В последнее время появилось много статей по обработке кремния в газовой фазе, по получению и свойствам новых защитных покрытий, например нитрида кремния и т. п. Все это побудило автора предпринять новое издание в дополненном и переработанном виде книги «Обработка поверхности полупроводниковых приборов», выпущенной издательством «Энергия» в 1966 г.
Основное внимание в книге уделяется трем вопро- • сам — методам обработки поверхности, влиянию газовой среды на электрические параметры и методам защиты — стабилизации поверхности полупроводниковых приборов. Вопросы чисто физического характера — поверхностной рекомбинации носителей заряда, поверхностной проводимости, работы выхода, оптических свойств поверхности — освещены в книге кратко, лишь в той мере, в какой это необходимо для понимания процессов, протекающих на поверхности полупроводников. Заново написан параграф, посвященный методам получения, параметрам, защитным и маскирующим свойствам пленок нитрида кремния. Параграф «Окисные пленки» значительно дополнен материалом по методам получения, травления и определения толщины пленки двуокиси кремния, а также по влиянию внутренних напряжений, возникающих на. границе раздела Si—SiO2, на характеристики полупроводниковых приборов. Подробно изложены данные по получению и исследованию нерастворимой тетрагональной окиси германия. Расширены от-
о
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие 3 Глава первая. Физические параметры и характеристики
поверхности полупроводников ........ 5
1-1. Введение............ 5
1-2. Поверхностные состояния на германии и кремнии . 6 1-3. Скорость поверхностной рекомбинации и поверхностная проводимость.......... II
Глава вторая. Методы обработки поверхности полупроводников .............. 23
2-1. Резка, шлифовка и полировка полупроводников . 23
2-2. Факторы, влияющие на обработку поверхности . 35 2-3. Химическое травление поверхности полупроводников
и электронно-дырочных переходов...... 37
2-4. Электролитическое травление германия и кремния . 71 2-5. Выявление дислокаций на поверхности полупроводников методом травления........ 79
2-6. Обработка прверхности германия и кремния ионной
и электронной бомбардировкой...... .90
Глава третья. Состояние и свойства поверхности полу-
* проводников ............ 99
3-1. Идеально чистая поверхность германия и ее свойства. 99 3-2. Состояние реальной -поверхности полупроводника . 102 3-3. Дополнительная очистка реальной поверхности . . 111 3-4. Оптические свойства поверхности полупроводников 117 3-5. Свойства поверхности эпитаксиальных пленок . . 128 Глава четвертая. Влияние различных факторов на стабильность параметров полупроводников и полупроводниковых приборов........... 136
4-1. Адсорбция газов и паров на германии и кремнии . 136 4-2. Влияние окружающей среды на свойства полупроводников ............ 144
4-3. Влияние окружающей среды на параметры полупроводниковых приборов......... 148
4-4. Влияние ионизирующей радиации на поверхностные
свойства полупроводниковых приборов . . . ."176 4-5. Снижение влажности и ее контроль в корпусе полупроводниковых приборов . ....... 181
4-6. Молекулярное сито (цеолит) и его применение . 192
*• 4-7. Применение реактивных поглотителей влаги . . . 196 Глава пятая. Защита поверхности полупроводниковых
приборов............ . 206
5-1. Лаки и компаунды......... 206
5-2. Силанирование.......... 209
5-3. Окисные пленки.......... 211
5-4. Пленки нитрида кремния........ 252
•* 5-5. Сульфидные пленки ......... 269
5-6. Защитные стекла.......... 273
5-7. Напыление SiO2 при низкой температуре. Различные
свойства пленок SiO2 . . ..;...-. 276
Литература.......'....-..
Цена: 150руб.
