Математика | ||||
Использование ЭВМ в технологии выращивания кристаллов, Арсеньев П. А., Багдасаров X. С., Зенф И. Г., Су-лаев В. Б./Под ред. Е. Ф. Кустова. — М.: Моск. энерг. ин-т, 1986.— 92с. Изложены основные сведения по применению средств вычислительной техники при выращивании высокотемпературных кристаллов для электронной техники и энергетики. Применение ЭВМ в процессах выращивания является единственным путем воспроизводимого получения кристаллов, обладающих высокой степенью структурного совершенства. В пособии разобраны основные тенденции внедрения ЭВМ в технологию, описаны достоинства и недостатки основных видов автоматических систем управления ростом кристаллов. Проблема создания оптимальной технологической схемы решается с учетом взаимосвязи основных параметров процессов кристаллизации, дефектообразования и роста. Пособие предназначено для студентов старших курсов электромеханического факультета. | ||||
Введение Разработка и усовершенствование аппаратуры для выращивания монокристаллов осуществлялись параллельно развитию средств автоматического управления. Созданные при этом системы регулирования использовались для автоматизации отдельных кристаллизационных устройств и в целом оказались малоэффективными, поскольку их трудно приспособить к условиям работы автоматизируемых объектов. В связи с этим были выдвинуты новые задачи, связанные с комплексной автоматизацией технологических процессов выращивания монокристаллов на базе специально разработанных автоматических систем управления, реализуемых на основе ЭВМ. К таким системам обычно предъявляются следующие требования: 1. Улучшение качества кристаллов. 2. Гарантия воспроизводимости условий выращивания в ходе всего процесса выращивания как существенная предпосылка для воспроизводимости достигнутого уровня качества продукции. 3. Возможность экономичного серийного выращивания монокристаллов определенного уровня качества в производственных условиях при оптимальном использовании дорогостоящего исходного материала. 4. Высокая степень автоматизации, т. е. возможно управление процессом выращивания на всех его стадиях, менее зависящее от свойств данного материала, размеров кристаллов и индивидуальных способностей оператора. Создание специально разработанных систем управления для выращивания монокристаллов может служить критерием, который позволяет говорить о том, что в деле разработки аппаратуры для выращивания монокристаллов наступил качественно новый этап. Однако указанные изменения коснулись не всех методов выращивания монокристаллов, а в главном только одного — метода выращивания из расплава, и это ОГЛАВЛЕНИЕ Введение. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА НА БАЗЕ ЭВМ 1. Процесс кристаллизации по методу Чохральского как объект управления для ЭВМ.......... 8 2. Параметры управления процессом кристаллизации: мощность нагрева расплава, скорость вращения кристалла, скорость вытягивания кристалла .......... 23 3. Измеряемые величины: измерение параметров кристаллизации. Теоретические основы метода взвешивания с использованием ЭВМ............. 36 4. Передаточная функция и динамические характеристики объекта управления............ 50 5. Синтез автоматических систем управления на базе ЭВМ и их классификация............ 7J Заключение. Литература. Цена: 100руб. |
||||