25. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи . . . 380
Г л а в а 15
Модуляция.................. 383
15.1. Амплитудная модуляция ............ 383
15.2. Методы осуществления амплитудной модуляции...... 385
15.3. Балансная модуляция............• 386
15.4. Фазовая и частотная модуляция.......... 388
15.5. Методы осуществления частотной модуляции....... 393
Г л а в а 16
Детектирование................. 396
16.1. Диодный детектор.............. 396
16.2. Детектирование малых напряжений......... 398
16.3. Детектор на полупроводниковом диоде . . . . . . -. • 399
16.4. Детектирование при идеальном диоде...... . . . ... . ,400
16.5. Входное сопротивление диодного детектора......• 402
16.6. Характеристики и параметры детектора........405
16.7. Нелинейные искажения вследствие инерционности детектора . . 40t>
16.8. Нелинейные .искажения вследствие неравенства сопротивлений нагрузки детектора постоянному и переменному токам .... 406
16.9. Искажения вследствие нелинейности характеристики диода . . . 408
16.10. Одновременное детектирование двух напряжений с различными несущими частотами............... 409
16.11. Отношение сигнал-помеха на выходе детектора...... 412
16.12. Амплитудное ограничение............ 412
16.13. Частотное детектирование............ 41Ь
16.14. Фазовый детектор.............. 422
16.15. Синхронное детектирование........... 4-"
Глава 17 9Й
Преобразование, частоты.............. *^°
17.1. Принцип преобразования частоты.......... 426
17.2. Преобразователь частоты на транзисторе....... 424
503
17.3. Преобразователь частоты на полевом транзисторе с двумя затворами.................. 430
17.4.
Цена: 150руб.
