Математика	Физика	Химия	Биология	Техника и технологии
	Курносое А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. пособие для специальностей «Полупроводники и диэлектрики» и «Производство полупроводниковых приборов», М., «Высш. школа», 1974. 400 с. с ил, В книге дано описание технологических процессов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем; рассмотрены механическая, химическая и фотолитографическая обработки, применение методов сплавления, диффузии, эпитаксии, элионики и конденсации в вакууме при создании полупроводниковых структур, технологические особенности изготовления интегральных схем, методы защиты поверхности р-я-пере-ходов, сборка и герметизация приборов, конструкции корпусов и методы испытаний полупроводниковых приборов.
ПРЕДИСЛОВИЕ Как показывает отечественная и зарубежная практика, производство большинства типов полупроводниковых приборов основано на одних и тех же процессах, например, фотолитографии, диффузии и др., а технологичекие схемы производства имеют много общих этапов: создание /ь/г-переходов, химическая обработка, сборка и т. д. Исходя из современной тенденции к унификации и созданию универсальных базовых технологий, авторы стремились изложить материал в соответствии с основными общими этапами производства полупроводниковых приборов, в пределах каждого этапа дать систематизированный обзор технологических методов и их разновидностей и не относить методы изготовления приборов к производству каких-либо конкретных типов диодов, транзисторов и т. д. Описание каждого технологического метода начинается с кратких сведений о физических основах данного процесса; рассматриваются его особенности, используемые материалы и оборудование, режимы проведения, даются примеры, встречающихся в практике расчетов; указываются дефекты, возникающие в структурах на различных операциях; в заключение приводятся методы контроля качества полученных структур и элементов приборов. Введение, главы II, IV—VIII написаны кандидатом физико-математических наук В. В. Юдиным, главы I, III, IX—XIII — кандидатом технических наук А. И. Курносовым. Авторы выражают глубокую благодарность профессору ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина), доктору технических наук В. В. Па-сынкову, профессору МЭИ, доктору физико-математических наук К. В. Шалимовой, профессору, доктору технических наук Я. А. Федотову, профессору, доктору физико-математических наук А. Л. Рвачеву, а также коллективам кафедры «Полупроводниковые приборы» МИСИС, кафедры «Полупроводниковые приборы» МЭИ, кафедры «Полупроводниковые материалы» ОПИ, кафедры «Химия, радиоматериалы и конструирование РЭА» МЭИС за просмотр и ценные замечания по рукописи. Замечания и пожелания по книге просим высылать по адресу: Москва, К-51, Неглинная ул., 29/14, издательство «Высшая школа». А вторы ОГЛАВЛЕНИЕ Стр. Предисловие........................ 3 Введение......................... 4 § В.1. Основные этапы в технологии производства полупроводниковых приборов'..................... 4 § В.2. Разновидности активных структур ........... 6 § В.З. Технологические схемы получения некоторых транзисторов . . ¦ 9 Глава первая. Механическая обработка "полупроводниковых материалов 12 § 1.1. Структура кристаллического твердого тела........12 § 1.2. Абразивные материалы................ 15 § 1.3. Кристаллографическая ориентация полупроводниковых слитков 18 § 1.4. Крепление слитков и пластин............. 21 § 1.5. Виды резки полупроводниковых 'материалов ....... 22 §. 1.6. .Шлифовка полупроводниковых материалов........ 35 § 1.7. Полировка полупроводниковых материалов........ 39 § 1.8. Качество приповерхностного слоя полупроводника после механический обработки . ................ 42 Глава вторая. Химическая и электрохимическая обработка полупроводников 46 § 2.1. Механизм процесса травления ,§ 2.2. Способы травления и промывки .46 51 Электрохимическая оС аботка поверхности полупроводников . . 54 § 2.4. Осаждение гальванических покрытий § 2.5. Химический участок...... § 2.6. Получение деионизованной воды Глава третья. Фотолитография....... § 3.1. Основные сведения о фотолитографии 56 60 63 67 67 67 75 79 82 83 § 3.2. Фоторезисты....................