Проблема оперативных и неразрушающих измерений малых •пшенных размеров, толщин, глубин и микронеровностей поверхности является актуальной для многих производств, использующих методы фотолитографии, лучевые, вакуумные и плазменные-счо'-обы наращивания и травления пленок, шлифовку и полировку поверхностей. При производстве изделий электронной техники, в \'словиях наиболее распространенно:"! в настоящее время планар-но-эпптакснальной технологии, неразрушаюхий 100%-ный контроль интегральных микросхем на этапах, предшествующих созданию па кристалле контактных площадок, может быть осуществлен по ДВУМ основным направлениям: измерение различного рода геометрических величин (длина, ширина, толщина, глубина, а также'размеры и плотность поверхностных дефектов) и измерение ряда физико-химических параметров, к числу которых относятся удельное сопротивление, состав и структура материалов, образующих технологические слои, концентрация и подвижность носителей заряда.
В течение последних лет различными издательствами были выпущены в свет книги по первому и по второму [1,2], а также по ряду вопросов обоих направлений [3,4]. Эти книги посвящены в основном контролю состояния поверхности и измерению толщин наращиваемых слоев.
Авторы настоящей книги поставили перед собой цель познакомить читателей с особенностями, методикой и средствами измерения размеров для большего числа стадий микроэлектронного производства. Особое внимание уделено вопросам текущего контроля размеров непосредственно в цеховых условиях, в ходе технологических операций, а также проблеме повышения точности и автоматизации измерений. Вместе с этим не снимается вопрос о послеоперационном контроле и прецизионных лабораторных измерениях. В книге наряду с результатами, полученными непосредственно авторами, приводятся данные из литературных источников, дается их критический анализ.
Материал, положенный в основу данной книги, касается преимущественно вопросов оперативного и неразрушающего контроля геометрических размеров при производстве интегральных схем методами групповой технологии. В связи с этим в книге не рассматриваются такие методы контроля, как электронная микроскопия, вторично-ионная масс-спектрометрия, оже-спектроскопия, применение которых наиболее перспективно при поштучном изготовлении микросхем в установках электронно-лучевой и ионно-лу-чевои обработки.
Весьма ограниченный объем занимают вопросы контроля дефектности топологического рисунка на фотошаблонах и кристаллах интегральных схем. По мнению авторов, данные вопросы в ви-^яип Н°СТИ Их анализа и технического воплощения заслуживают ^мистоятельного рассмотрения в рамках отдельной книги
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие................. 3
Введение .................. 4
Глава 1. Визуальный метод контроля с помощью оптических микроскопов .................. 7
1.1. Основные оптические схемы и характеристики...... 7
1.2. Точность измерений размеров элементов на приборах визуального контроля...............10
Глава 2. Фотоэлектрические и телевизионные методы измерений . . 29
2.1. Фотоэлектрические методы...........29
2.2. Телевизионные фотоэлектрические измерители линейных размеров 37
2.3. Рентгенотелевизионные методы..........46
Глава 3. Дифракционные методы измерений........47
3.1. Измерение размеров одиночных элементов по дифракционной картине................47
3.2. Контроль размеров элементов топологических структур по тестовым дифракционным решеткам.........64
Глава 4. Контроль качества полупроводниковых пластин .... 76
4.1. Измерение толщины пластин..........76
4.2. Контроль фаски..............83
4.3. Обнаружение поверхностных дефектов обработки пластин . . 83
4.4. Контроль шероховатости поверхности пластин......88
4.5. Контроль неплоскостности и прогиба........95
Глава 5. Контроль толщины и равномерности нанесения пленок . . 98
5.1. Пленочные слои, применяемые в производстве ИС .... 98
5.2. Контроль толщины диэлектрических пленок на этапах термического окисления и пиролитического осаждения......104
5.3. Контроль толщины эпитаксиальных слоев кремния . . . . 122
5.4. Контроль толщины диффузионных и ионно-имплантированных областей................131
5.5. Контроль толщины пленок в ходе вакуумного и ионно-плазмен-
ного осаждения..............134
5.6. Контроль толщины и равномерности нанесения слоя резиста . . 142 Глава 6. Контроль глубины при ионно-плазменном и плазмохимическом
травлении микроструктур............146
6.1. Особенности организации контроля при ионно-плазменном и плазмохимическом травлении............146
6.2. Mace-спектрометрическая регистрация начала и окончания травления .................150
6.3. Контроль методами оптической спектрометрии......151
6.4. Контроль травления по электрическим потенциалам . . . . 154
6.5. Контроль с помощью лазерного интерферометра-рефлексометра 156
Заключение..................160
Список литературы...............162
Цена: 150руб.
