Стр. И. 3. Фишер и Ч. К. Смолик.
О температурной зависимости энергии ионизации примесных центров в гомеополярном кристалле ............ 3
Т. Д. Зотов. Температурная зависимость электросопротивления монокристалла магнетита, охлажденного в магнитном поле ниже его низкотемпературного превращения ........... 8
Р. Ф. Коноплева, Т. В. Машовец и С. М. Рывкин. О влиянии дефектов, созданных нейтронным облучением, на процесс рекомбинации в германии....... 11
Б. Т. Коломиец и Т. Ф. Назарова. Стеклообразные полупроводники. V............ 22
В. Т. Коломиец и Т. Н. Мамонтова. Стеклообразные полупроводники. VI.......... 29
Б. Т. Коломиец и А. А. Маль-кова. Свойство и структура тройных полупроводниковых систем ............. 32
В. Е. Лашкарев, Р. Н. Бонда-ренко, В. Н. Добровольский, Г. П. Зубрив, В. Г. Литовченко и В. И. Стриха. Электрические и рекомбинационные свойства германия с примесью бериллия ............ 39
В. Д. Игнатков и В. Е. Косеако. Растворимость серебра и железа в германии,легированном сурьмой и фосфором........ 47
Б. Т. Коломиец, И. Т. Шефтель, Е. В. Курлина и Г. Н. Текстер-Проскурякова. Электрические свойства кобальто-никилиевых оксидных полупроводников ... 50
Б. Я. Юрков. Соотношение пробег—энергия для атомов кристаллической решетки кремния, выбиваемых при облучении электронами в междоузлие ... 63
Т. В. Машовец и С. М. Рывкин. О температурной зависимости времени жизни в германии в области собственной проводимости ............. 70
Н. С. Черная. Энергетическое распределение электронных состояний на поверхности германия в сверхвысоком вакууме ... 79
B. Г. Литовченко. Исследование быстрых поверхностных состояний кремния.......... 83
C. М. Рывкин и Р. Ю. Хансева-ров. Спектр инфракрасного гашения фотопроводимости в твердых растворах— CdS—CdSe . . 88
CONTENTS
Page I. Z. Fisher a. Ch. K. Smolik.
On the Temperature Dependence of lonization Energy of Impurity Centers in Homopolar Crystal ............. 3
T. D. Zotov. Temperature Dependence of Electroresistance of Single Crystal of Magnetite Cooled in Magnetic Field below its Low-Temperature Transformation ............ 8
R. F. Konopleva, T. V. Masho-vets a. S. M. Ryvkin. On the Influence of Defect Created of Neutron Irradiation on Recombination Process in Germanium. 11
B. T. Kolomiets a. T. F. Naza-rova. Glassformed Semiconductors. V ........... 22
B. T. Kolomiets a. T. N. Mamon-tova. Glassformed Semiconductors. VI ........... 29
B. T. Kolomiets a. A. A. Malkova. Property and Structure of Threefold Semiconducting Systems . 32
V. E. Lashkarcv, R. N. Bonda-renko, V. N. Dobrovolsky, G. P. Zubrin, V. G. Litov-cbenko a. V. I. Stricha. Electrical and Recombinational Properties of Germanium Doped by Beryllium .......... 39
V. D. Ignatkov a. V. E. Kosenko. Solubility of Silver and Iron in Germanium Doped by Antimony and Phosphorus........ 47
B. T. Kolomiets, I. T. Sheftel, E. V. Kurlinaa. G. N. Tekster-Proskurjakova. Electric Properties of Cobalt-Nickel. Oxidic Semiconductors ......... 50-
B. Ja. Yurkov. Relation of Path-Energy for Atoms Knoched out of a Silicon Lattice by Electrons Irradiation........... 63
T. V. Mashovets a. S. M. Ryvkin.
On the Temperature Dependence of Life Time in Germanium in Intrinsic Region ... 70
N. S. Chernaja. Energy Distribution of Electronic States on Surface of Germanium in Super-High Vacuum.....• . . . 79
V. G. Litovchenko. Investigation
of Fast Surface States of Silicon. 83
S. M. Ryvkin a. P. Yu. Khanseva-rov. Spectrum of Infrared Extinguishment of Photoconductivity in the CdS—CdSe Solid Solutions ............. 88
^тр.