„, § 3.3. Фотошаблоны и способы их получения ..........70 § 3.4. Процесс фотолитографии.............. § 3.5. Проекционная оптическая фотолитография........ § 3.6. Бесшаблонная линзоворастровая фотолитография..... § 3.7. Изготовление металлических масок.......... § 3.8. Дефекты при проведении процесса фотолитографии.....ot § 3.9. Технологическое оборудование для фотолитографии.....87 Глава четвертая. Метод сплавления...............92 • § 4.1. Физико-металлургические основы образования сплавного р-п-пе- рехода.........:.............92 § 4.2. Технология получения сплавных структур.........102 § 4.3. Расчеты при сплавлении................109 § 4.4. Дефекты, возникающие в р-«-переходах при сплавлении . . .120 § 4.5. Контроль качества сплавных р-п-переходов........123 Глава пятая. Метод диффузии.................128 § 5.1. Физические основы процесса диффузии..........128 § 5.2. Законы диффузии..................132 § 5.3. Распределение примеси при диффузии..........136 § 5.4. Диффузия в планарной технологии............147 § 5.5. Техника проведения процессов диффузии..........152 § 5.6. Основные диффузанты................157 § 5.7. Аномалии распределения примесей и дефекты в диффузионных слоях.....................163 § 5.8. Контроль основных параметров диффузионных структур . . . 170 Глава шестая. Метод эпитаксии................174 § 6.1. Основные сведения об эпитаксии............174 § 6.2. Эпитаксия кремния.................176 .§ 6.3. Эпитаксия германия................. 180 § 6.4. Эпитаксия арсенида галлия..............182 § 6.5. Легирование в процессе эпитаксии ............185 § 6.6. Дефекты эпитаксиальных пленок............ 187 § 6.7. Методы исследования и контроля эпитаксиальных пленок . . .189 Глава седьмая. Элионика.........'..........193 § 7.1 Основы электронно-лучевой обработки..........193 § 7.2. Применение электронно-лучевых процессов........196 § 7.3. Взаимодействие ускоренных ионов с твердым телом . . . .198 ¦ § 7.4. Применение ионного легирования............206 § 7.5. Методы контроля элионных структур ..........210 § 7.6. Использование оптических квантовых генераторов.....212 Глава восьмая. Метод конденсации в вакууме . . . . ».......214 § 8.1. Основные положения кинетической теории газов...... 214 § 8.2. Термическое испарение.............- ... 218 § 8.3. Катодное распыление................. 227 § 8.4. Создание омических контактов............. 233 § 8.5. Создание тонкопленочных пассивных элементов....... 238 § 8.6. Контроль качества тонких пленок ............ 245 Глава девятая. Методы защиты поверхности р-п-переходов -......252 § 9.1. Физика поверхности р-я-перехода...........252 § 9.2. Влияние поверхности на электрические характеристики р-ге-пе- реходов ......................255 § 9.3., Защита лаками и эмалями...............256 § 9.4. Защита вазелинами..........'.......258 § 9.5. Защита силанированием................258 § 9.6. Защита пленками окислов металлов..........261 § 9.7. Защита гидрофобными пленками............263 § 9.8. Защита окислением ................264 § 9.9. Защита пленками нитрида кремния...........271 § 9.10. Защита с помощью легкоплавких стекол.........277 Глава десятая. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов . . 282 § 10.1. Сборка полупроводниковых приборов..........282 § 10.2. Герметизация с помощью стеклянных, металлостеклянных и металлокерамических корпусов............291 § 10.3. Герметизация корпусов с помощью/ пластмасс.......296 Глава одиннадцатая. Конструктивное оформление полупроводниковых приборов ....-....- ....... 303 § 11.1. Назначение корпусов и теплоотвод в них .¦.......303 § 11.2. Корпусы диодов общего назначения...........307 § 11.3. Корпусы диодов СВЧ................ 317 § 11.4. Корпусы туннельных диодов.............323 § 11.5. Корпусы транзисторов и тиристоров ..........325 § 11.6. Корпусы фотоприемников и источников света.......334 § 11.7. Корпусы диодных матриц, интегральных и гибридных схем . . 338 Цена: 150руб.
Назад	Заказ	На главную страницу