Развитие полупроводниковой техники неразрывно связано с изучением и исследованием различных свойств полупроводниковых материалов.
В книге рассматриваются наиболее широко распространенные методы определения основных параметров полупроводниковых материалов: величины удельной электрической проводимости и типа электропроводности, концентрации и подвижности носителей заряда, времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей заряда, концентрации электрически активной примеси, скорости поверхностной рекомбинации и поверхностного потенциала.
Под методом определения параметров подразумевается совокупность прямых измерений вспомогательных величин и теоретических представлений, связывающих их с измеряемой величиной.
Перечисленные параметры дают необходимый минимальный объем сведений о свойствах полупроводниковых материалов.
Очень важную роль играют физические основы методов измерения параметров полупроводниковых материалов, чему в книге уделяется большое внимание.
Как правило, любой из параметров полупроводникового материала можно найти путем электрических, магнитных, оптических, фотоэлектрических п других измерений. В пособии показаны способы измерения проводимости, эффекта Холла, фотопроводимости, фотомагнитоэлектрического эффекта, поверхностной проводимости и поверхностной емкости, характеристических величин, описывающих диффузию, дрейф и рекомбинацию избыточных носителей заряда. В начале некоторых разделов изложена физика полупроводников с целью объяснения того или иного процесса или явления, а также для того, чтобы ввести необходимые понятия и показать специфику, зависящую от метода измерения.
Учебное пособие' базируется на программе соответствующего курса, читаемого в ряде институтов, что определило подбор и распределение материала.
Автор выражает глубокую благодарность рецензентам рукописи доц. канд. техн. наук Горбачеву В. В., преподавателям кафедры «Полупроводниковые приборы» МЭИ и особенно проф. докт. физ.-мат. наук Шалимовой К. В. за помощь и ценные советы.
Автор
ОГЛАВЛЕНИЕ
UTp.
Предисловие • ¦•'''
Глава I
Измерение удельной электрической проводимости полупроводников
S 1 1 Особенности измерения......... . . 5
§12 Четырехзондовый метод измерения . .-••¦• .21
§ \l oSZobS "ZTS^ распределения удельного сопротив- ^
1 1 WCOUeHHUClH nomvp"»" •
12. Четырехзондовый метод измерения . 1 3 Двухзондовый метод измерения . 8 1 4 Однозондовый метод измерения рас
1!:?: 1=с= ?=»" = »«=,, поя„„остей 35
68
Глава II
Определение параметров полупроводников
путем измерений эффекта Холла
§ 2 1 Эффект Холла и сопуствуюгдие ему явления ...-••¦ gl S 2.2. Методы измерения эффекта Холла . •_ ¦ • ширИны за-
I 2.3. Onpev^wW^'gZ^tSZTZ^vU примесей . 61 < 2 4 ^прГел^от'но^нГХвГ/осте! электронов и дырок ио изме- ^ § 2 5 К^е^ТонцХаиии доноров'и акцепторов" по температурной ^ § 2.6. Э™кГГлла^аВИо?зСдИах с неоднородным распределением концент- ^
вации носителей заряда.....• у 80
§ 2.7. Определение параметров по измерениям тока Холла . .
Глава III
Измерение параметров неравновесных
носителей заряда
85
I 3 2' Ме?одыТизмерения дрейфовой подвижности ...-¦¦; 99
I Ц Й?^^^^"^- 1&- ПОДВГа™ СВеТ0В0Г° 3°НДа Ж 1 35 Разновидности метода подвижного светового зонда • • • ' 112
1 U йзГегеГТмТ/жизТГтодГ модуляции проводимости точеч- ш
ньш контактом ..••••"
Глава IV Определение параметров полупроводников путем измерений фотопроводимости и фотомагнитоэлектрического эффекта ^
& 4 1 Электронные переходы и фотопроводимость......'. '. 129
! 42 Измерение стационарной фотопроводимости.....
s ' ' 205
§ 4.3. Спектральные методы определения параметров......132
§ 4.4. Определение параметров по измерениям фото-э. д. с......142
§ 4.5. Определение времени жизни, скорости поверхностной рекомбинации и
коэффициента диффузии методом затухания фотопроводимости . 144
§ 4.6. Фазовый и частотный методы измерения времени жизни . . . .151
§ 4.7. Фотомагнитоэлектрический эффект..........155
§ 4.8. Определение времени жизни, диффузионной длины, подвижности носителей заряда и скорости поверхностной рекомбинации по фотомагнитоэлектрическому эффекту.........
Глава V Измерение поверхностных характеристик полупроводников
§ 5.1. Поверхностные состояния и реальная поверхность кристалла .
§ 5.2. Поверхностный потенциал и приповерхностный объемный заряд
§ 5.3. Поверхностная проводимость.........
§ 5.4. Эффект поля..............
§ 5.5. Дифференциальная поверхностная емкость........
§ 5.6. Зависимость дифференциальной емкости от частоты.....
§ 5.7. Определение концентрации поверхностных уровней, поверхностного потенциала, концентрации примеси и времени жизни неосновных носителей заряда...............197
Литература................ 201
Приложения ..... .w.............202
Цена: 150руб.
