Проблемы воздействия проникающих излучений на физические свойства кристаллов и р—«-переходов в настоящее время приобрели большое научное и практическое значение, вырастая в новую область физики твердого тела.
Вызванные радиационным воздействием изменения свойств кристаллов и различных приборов, в которых кристаллы являются основными элементами, во многих случаях либо выводят из строя эти приборы, создавая неустранимые вредные нарушения, либо, напротив, придают им новые ценные свойства, обусловливающие возможности их практического использования. Поэтому очевидны причины, вызывающие большой интерес к результатам исследований радиационных воздействий на кристаллы и р—л-переходы со стороны широких кругов физиков, как теоретиков, так и экспериментаторов, а также инженерно-технических работников, использующих и разрабатывающих устройства, включающие в себя различные кристаллы.
Несомненно, что для практического овладения методами радиационных воздействий и создания радиационно стойких приборов непременным условием является изучение закономерностей влияния излучений на кристаллы и р—n-переходы в зависимости от режимов облучения, состава и структуры кристаллов, энергетического спектра излучения, а также глубокое познание механизма воздействия проникающего излучения на вещество. .....
Для радиационной физики твердого тела большой интерес приобрели, в частности, вопросы механизма образования и устойчивости радиационных дефектов различных типов. При воздействиии на кристалл у-квантов, электронов, нейтронов и других частиц достаточно высоких энергий происходит смещение ионов из положения равновесия, их полная или частичная ионизация. В ряде случаев при этом возникает лавинообразное нарастание числа вторичных и последующих нарушений
кристаллической решетки. В результате радиационного воздействия возбужденные ионы, электроны, взаимодействуя с существующими в кристаллах примесями, дислокациями и , другими нарушениями, образуют различной степени устойчивости дефекты, комплексы дефектов и разного типа разупоря-доченные области. Каждый из типов образующихся дефектов характеризуется соответствующим спектром энергетических уровней и рядом специфических свойств.
В настоящее время приобретает большой интерес детальное познание структуры образующихся радиационных дефектов, механизма их взаимодействия с окружающими слоями кристаллической решетки, с носителями тока — электронами и дырками. Несомненно, что свойства радиационных дефектов различных типов — вакансий, комплексов вакансий, комплексов смещенных ионов с примесями и т. д. самым непосредственным образом связаны с характером и энергией межатомного взаимодействия атомов решетки. В большой мере этим обусловлены характер и энергия связи дефектов как с решеткой кристалла, так и друг с другом, а также с носителями тока. Для количественного описания свойств дефектов необходим учет зонной структуры кристалла и ее изменений вследствие радиационных воздействий. Эффективные сечения захвата и рассеяния дефектами носителей тока обусловлены конфигурационной и энергетической структурами дефектов, непосредственно связанными со свойствами исходного идеального кристалла. На эту сторону вопроса, к сожалению, не обращается достаточного внимания. В непосредственной связи с проблемами механизма радиационных воздействий стоит вопрос о процессах каналирования заряженных частиц в кристаллах, обусловленных особенностями кристаллической структуры с распределением электронной плотности и потенциала в кристаллах.
В предлагаемом читателям сборнике рассматриваются многие из затронутых выше вопросов. В нем помещена часть докладов, прочитанных на совещании по проблемам радиационной физики неметаллических кристаллов, проходившем в г. Минске в 1968 г.
В указанных работах изложены результаты исследований радиационных воздействий на моноатомные полупроводники, в особенности на кремний и отчасти германий.
Ряд работ посвящен исследованию радиационных воздействий на полупроводниковые соединения, главным образом AInBv и AnBVI, а также на некоторые другие кристаллы.
Большой интерес представляют результаты систематических исследований радиационных воздействий на р—л-пере-ходы. Подробно рассматривается влияние электронного, протонного и других видов излучения на р—я-переходы, лежащие
в основе работы диодов, солнечных батарей, фотодиодов, транзисторов и других полупроводниковых приборов.
Можно надеяться, что сборник представит интерес для широкого круга физиков, инженерно-технических работников и студентов старших курсов университетов и втузов, для всех, кто интересуется проблемами физики твердого тела и радиационными повреждениями, возникающими под действием излучений.
Н. СИРОТА
/......
СОДЕРЖАНИЕ
I. Радиационное воздействие на моноатомные полупроводники
Н. Н. Сирота, Ф. П. Коршунов, Л. Ю. Райнес, Исследование радиационных воздействий на полупроводниковые кристаллы и р — п-переходы . . . . . . ...
A. И. Макаревич, Л. Ю. Райнес, Л. С. Шибко. Воздействие реакторного излучения на высокоомный кремний . . . .
И. Д. Конозенко, В. Л. Винецкий, М. Д. Баренцев, Г. Н. Ери-цян, А. К. Семенюк, М. И. Старчик, В. И. Хиврич. Влияние некоторых, факторов на процессы образования радиационных дефектов в кремний и 'Германии при гамма-облучении . . . . . ''. . . .
B. Л. Винецкий,: И. И. Ясковец. Возможный механизм квазихими-ческнх реакций, вызванных ионизирующей радиацией, между точечными дефектами в полупроводниках....., , . .....,
Ю. Т. Рыжков, Л. Г. Николаева. Электронномикроскопические исследования радиационных нарушений в кремнии, облученном быстрыми нейтронами . . . . .... ..'...