A. П. Шотов. О зависимости электрического пробоя р—п-пере-ходов от кристаллографического направления.......... 91
Д. Н. Наследов, Н. Н. Смирнова и Б. В. Царенков. Точечно-контактные диоды на основе арсенида галлия ........ 96
Г. Н. Гук. О применении тонких
слоев висмута в тензодатчиках 99
Ж. И. Алферов, Г. В. Гордеев и В. И. Стафеев. Температурная зависимость пробивного напряжения в германиевых и кремниевых диодах......... 104
B. Н. Верцнер, Ю. В. Воробьев и Л. Н. Малахов. Применение теневого электронно-оптического метода к исследованию р — п-пе-реходов............ 109
3. С. Грибников и К. Б. Толпыго. Эмиссионная способность сферического контакта металла с полупроводником. (Случай больших
токов) . . . . '........ 113
А. Г. Самойлович, М. И. Клин-гер и Л. Л. Коренблит. Новый вывод неравновесной функции распределения в полупроводниках........... 121
М. И. Клингер. К статистической теории кинетических коэффициентов в кристалле с сильно вырожденным электронным газом .............. 136
А. Г. Самойлович и М. И. Клингер. Влияние анизотропии монокристалла В12Тез на рассеяние электронов акустическими фо-нонами............ 143
A. Б. Алмазов. О влиянии ближнего порядка на электрические свойства вещества....... 158
Э. И. Рашба и В. И. Шека. Симметрия энергетических зон в кристаллах типа вюрцита II . 162
B. Л. Бонч-Бруевич. К теории примесных состояний в полупроводниках ........... 177
В. Л. Бонч-Бруевич. Коэффициенты рекомбинации при наличии кулоновского барьера . . . 182
И. Г. Лавг. К вопросу о роли двух-фононных процессов в рассеянии электронов проводимости в ионных кристаллах..... 186
A. А. Гринберг. Температурная зависимость времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках при рекомбинации на многозарядных центрах .............. 192
B. А. Чуенков. Теория электрического пробоя полупроводников. I............. 200
В. А. Чуенков. Теория электрического пробоя полупроводников (р — п-переходы). II...... 209
Page
А. Р. Shotov. On the Dependence of Breakdown of p—re-Junction on Crystal Direction..... 91
D. N. Nasledov, N. N. Smirnova a. B. V. Tsarenkov. Point-Contact Diodes on the Basis of Gallium Arsenide ........ 96
G. N. Guk. On the Application of Thin Layers of Bismuth in Tenso-E. M. F. Source ... 99
Zh. I. Alferov, G. V. Gordeev a. V. I. Stafeev. Temperature Dependence of Breakdown Voltage in Germanium and Silicon Diodes ............. 104
V. N. Vertsner, Yu. V. Vorobjev a. L. N. Malachov. Application of Shady Electronic-Optic Method for Investigation of p—re-Junctions ........... 109
Z. S. Gribnikov a. K. B. Tolpygo.
Emission Ability of Spherical ;, . Contact of Metal with Semiconductor. (Case of Large Currents) ............ 113
A. G. Samoilovich, M. I. KHnger a. L. L. Korenblit. A New Deduction of Non-Equilibrium Distribution-Function in Semiconductors .......... 121
M. I. Klinger. On the Statistical Theory of Kinetic Coefficients in Crystal with Vastly Degenerated Electronic Gas..... 136
A. G. Samoilovich a. M. I. Klinger. Influence of Anisotropy of the Bi2Tes Single Crystal on Scattering of Electrons by Acoustic Phonons....... 143
A. B. Almazov. On the Influence of Near Order on Electric Proper-1 tie', of Substance...... 158
E. I. Hashba a. V. I. Sheka. Syra-m'/ry of Bands in Crystals of
: cf Wurtzite-Type....... 162
V. L. Bonch-Bruevkh. On the Theory of Impurity States in
Semiconductors........ 177
V. L. Bonch-Bruevkh. Coefficient of Recombination with Coulomb
! Barrier............ 182
I. G. Lang. On the Role of Two-Phononic Processes in Scattering of Electrons in Ionic Cry-
> stals............. 186
A. A. Grinberg. Temperature Dependence of Life Time of Non-Equilibrium Current Carriers in Semiconductors under Recombination due to Many-Charged Cen-
! ters............. 192
V. A. Chuenkov. Theory of Breakdown of Semiconductors.I' . . . 200 )
V. A. Chuenkov. Theory of Breakdown of Semiconductors (p—n-1 Junctions). II......... 209
А. А. Остроухое и К. Б. Тол-пыго. Теория нестационарной эмиссии полупроводникового термокатода. I. Линейное приближение ........... 215
