Р\ЗД1-Л ПЕРВЫЙ. СИСТБМЫ ОБОЗНАЧЕНИЙ И КЛАССНФ1чКАЦИЯ ОГНЧЕСТ-
ВЕНИЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ..... 6
1 1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов ................ 6
1 2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых
Пр'ИборОВ.................. 12
1.3. Системы цветного кодирования диодов......... 16
1.4. ^cлoвныe графические обозначения полупроводниковых приборов . . 17
РАЗДКЛ ВТОРОЙ. ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЖИМЫ РАБОТЫ И ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ......... 20
2.1. Особенности полупроводниковых приборов......... 20
2.2. .^'laкcимaльныe и максимально допустимые параметры..... 21
2.3. Рассеиваемая мощность.............. 21
2.4. Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения . 23
2.5. Максимальные токи............... 25
2.6. Тепловые параметры............... 26
2.7. Коэффициент передачи тока............. 28
2.8. Е.мкости переходов и постоянная времени коллектора..... 29
2.9. Шумы транзисторов............... 29
210. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника .... 31
2,!'. Частотные свойства транзисторов........... 32
•i 12, Обратные токи................ 33
^ ' О- Области работы и вольт-амперные характеристики транзиеторов . . 34
'••14. И'.шульсный и ключевой режимы работы......., 35
2!5 Технология изготовления полупроводниковых приборов ..... 38
2 lb. Конструкции корпусов.............. 40
21'. 1ерметизацня пластмассой , . , ,......... 42
2iB, Надежность.................44
2.19. Области применения транзисторов...........44
^-0. Высокочастотные транзисторы............47
2 21 г •'''• '--оставные транзисторы..............49
• '•• Выпрямительные диоды..............50
2* С.табилитроны................ 51
РАЗДЕЛ третий, отечественные и зарубежные транзисторы ... 53
3.1. о взаимозаменяемости полупроводниковых приборов...... 53
3.2. Буквенные обозначения параметров биполярных и полевых транзисторов ................. 54
3.3. Отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги..... 63
РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ. ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ И ЗАРУБЕЖНЫЕ ДИОДЫ .... 272
4.1. Буквенные обозначения параметров диодов......... 272
4.2. Отечественные диоды и их зарубежные аналоги....... 273
Приложение 1. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги . . 318 Приложение 2. Зарубежные диоды и их отечественные аналоги .... 341 Приложение 3. Перечень отечественных транзисторов, включенных в справочник .................. : . 355
Приложение 4. Перечень отечественных диодов, включенных в справочник 356
Приложение 5. Буквенные обозначения транзисторов зарубежных фирм . 357
Приложение 6. Буквенные обозначения диодов зарубежных фирм . . . 362
Приложение 7. Сокращенные обозначения зарубежных фирм .... 371
374
Приложение 8. Габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных
транзисторов ..................
Приложение 9. Габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных диодов..............
392
рОИ!
ПРЕДИСЛОВИЕ
В нашей стране используется широкий ассортимент импортной радиоэлект-
;ii" аппаратуры на полупроводниковых приборах: телевизоры, радиоприемники, 1;зп1||гофоны, электронные измерительные приборы, приборы управления электро-" aBTo:.;JTMKofl, станки с числовым программным управлением, автоматические линии, тс'-х::' •ютическое и испытательное оборудование, электронные телефонные станции ,, др В связи с этим для читателей (радиолюбителей и специалистов), занимаю-щихгя ремонтом зарубежной аппаратуры, модернизацией и конструированием раз-л;:ч1!ь'.ч электронных устройств, схем и узлов с использованием зарубежного опы* TJ необходимы сведения об отечественных и зарубежных полупроводниковых при-f :)|);;.\, сопоставимых или тождественных по назначению, электрическим характе-гл'стпкам и параметрам, массогабаритным показателям.
Справочник состоит из четырех разделов. В первом разделе даны классифика-ции и условные обозначения отечественных полупроводниковых приборов разных лет 1:ыпуска. Рассмотрены стандартные системы условных обозначений, принятые за р}5ежом, и цветная маркировка полупроводниковых диодов. Приведены услов-11ь:с графические обозначения приборов.
Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические параметры, области применения и особенности конструкций к)р-г.)чов отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов (стабилитронза, выпрямительных диодов, транзисторов).
В третьем разделе даны рекомендации по подбору аналогов, условные буквенные обозначения параметров биполярных и полевых транзисторов, а также элект-p!i;ecKne параметры отечественных и зарубежных транзисторов (малой, средней ч большой мощности низкой и высокой частот, для поверхностного монтажа, состчв-ных, генераторных и усилительных СВЧ-транзисторов). Для удобства, читателей » приложении 1 приведена обобщенная таблица типономиналов зарубежных трач-зисторов и их отечественных аналогов в алфавитно-цифровой последовательности, а в приложении 8 — габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных транзисторов с обозначением их внешних выводов.
В четвертом разделе приведены электрические параметры отечественных и м-рубежных выпрямительных и импульсных диодов, стабилитронов, в приложении 2 —• обобщенная таблица типономиналов зарубежных диодов и их отечественных аналогов, в приложении 9 — чертежи корпусов отечественных и зарубежных диодов.
В приложениях 3, 4 содержатся перечни отечественных диодов и транзнсторо! для аппаратуры широкого применения, включенных в справочник.
В отличие от предыдущего издания уточнены аналоги некоторых ранее выпущенных типов транзисторов и дополнительно приведены электрические параметри новых эквивалентных типов отечественных и зарубежных транзисторов, внесены лз-менения норм параметров, даны новые конструкции корпусов. В приложениях 5, 6 приведены внутрифирменные обозначения зарубежных транзисторов и диодов, в приложении 7 — сокращенные обозначения зарубежных фирм.
Названия стран — изготовителей полупроводниковых приборов приведены по состоянию на 1 сентября 1989. г. , .
Предисловие, разд. 1—3 и приложения 1, 3, 5—8 написаны А. В. Нефедовым, э разд. 4 и приложения 2, 4, 9 —В. И. Гордеевой.
Цена: 150руб.
