Краткое представление в физических основах выпрямления Л
Конструкция селеновых элементов и выпрямителей . . . . 4
Основные параметры селеновых элементов....... 7
Электрические характеристики селеновых выпрямителей . . 8 Свойства селеновых выпрямителей и соотношения между некоторыми параметрами в схемах выпрямления .... 12 Справочный материал, типы выпрямителей, условия эксплуатации , . . ,................ И'
КРАТКОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ О ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВАХ ВЫПРЯМЛЕНИЯ
Процесс выпрямления удобнее всего рассматривать на примере германиевых или кремниевых вентилей.
Механизм проводимости в германии или кремнии определяется типом вводимой в них примеси. Если в германий или кремний ввести, например, атомы фосфора или мышьяка, то носителями зарядов в полупроводнике будут отрицательно заряженные электроны (проводимость типа га). При введении же атомов бора или алюминия носителями зарядов в полупроводнике будут положительно заряженные дырки (проводимость типа р).
Механизм проводимости в дьТрочных полупроводниках может быть наглядно описан следующим образом. Представим себе заполненный автобус, в проходе которого вплотную друг за другом стоят пассажиры. Предположим далее, что через переднюю дверь из автобуса вышел один пассажир. Образуется пустое место, или «дырка». При последовательном продвижении вперед стоящих людей дырка соответственно перемещается в обратном направлении и, в конце концов, может быть заполнена дополнительно вошедшим человеком.
Таким образом, выход и вход в автобус одного .пассажира оказывается возможным описать либо путем перемещения вперед большого числа людей, либо путем перемещения в противоположном направлении пустого места или дырки.
В полупроводниках с дырочным типом проводимости передзч-жение зарядов удобно описывать с помощью перемещения дырок, появление которых обусловлено наличием в решетке полупроводника, содержащего примесь незаполненных связей.
В такой модели дырка рассматривается как положительный электрический заряд, равный по величине заряду электрона.
Если в пластинку германия или кремния ввести, с одной стороны, примесь из элементов V группы системы Менделеева, а с другой — примесь из элементов III группы, то в пластинке возникнут две области с разным механизмом проьодимости — электронной и дырочной, а на границе между этими областями образуется электронно-дырочный переход, или так называемый запорный слой. Сопротивление запорного слоя зависит ог полярности приложенного к нему напряжения. Если анод источника питания присоединить к га-типу, а катод к р-типу, то электроны и дырки будут уходить от границы перехода, вследствие чего в нем уменьшится количество носителей заряда и электронно-дырочный переход приобретет большое сопротивление. При перемене полярности электроны и дырки под действием электрического поля будут двигаться к электронно-дырочному переходу и тем самым резко уменьшат его сопротивление.
Цена: 100руб.