A. А. Остроухой. Теория нестационарной термоэмиссии полупроводникового катода. II ... 224
B. М. Агранович и А. А. Рухадзе. К теории поглощения света
в кристаллах.......... 235
Б. В. Будылин и А. А. Воробьев. Регенерация механических свойств облученной каменной соли после нормализующего отжига .............. 242
Г. А. Смоленский, Я. И. Ксендзов, А. И. Аграновская и С. Н. Попов. Диэлектрическая поляризация твердых растворов метаниобатов двух- и трехвалентных металлов....... 244
М- И. Корнфельд и Д. Н. Мир-лин. Температурная зависимость низкочастотных флуктуации проводимости в теллуре . . 251 И. М. Бронштейн и Р. Б. Сегаль. Неупругое рассеяние электронов и вторичная электронная /. эмиссия некоторых металлов. III. 258 Б. Я. Пинес, Э. Ф. Чайковский и Н. В. Калужинова. Дислокационные и диффузионные эффекты при рекристаллизации у деформированной меди . . . 264 Ю. Г. Шишкин и И. Л. Сокольская. Работа выхода и свойства поверхности системы медь—
барий............. 273
Ю. Г. Шишкин и И. Л. Сокольская. Работа выхода системы золото—барий и условия ее стабилизации ........... 276
3. А. Матысина и А. А. Смирнов. Теория упорядочения сплавов с гексагональной плотноупакован-ной кристаллической решеткой . 286 Р. Ш. Малкович и М. А. Афа- ; насьева. Относительно проник- ' новения серебра в рутиловую и перовекитовую керамику . . . 291 А. Л. Картужанский. Об оценке потерь в процессе образования скрытого фотографического изображения ионизующими частицами ............. 296
Д. П. Богацкий и И. А. Мине-ева. Рентгенографическое исследование окислов никеля и их
твердых растворов....... 301
С. Л. Нуделыиан. Единый графический метод индицирования рентгенограмм поли кристаллических веществ........ 306
Ю. Г. Птушинский. Оксидный катод на керне из сплава никеля
с танталом......• ... 317
А. Ю. Гордовов. Переходные процессы в транзисторе при общем эмиттере........... 319
fage A. A. Ostrouchov а. К. В. Tol-
pygo. Theory of Non-Stationary Emission of Semiconducting Thermocathode. I. Linear Approximation ........ 215
A. A. Ostrouchov. Theory of Non-Stationary Thermoemission of Semiconducting Cathode. II . . 224
V. M. Agranovich a. A. A. Ru-Khadze. On the Theory of Light Absorption in Crystals . 235
B. V. Budylin a. A. A. Vorobjev. Regeneration of Mechanic Properties of Irradiated Rocksalt
after Normalizing Annealing . . 242
G. A. Smolensky, Ja. V. Ksend-zov, A. I. Agranovskaja a. S. N. Popov. Dielectric Polarization of Solid Solutions of Metanio bates of Two- and Tree-valent Metals......... 244
M. I. Kornfeld a. D. N. Mirlin. Temperature Dependence of Low-Frequency Fluctuations of Conductivity in Tellurium . . . 251
I. M. Bronshtein a. R. B. Segal. Nou-Elastic Scattering of
Electrons and Secondary Electronic of Some Metals. Ill . . 258
B. Ja. Pines, E. F. Chaikovsky a. N. V. Kaluzhinova. Dislocation and Diffesion Effects with Recry-stalization of Deformed Copper 264
Yu G. Shishkin a. I. L. Sokols-kaja. Work Function and Properties of Surface of the Copper-Barium System........ 273
Yu G. Shishkin a. I. L. Sokol-skaja. Work Function of the Gold—Barium System and Conditions of its Stabilization . . . 276 Z. A. Matysina a. A. A. Smirnov. Theory of Regulating of Alloy with Hexagonal Close-Packed
Crystalline Lattice...... 286
R. Sh. Malkovich a. M. A. Afanas-jeva. On the Penetration of Silver in Rutile and Perowskite
Ceramics .......... 291
A. L. Kartuzhansky. On the Estimation of Losses during Process of Forming of Latent Photographic Image by Ionizing Particles ............. 296
D. P. Bogatsky a. I. A. Mineeva. Radiographic Investigation of the Nickel Oxides and their
Solid Solutions........ 301
S. L. Nudelman. Common Graphic Method of Indication of Radio graphs of Polycrystallme Substances ........... 306
Yu. G. Ptushinsky. Oxide Cathode on Kern of the Nickel-Tantalum
Alloy ............ 317
A. Yu. Gordonov. Transitional Processes in Transistor with Common Emitter....... 319
Цена: 500руб.
