Предисловие ..................... 3
Глава 1. Основные особенности и перспективы полупроводникового
производства .................. 5
§ 1.1. Этапы развития технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 5
§ 1.2. Технологический процесс........... 7
§ 1.3. Особенности технологии полупроводникового производства ................. 10
§ 1.4. Перспективные направления полупроводникового
производства ............... 12
Глава 2. Механическая обработка полупроводниковых материалов 15
§ 2.1. Структура кристаллического твердого тела ... 15
§ 2.2. Абразивные материалы........... 17
§ 2.3. Кристаллографическая ориентация полупроводниковых слитков .............. 19
§ 2.4. Виды резки полупроводниковых материалов ... 22
§ 2.5. Шлифовка полупроводниковых материалов .... 31
§ 2.6. Полировка полупроводниковых материалов . ' . . 34 § 2.7. Качество приповерхностного слоя полупроводника
после механической обработки ........ 37
Глава 3. Химическая и электрохимическая обработка полупроводников 40
§ 3.1. Физико-химические основы процесса травления . . 40
§ 3.2. Травление германия и кремния........ 42
§ 3.3. Способы травления и промывки........ 45
§ 3.4. Электрохимическая обработка поверхности полупроводников ................. 48
§ 3.5. Осаждение гальванических покрытий...... 53
. § 3.6. Химический участок цеха .......... 56
§ 3.7. Получение деионизованной воды ........ 58
Глава 4. Фотолитография и фотошаблоны........... 61
§ 4.1. Основные сведения о фотолитографии..... 61
§ 4.2. Фоторезисты........'....... 61
§ 4.3. Фотошаблоны и способы их получения..... 65
§ 4.4. Промышленное изготовление фотошаблонов ... 71 § 4.5. Система машинного описания топологии и изготов-
; лен'ия фотошаблонов............ 74
§ 4.6. Контроль качества фотошаблонов ........ 77
§ - 4.7. Процесс фотолитографии .......... 79
§ 4.8. Проекционная оптическая фотолитография . " . . . 83
§ 4.9. " Дефекты при проведении процесса фотолитографии 85
§ 4.10. Технологическое оборудование для фотолитографии 88
Глава 5. Эпитаксия......,............. 93
§ 5.1. Основные закономерности эпитаксиального осаждения .................. 93
§ 5.2. Восстановление хлоридов кремния....... 95
§ 5.3. Другие методы эпитаксии.......... 97
§ 5.4. Легирование в процессе эпитаксии ......'. 100
§ 5.5. Дефекты эпитаксиальных пленок......' . ' Ю1 ¦
§ 5.6. Методы исследования и контроля эпитаксиальных
пленок................. ЮЗ
Глава 6. Диффузия.................... 107
§ 6.1. Физические основы процесса диффузии..... 107
§ 6.2. Законы диффузии ........... ' щ
§ 6.3. Распределение примеси при диффузии .'.'.'.'. 113
§ 6.4. Диффузия в планарной .технологии ...... 121
§ 6.5. Техника проведения процессов диффузии . . . . 125
§ 6.6. Аномалии распределения примесей и дефекты
в диффузионных слоях ........... 130
§ 6.7. Контроль основных параметров диффузионных
структур. ................ 135
Глава 7. Ионная имплантация................ 137
§ 7.1, Физика процесса и принцип действия ионно-луче-
вых ускорителей.............. 137
§ 7.2. Пробеги и дисперсии пробегов ионов...... 141
§ 7.3. Профили распределения концентрации внедренных
ионов.................. 145
§ 7.4. Радиационные нарушения .......... 154
§ 7.5. Электрическая активация и диффузия внедренной
примеси.................. 160
§ 7.6. Основные направления применения ионной имплантации в полупроводниковом производстве .... 167
§ 7.7. Методы контроля слоев, содержащих внедренные
атомы и дефекты............. 176
Глава 8. Конденсация в вакууме............... 183
§ 8.1. Основные положения кинетической теории газов 183
§ 8.2. Термическое испарение . . ......... 185
§ 8.3. Катодное распыление............ 190
§ 8.4. Создание омических контактов........ 193
§ 8.5. Контроль толщины тонких пленок....... 196
Глава 9. Методы защиты поверхности р-п-переходов....... 200
§ 9.1. Физика поверхности р-п-перехода ....... 200
§ 9.2. Влияние поверхности на электрические характеристики р-п-переходов . ............ 203
§ 9.3. Защита окислением............ 204
§ 9.4. Защита пленками нитрида кремния...... . . 212
§ 9.5. Защита с помощью легкоплавких стекол .... 219
Глава 10. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов и интегральных микросхем . . ............. 222
§ 10.1. Сборка полупроводниковых приборов...... 222
§ 10.2. Сборка и герметизация на ленте....... 231
Глава 11. Технология изготовления- структур на полупроводниковых
соединениях типа AIHBV.............. 237
§ 11.1. Электрические и оптические свойства соединений типа
AUIBV и требования к ним.......... 237
§ 11.2. Эпитаксия из паровой фазы......... 242
§ 11.3. Эпитаксия в жидкой фазе.......... ?™
§ 11.4. Диффузия и ионная имплантация....... 25»
§ 11.5. Основные направления в применении соединений
типа АШВУ.............. . 263
§ 11.6. Дефекты и методы контроля структур.....268
Глава 12. Технология изготовления биполярных интегральных микросхем ,,,,,.................271
§ 12.1. Классификация интегральных микросхем .... 271 § 12.2. Основные принципы и методы проектирования топологии .................. 276
§ 12.3. Изоляция областей в монолитных ИМС .... 284
§ 12.4. Монолитные микросхемы .......... 292
§ 12.5. Межэлементные соединения ......... 303
§ J 2.6. Совмещенные и гибридные микросхемы . .... 310
§ 12.7. Методы технологического контроля ...... 325
Глава 13. Технология МДП интегральных микросхем....... 330
§ 13.1. Физико-технологические особенности изготовления
МДП-транзисторов............. 330
§ 13.2. Стандартные и комплементарные структуры . . . 334
§ 13.3. Методы управления зарядом в диэлектрике затвора 337
§ 13.4. Кремниевые затворы ............ 341
§ 13.5. Применение метода ионной имплантации .... 343
§ 13.6. Методы повышения быстродействия ...... 347
§ 13.7. Дефекты в МДП-структурах........ . 354
Приложения....................... 358
Список литературы
Цена: 150руб.