Э. И. Вайхброт, В. М. Грижко, И. А. Гришаее^ В. М: Носов. Переходные процессы в германии и кремнии пр,и облучении импульсом электронов линейного ускорителя с энергией 35 Мэв, ,
Г. А. Холодарь, В: Л. Винецкий. Эволюция спектров фотопроводимости р-кремния после облучения гамма-квантами и электронами
А. И. Макаревич, Г. М. Березина, Н. Ф. Курилович. Влияние нейтронного облучения на механические свойства кремния . ¦ • . .,
Ю. В. Булгаков, Т. И. Коломенская, М. А. Кумахов. Радиационные дефекты в кремнии, облученном протонами, дейтронами и альфа-частицами .........' . .'¦.''.¦•. '. . : .
Е. Ф. Уваров, М. В. Чукичев. Исследование радиационных дефектов в кремнии, легированном золотом и фосфором и облученном электронами и нейтронами . . ..........
Е. Ю. Браиловский, И. Д. Конозенко. Об участии легирующих, примесей в образовании радиационных дефектов в арсениде галлия ..
Е. Н. Александрова, Р. М. Аранович, А. А. Вайно, Т. Б. Карашев, М. А. Селезнева, А. А. Тали, В. П. Астахов. Свойства пленок нитрида кремния, полученных облучением кремния ионами азота . . . .,
С. М. Городецкий, В. В. Лазовский. Рекомбинационные характеристики р-кремния, облученного быстрыми электронами . . . . . ¦
Р. Ф. Коноплева, С. Р. Новиков, Э. Э. Рубинова, Ю.'А. Запорож-ченко. Исследование радиационных дефектов в германии .при облуче: нии протонами высокой энергии . . . . . ... ¦ . •¦
А'. Б. Герасимов, Н. Д. Долидзе, Н. Г. Кахидзе; Б. М'. Коновалён-ко. Кинетика формирования радиационных дефектов", создаваемых в германии гамма-лучами при температуре 77 °К ..... ¦
II. Воздействие облучения на полупроводниковые соединения
Б. И. Болтакс, Э. П. Савин. Влияние нейтронного облучения на электрические свойства арсенида индия . . . •
Н. А. Витовский, Г. А. Вихлий, В. В. Галаванов, Т. В. Машовец, Р. Ю. Хансеваров. Радиационные дефекты в антимониде индия .
И. А. Доморяд. Влияние гамма-радиации на фотомеханический эффект в монокристаллах фосфида и арсенида галлия III. Воздействие облучения на р — «-переходы и полупроводниковые
приборы
Я. Н. Сирота, Г. М. Иванов, Ф. П. Коршунов, Н. Н. Косолапое. Влияние электронного облучения на р—«-переходы в кремнии . .136
Р. А. Мамедов, Н. А. Ухин. Переходные процессы в р—«-переходах полупроводниковых приборов, вызванные ионизирующим излучением линейного ускорителя электронов ........ 142
A. Б. Герасимов, Б. М. Коноваленко, М. Л. Мерабишвили, А. Г. Шилло. Исследование кинетики восстановления «длинных» диодов, облученных при температуре 77 °К..........151
B. М. Гусев, Ф. А. Щиголь, В. Г. Науменко, К. Б. Левицкий, Б. И. Щелчков, Ю. Г- Козлов, В. И. Захаров. Кремниевые пленарные п—Р—пп+ с.в.ч. транзисторы, полученные методом ионного внедрения ...................155
C. М. Городицкий, Г. М. Григорьева, Л. Б. Крейнин, В. В. Лазовский, А. П. Ландсман, М. С. Соминский. Влияние электронного облучения па рекомбинационные параметры р-кремния и фотоэлектрические характеристики кремниевых п—р-переходов.....159
Г. М. Григорьева, Л. Б. Крейнин, А. П. Ландсман. Исследование возможностей увеличения стабильности фотоэлектрических характеристик облученных кремниевых п—р-переходов......167
Т. Б. Карашев, Р. М. Аранович, А. А. Вайно, А. А. Тали. Влияние отжига радиационных дефектов на электрические свойства р—«-переходов, полученных на высокоомном кремнии дырочного типа бомбардировкой ионами азота ........... 174
X. Р. Ниязов. Исследование по радиационной устойчивости полупроводниковых приборов на основе сульфида кадмия .... 181
А. П. Долголенко, В. И. Шаховцов. Создание р—«-перехода в р-кремнии под действием а-частиц..........191
IV. Влияние облучения на щелочногалоидные кристаллы
Ч. Б. Лущик, М. А. Эланго. Экситонный механизм создания радиационных дефектов в ионных кристаллах.......195
А. А. Алыбаков, С. Джумабаев. Исследование оптико-механических свойств облученных щелочногалоидных кристаллов с примесью ОН"...................203
A. А. Алыбаков, Ы. Шамырканов. Статическое закрепление дислокаций в облученных щелочногалоидных кристаллах . . . 207
V. Влияние облучения на различные кристаллы
Е. М. Лобанов, Л. Б. Чубарое, Б. П. Зверев, В. Н. Недоступов, В. Н. Яковлев, А. Г. Дутов, В. Ж. Линкевич. Изменение ионной проводимости кварцевых пластин под действием ядерных излучений . 212
Е. М. Лобанов, Л. Б. Чубарое, Б. П. Зверев, 'В. Н. Яковлев, В. Н. Недоступов. Влияние ядерных излучений на частотные характеристики кварцевых пластин ............ 216
B. В. Буканов, Г. А. Маркова. О дымчатой и цитриновой окраске природного оптического кварца ..........220
A. И. Акишин, С. И. Винтовкин, В. И. Титов, Г. А. Токарев. Влияние ионизирующей радиации на пьезоэлектрические свойства пластин кварца .................227
C. В. Маркевич, Л. И. Владыко. Радиационные повреждения и активность алюмосиликатов в реакции крекинга кумола .... 230
B. И. Клименкое, В. Г. Дворецкий. Параметры нейтронной среды
реактора и повреждение алмаза..........235
Рефераты.................243
Цена: 150руб.
