В процессе составления типовых учебных планов-ло радиотехниче^ ским специальностям, широко обсуждавшихся радиотехнической-общественностью и одобренных методической комиссией по радиотех--ническому образованию МВиССО СССР, было принято решение о .раз-1 делении традиционного курса «Электронные и ионные приборы» на два*' «Электронные приборы» и «Электронные и квантовые приборы СВЧ».; В связи с этим.переиздание учебного пособия «Электронные и ионные приборы» (Госэнергоиздат, 1963) решено было выпустить в, двух-книгах.
В эту, первую книгу вошли разделы; «Электронные лампы», «Полупроводниковые приборы», «Электроннолучевые приборы», «Фотоэлект- , ронные приборы» и «Ионные приборы», составляющие содержание курса «Электронные приборы».
Вторая книга, готовящаяся к изданию, должна содержать материал курса «Электронные и квантовые приборы СВЧ».
В настоящем издании раздел «Полупроводниковые приборы» написан заново. Значительное внимание здесь уделено физическим основам полупроводниковых приборов, так как сведения по физике твердого тела излагаются в курсе общей физики не всегда в достаточном ^у объеме. Расширен по сравнению с предыдущим изданием объем разде- , лов, посвященных фотоэлектронным и ионным приборам. Частично " переработан также раздел «Электронные лампы». В качестве примеров, иллюстрирующих конструкцию, характеристики и параметры приборов, используются, как правило, новейшие электронные приборы. > Большую помощь в подборе этих материалов оказал Б. В. Кацнельсон, -которому автор выражает глубокую признательность. /
Более полные сведения о некоторых электронных приборах, рас- ", смотренных автором из-за ограниченного объема книги недостаточно ' подробно, читатель сможет почерпнуть из многих перечисленных -" в конце книги специальных учебных пособий и монографий, материал " которых использован в настоящей книге.
В процессе работы над текстом этого учебника автор учел замеча- *; >• ния, высказанные в отзывах на предыдущее издание. Такие отзывы • были получены и приняты автором с благодарностью от ряда кафедр и преподавателей вузов, готовящих радиоспециалистов. 1*
'- ' ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие....................................
Введение . ....................................
Р А 3 Д Е Л I ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ
Глава первая. Устройство электронных ламп и физические основы и работы . . ...................................
1-1. Устройство электронных ламп....................
1-2. Основные понятия о работе электронных ламп...... . . . .
. 1-3. Работа выхода............................
1-4. Электронная эмиссия .........................
1-5. Катоды электронных ламп............ . . ........
1-6. Прохождение тока в вакууме................... . .
Глава вторая. Двухэлектродные лампы................
2-1. Физические процессы в диоде................. . . .
'•* 2-2. Зависимость анодного тока от анодного напряжения ......;
2-3. Статические характеристики диода............... ._. .
2-4. Диод в режиме нагрузки .......................
i *' 2-5. Параметры диодов ,...........................
s 2-6. Особенности диодов различного назначения............
Глава третья. Трехэлектродные лампы................
. 3-1. Физические процессы в триоде......ч.............
3-2. Статические характеристики . .................. . . .
3-3. Параметры триода...........................
3-4. Рабочий режим работы триода....................
3-5. Особенности триодов различного назначения............
г 'Глава четвертая. Многоэлектродные лампы ............
4-1. Тетрод..................................
4-2. Лучевой тетрод.............................
, 4-3. Пентод..................... А..........
4-4. Действующее напряжение . .................. . . .
•' 4-5. Токораспределение..........................
_ *?} • • ' _ '. - ^
... '..:••• -..'•••'•- . ' ' , / ?
4-6. Статические характеристики . ..................... 90 .
4-7. Двойное управление анодным током в пентоде............ 9$
4-8. Параметры многоэлектродных ламп.................. 100
• 4-9. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения ..... 106 Г л а в а пятая. Специальные электронные лампы............. 109
'5-1. Комбинированные и частотопреобразовательные лампы ....... 109
5-2. Электронные лампы для широкополосного усиления......... 114
: ' 5-3. Электронные лампы диапазона высоких частот . , . ......... 118 "
- 5-4. Мощные лампы............................. 126
. 5-5. Экономичные, надежные и долговечные лампы............ 128
5-6. Электронные лампы с характеристиками специальной формы .... 130
5-7. Электронно-световые индикаторы..................."". 132
Глава шестая. Шумы в электронных лампах.............. 134
6-1. Влияние виутриламповых шумов . . ................. 134
6-2. Источники внутриламповых шумов.................. 135 -
6-3. Методы оценки шумовых свойств ламп................ 137
6-4. Способы снижения виутриламповых шумев............ . . . 140
Глава седьмая. Вопросы применения электронных ламп ....... 140
7-1. Эквивалентные схемы электронных ламп............... 140
7-2. Аппроксимация характеристик ламп. . ................ 143
7-3. Надежность электронных ламп и параметры эксплуатационных режимов......................'............. 147
. Р а з д е ,л II ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Глава восьмая. Основы строения кристаллических полупроводников 150
8*1. Кристаллическая структура....................... 150
8-2. Валентные связи............................. 154
8-3. Основы зонной теории......................... 158
8-4. Осйовы статистики частиц....................... 169
" . /
Глава девятая. Электропроводность твердых тел........... 175
t ' 9-1. Электропроводность металлов ............. ........ 175
, 9-2. Физические процессы в полупроводниках............... 178
] " 9-3. Концентрация зарядов в полупроводниках.............. 186
• 9-4. Электропроводность полупроводников................. 193
Глава десятая. Физические явления при контакте твердых тел . . . 198,
'-г з .. '• ' '' , -
*• ' 1Й-1. Электронно-дырочный переход.,...................'. 198 .
v '1бг2. Различные типы переходов...................... 207
- . ' • • " .' - ' ' .-• *Ъ
' ••'-'••' • ; ' . • - •-•••• _ v.-raa
.„'.'. ' •• -"~Щ
10-3. Пробой р-п перехода......................... Й1<||
10-4. Емкости р-п перехода......................... 214^
Глава одиннадцатая. Полупроводниковые диоды......... 215
11-1. Устройство и классификация полупроводниковых диодов..... 215*
11-2. Вольт-амперная характеристика диода................ 216;
11-3. Статические, параметры диодов.................... 219;';
11-4. Распределение носителей и токи в базе диода . .......... 22Ср
11-5. Зависимость характеристик и параметров от температуры..... 223
11-6. Выпрямительные диоды........................ 225
11-7. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды.......... 228
11-8. Стабилитроны и варикапы....................... 233
Глава двенадцатая. Транзисторы.................. 235'
12-1. Устройство и принцип действия................... 235
12-2. Физические процессы в транзисторе................. • 23$
12-3. Транзистор как четырехполюсник.................. 246;
12-4. Статические характеристики транзистора.............. 250
12-5. Параметры транзистора........................ 256.
12-6. Особенности работы транзистора на высокой частоте и в импульсном
режиме.................................. 26Й'
12-7. Бездрейфовые транзисторы...................... 268'
12-8. Дрейфовые транзисторы..........'.............. 271
12-9. Полевые транзисторы......................... 275
12-10. Зависимость характеристик и параметров транзистора от режима
работы и температуры........................... 278
Глава тринадцатая. Различные полупроводниковые приборы . . . 282
13-1. Приборы с отрицательным сопротивлением............. 282
13-2. Туннельный диод................"............ 283
13-3. Однопереходный транзистор...................... 289
13-4. Тиристоры........'...•._................... 290
13-5. Терморезисторы.................... . . ....... 293
13-6. Варисторы................................ 295
13-7. Приборы, использующие эффект Холла............... 296
Глава четырнадцатая. Шумы полупроводниковых приборов ... 297
14-1. Источники шумов........................... 297
14-2. Методы оценки шумовых свойств 'полупроводниковых приборов 29S
Глава пятнадцатая. Вопросы применения полупроводниковых ^
приборов.................................... 3^
15-1. Эквивалентные схемы полупроводниковых приборов........ Щ
15-2. Линейная аппроксимация характеристик и эквивалентные схемы ^.
15-3. Эквивалентные схемы транзисторов................, . 302
15-4. Линейная аппроксимация характеристик транзистора....... 307
15-5. Надежность полупроводниковых приборов и параметры эксплуатационных режимов............................ 310
Р а з д е л III ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЫЕ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ИОННЫЕ ПРИБОРЫ
Глава шестнадцатая. Электроннолучевые приборы........ 312
16-1. Принцип действия электроннолучевых трубок........... 312
16-2. Элементы электронной оптики.................... 315
16-3. Электронная пушка. Модуляция электронного луча по плотности 323
16-4. Фокусирующие системы........................ 326
16-5. Отклоняющие системы......................... 330
16-6. Экраны электроннолучевых трубок.................. 336
16-7. Искажения изображения ....................... 339
16-8. Особенности электроннолучевых трубок различного назначения 340
16-9. Запоминающие трубки......................... 343
Глава семнадцатая. Фотоэлектронные приборы.......... 346
17-1. Общие сведения . , . . ;....................... 346
17-2. Фотоэлектронная эмиссия и фотопроводимость..........'. 347
17-3. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом................. 350
17-4. Фотоэлектронные умножители.................... 354
17-5. Фоторезисторы............................. 357
17-6. Полупроводниковые фотогальванические приборы ......... 358
Глава восемнадцатая. Ионные приборы.............. 364
18-1. Электрический разряд в газе..................... 364
18-2. Общие сведения об ионных приборах................ 369
18-3. Приборы дугового разряда...................... 370
18-4. Приборы тлеющего и высокочастотного разрядов.......... 373
Литература..................................... 380
- Приложение.......................-............. 384
~~ Предметный указатель............................. 391
Цена: 150руб.
